电子说
在现代计算机系统中,内存模块的性能和稳定性对整个系统的运行起着至关重要的作用。今天,我们就来深入了解一款高性能的 128GB 288 - Pin DDR4 RDIMM 内存模块。
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这款 128GB 的 288 - Pin DDR4 RDIMM 内存模块,采用了先进的 3DS 4H Stack 技术,具有 2 个 Package Ranks 和 4 个 Logic Ranks,支持 ECC 错误检测和纠正功能,为系统提供了可靠的数据存储和处理能力。
| 参数 | 详情 |
|---|---|
| 容量 | 128GB(16Gig x 72) |
| 引脚数 | 288 - Pin |
| 工作电压 | (V{DD}=1.20V(NOM)),(V{PP}=2.5V(NOM)),(V_{DDSPD}=2.5V(NOM)) |
| 温度范围 | 商业级(0°C ≤ (T_{OPER}) ≤ 95°C) |
在 DDR4 多 rank 模块中,为了实现地址总线的最佳布线,采用了地址镜像技术。对于四 rank 模块,rank 1 和 3 是镜像的,rank 0 和 2 是非镜像的。系统可以通过参考 DDR4 SPD 来确定模块是否实现了镜像。
注册式 DDR4 SDRAM 模块使用了一个由寄存器和锁相环(PLL)组成的注册时钟驱动设备。该设备符合 JEDEC DDR4 RCD 规范,能够减少主机内存控制器的命令、地址和控制总线的电气负载,同时提供低抖动、低偏斜的 PLL,将差分时钟对重新分配到多个差分时钟输出对。
| 符号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|
| (V_{DD}) | (V{DD}) 电源电压相对于 (V{SS}) | - 0.4 | 1.5 | V | |
| (V_{DDQ}) | (V{DDQ}) 电源电压相对于 (V{SS}) | - 0.4 | 1.5 | V | |
| (V_{PP}) | (V{PP}) 引脚相对于 (V{SS}) 的电压 | - 0.4 | 3.0 | V | |
| (V{IN}),(V{OUT}) | 任何引脚相对于 (V_{SS}) 的电压 | - 0.4 | 1.5 | V |
| 符号 | 参数 | 最小值 | 标称值 | 最大值 | 单位 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| (V_{DD}) | (V_{DD}) 电源电压 | 1.14 | 1.20 | 1.26 | V | |
| (V_{PP}) | DRAM 激活电源电压 | 2.375 | 2.5 | 2.75 | V | |
| (V_{REFCA(DC)}) | 命令/地址总线的输入参考电压 | (0.49 × V_{DD}) | (0.5 × V_{DD}) | (0.51 × V_{DD}) | V | |
| (I_{VTT}) | 来自 (V_{TT}) 的终止参考电流 | - 750 | 750 | mA | ||
| (V_{TT}) | 命令/地址总线的终止参考电压(DC) | (0.49 × V_{DD}-20mV) | (0.5 × V_{DD}) | (0.51 × V_{DD}+20mV) | V |
为了确保整个内存系统的信号完整性,建议设计师对系统内存总线的信号特性进行模拟。虽然 Micron 内存模块通过精心设计的终端、受控的板阻抗、布线拓扑、迹线长度匹配和去耦来优化信号完整性,但良好的信号完整性需要从系统层面开始考虑。
模块的工作电压是在模块的边缘连接器处指定的,而不是在 DRAM 处。设计师需要考虑在预期功率水平下的系统电压降,以确保维持所需的电源电压。
这款 128GB 288 - Pin DDR4 RDIMM 内存模块具有高性能、低功耗、可靠的 ECC 功能和先进的温度监测等优点。在设计和使用过程中,我们需要充分考虑地址映射、时钟驱动操作、电气规格等技术细节,以确保模块的稳定运行。同时,通过合理的信号完整性模拟和电源设计,可以进一步提升整个系统的性能。你在使用类似内存模块时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验。
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