16GB (x64, SR) 288 - Pin DDR4 UDIMM技术解析

电子说

1.4w人已加入

描述

16GB (x64, SR) 288 - Pin DDR4 UDIMM技术解析

一、引言

在当今的电子设备中,内存扮演着至关重要的角色。DDR4 UDIMM作为一种常见的内存模块,广泛应用于各种计算机系统。本文将详细介绍16GB (x64, SR) 288 - Pin DDR4 UDIMM的特性、规格以及相关注意事项,为电子工程师在设计中提供参考。

文件下载:MTA8ATF2G64AZ-2G6E1.pdf

二、产品特性

2.1 基本特性

这款DDR4 UDIMM遵循Micron DDR4 UDIMM核心数据表中的定义,支持DDR4的功能和操作。它采用288 - pin的无缓冲双列直插式内存模块(UDIMM)设计,具有快速的数据传输速率,包括PC4 - 2666和PC4 - 3200。容量为16GB(2 Gig x 64),采用单通道设计,数据总线具备数据总线反转(DBI)功能。此外,板载有 (I^{2}) 串行存在检测(SPD)EEPROM,内部有16个存储体,分为4组,每组4个存储体。

2.2 选项与标记

选项 标记
工作温度 - 商业级(0 °C ≤ T_OPER ≤ 95 °C)
封装 - 288 - pin DIMM(无卤) Z
频率/CAS延迟 - 0.625ns @ CL = 22(DDR4 - 3200) -3G2
频率/CAS延迟 - 0.75ns @ CL = 19(DDR4 - 2666) -2G6

三、寻址参数

参数 16GB
行地址 128K A[16:0]
列地址 1K A[9:0]
设备存储体组地址 4 BG[1:0]
每组设备存储体地址 4 BA[1:0]
设备配置 16Gb(2 Gig x 8),16个存储体
模块通道地址 CS0_n

四、型号与时序参数

4.1 不同型号对比

部件编号 模块密度 配置 模块带宽 内存时钟/数据速率 时钟周期(CL - n_RCD - n_RP)
MTA8ATF2G64AZ - 3G2__ 16GB 2 Gig x 64 25.6 GB/s 0.625ns/3200 MT/s 22 - 22 - 22
MTA8ATF2G64AZ - 2G6__ 16GB 2 Gig x 64 21.3 GB/s 0.75ns/2666 MT/s 19 - 19 - 19

4.2 注意事项

部件编号末尾有一个两位代码(未显示),用于指定组件和PCB的版本。如需当前版本代码,需咨询厂家。

五、重要注意事项

5.1 产品变更

Micron保留对产品信息(包括规格和产品描述)进行更改的权利,本文档取代之前提供的所有信息。如果从非授权经销商或其他非Micron授权的来源获取产品,请勿依赖本文档中的信息。

5.2 汽车应用

除非Micron在其数据表中明确指定为汽车级产品,否则这些产品不设计或用于汽车应用。经销商和客户需承担使用非汽车级产品用于汽车应用所产生的所有风险和责任,并赔偿Micron免受相关索赔、成本、损失和费用。

5.3 关键应用

这些产品未经授权用于关键应用(即Micron组件故障可能直接或间接导致人员死亡、人身伤害、严重财产或环境损害的应用)。客户需在应用中纳入安全设计措施,以防止Micron组件故障造成上述危害。若客户或经销商将产品用于关键应用,需赔偿并使Micron及其子公司、分包商、关联公司以及各自的董事、官员和员工免受相关索赔。

5.4 客户责任

客户负责使用Micron产品的系统、应用和产品的设计、制造和操作。所有半导体产品都有固有故障率和有限使用寿命,客户有责任确定Micron产品是否适合其系统、应用或产品,并确保在应用和产品中包含足够的设计、制造和操作保障措施,以消除因半导体组件故障导致的人身伤害、死亡或严重财产和环境损害的风险。

5.5 有限保修

除非Micron正式授权代表签署的书面协议中明确规定,否则Micron不对任何间接、偶然、惩罚性、特殊或后果性损害(包括但不限于利润损失、节省损失、业务中断、产品移除或更换成本或返工费用)承担责任。

六、DQ映射

文档提供了组件到模块的DQ映射表,详细列出了每个组件的DQ与模块DQ以及模块引脚编号的对应关系,这对于工程师在设计电路时准确连接内存模块至关重要。

七、IDD规格

7.1 不同Die版本对比

文档给出了三种Die版本(E、B、F)在不同工作频率(3200和2666)下的DDR4 (I_{DD}) 规格和条件。不同版本在各种电流参数上存在一定差异,例如在16GB(Die Revision E)中,One bank ACTIVATE - PRECHARGE current(IDD0)在3200频率下为480 mA,而在16GB(Die Revision B)中为504 mA。

7.2 温度影响

当 (T{C}>85^{circ}C) 时,(I{DD}) 和 (IPP) 值必须进行降额处理,具体降额值需参考基础设备数据表中适用Die版本的规格表。

八、功能框图

文档提供了功能框图(R/C - A2),并注明每个DDR4组件上的ZQ球连接到一个外部240Ω ±1%的接地电阻,用于组件的ODT和输出驱动器校准。

九、总结

16GB (x64, SR) 288 - Pin DDR4 UDIMM具有多种特性和规格,电子工程师在设计时需要综合考虑这些因素。从基本特性到寻址参数,从型号选择到IDD规格,每个环节都对内存模块的性能和稳定性有着重要影响。同时,务必注意产品的使用范围和相关责任,以确保设计的安全性和可靠性。在实际应用中,你是否遇到过类似内存模块在不同环境下的性能差异问题呢?欢迎在评论区分享你的经验。

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分