1GB、2GB 240 - Pin DDR3 RDIMM模块的全面解析

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1GB、2GB 240-Pin DDR3 RDIMM模块的全面解析

在当今的电子设备中,内存模块的性能和稳定性至关重要。本文将深入探讨 1GB、2GB(x72, ECC, SR)240 - Pin DDR3 RDIMM 模块,为电子工程师在设计和应用中提供有价值的参考。

文件下载:MT9JSF12872PZ-1G4G1.pdf

一、产品概述

这款 DDR3 SDRAM RDIMM 模块有 1GB(MT9JSF12872PZ)和 2GB(MT9JSF25672PZ)两种容量可选,具备众多先进特性。它支持 DDR3 功能和操作,采用 240 - pin 注册双列直插式内存模块(RDIMM)设计,拥有 PC3 - 12800、PC3 - 10600、PC3 - 8500、PC3 - 6400 等快速数据传输速率。同时,支持 ECC 错误检测和纠正,具备标称和动态片上终端(ODT),采用单 rank 设计,板载 I2C 温度传感器和集成串行存在检测(SPD)EEPROM,有 8 个内部设备银行,固定突发斩波(BC)为 4,突发长度(BL)为 8,采用金边缘触点,无卤设计,采用 Fly - by 拓扑结构,控制、命令和地址总线有终端。

二、关键参数

1. 电气参数

  • 电源电压:(V{DD}=1.5V pm 0.075V),(V{DDSPD}=3.0 - 3.6V)。
  • 绝对最大额定值:(V{DD}) 相对 (V{SS}) 的供应电压范围为 –0.4 至 1.975V,任何引脚相对 (V_{SS}) 的电压范围同样为 –0.4 至 1.975V。
  • 工作条件:涵盖了 (V{DD}) 供应电压、参考电压、终止参考电流和电压、输入和输出泄漏电流以及工作温度等参数。例如,商业应用中模块环境工作温度 (T{A}) 为 0 至 70°C,DDR3 SDRAM 组件外壳工作温度 (T{C}) 为 0 至 95°C,当 (85^{circ}C < T{C} ≤ 95^{circ}C) 时,刷新速率需加倍。

2. 时序参数

不同速度等级对应不同的数据速率和关键时序参数,如 tRCD、tRP、tRC 等。例如,-1G6 速度等级对应 PC3 - 12800,数据速率为 1600MT/s,tRCD 为 13.125ns,tRP 为 13.125ns,tRC 为 48.125ns。

3. 寻址参数

参数 1GB 2GB
刷新计数 8K 8K
行地址 16K A[13:0] 32K A[14:0]
设备银行地址 8 BA[2:0] 8 BA[2:0]
设备配置 1Gb (128 Meg x 8) 2Gb (256 Meg x 8)
列地址 1K A[11, 9:0] 2K A[11, 9:0]
模块 rank 地址 1 S0# 1 S0#

4. 功耗参数

不同容量和芯片版本的模块在不同工作模式下的电流消耗不同。以 1GB(Die Revision G)为例,Operating current 0(IDD0)在 1600MT/s 时为 630mA,在 1333MT/s 时为 585mA,在 1066MT/s 时为 540mA。

三、功能特点

1. 高速数据传输

DDR3 架构采用 (8n) - 预取架构,接口设计为每个时钟周期在 I/O 引脚传输两个数据字,实现高速操作。

2. 信号完整性

  • Fly - by 拓扑结构:时钟、控制、命令和地址总线采用 Fly - by 拓扑结构,可提高信号质量,且通过 DDR3 的写均衡功能可轻松解决时钟和 DQS 信号之间的时序偏移问题。
  • 差分信号:使用 DQS、DQS# 捕获数据,CK 和 CK# 捕获命令、地址和控制信号,差分时钟和数据选通确保信号具有出色的抗噪能力和精确的交叉点。

3. 注册时钟驱动操作

注册 DDR3 SDRAM 模块使用包含寄存器和锁相环(PLL)的注册时钟驱动设备。寄存器部分在上升时钟边缘锁存命令和地址输入信号,PLL 部分接收并重新驱动差分时钟信号到 DDR3 SDRAM 设备,可减少时钟、控制、命令和地址信号的负载。

4. 奇偶校验操作

注册时钟驱动包含偶数奇偶校验功能,用于检查奇偶校验。内存控制器在 Par_In 输入接收奇偶校验位,并与 A[15:0]、BA[2:0]、RAS#、CAS# 和 WE# 上接收的数据进行比较。奇偶校验错误会在 Err_Out# 上标记。

5. 温度传感器与 SPD EEPROM

  • 温度传感器:集成的温度传感器可通过 (I^{2}C) 总线将温度转换为数字字,系统设计师可根据系统要求使用用户可编程寄存器创建自定义温度传感解决方案。
  • SPD EEPROM:DDR3 SDRAM 模块集成了串行存在检测功能,SPD 数据存储在 256 字节的 EEPROM 中。前 128 字节由美光编程,符合 JEDEC 标准 JC - 45,用于识别模块特定的时序参数、配置信息和物理属性,剩余 128 字节可供客户使用。

四、设计考虑

1. 仿真

美光的内存模块通过精心设计的终端、受控板阻抗、布线拓扑、走线长度匹配和去耦来优化信号完整性。但设计师仍需对系统内存总线的信号特性进行仿真,以确保整个内存系统具有足够的信号完整性。

2. 电源

工作电压是在 DRAM 处指定的,而非模块的边缘连接器。设计师必须考虑预期功率水平下的系统电压降,以确保维持所需的电源电压。

五、总结

1GB、2GB 240 - Pin DDR3 RDIMM 模块凭借其高速数据传输、良好的信号完整性、完善的错误检测和纠正机制以及灵活的温度传感和配置功能,为电子设备提供了可靠的内存解决方案。电子工程师在设计过程中,需充分考虑其电气参数、时序参数和功耗特性,结合仿真和电源设计,以确保模块在系统中稳定运行。大家在实际应用中,是否遇到过类似模块的兼容性问题呢?又是如何解决的呢?欢迎在评论区分享你的经验。

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