电子说
在当今的电子设备中,内存模块的性能和稳定性至关重要。DDR4 SODIMM 作为一种常见的内存类型,广泛应用于笔记本电脑、工业控制等设备。今天我们就来详细解析 Micron 的 8GB (x72, ECC, SR) 260 - Pin DDR4 SODIMM。
此文档中的信息是对 Micron DDR4 SODIMM 核心数据表的补充或替代。该内存模块具有以下显著特点:
| 工作温度范围 | 标记 |
|---|---|
| –40°C ≤ TOPER ≤ 105°C(扩展) | B |
| 260 - pin DIMM(绿色) | Z |
| 频率/CAS 延迟:0.625ns @ CL = 22(DDR4 - 3200) | -3G2 |
| 参数 | 8GB 规格 |
|---|---|
| 行地址 | 64K A[15:0] |
| 列地址 | 1K A[9:0] |
| 设备存储体组地址 | 4 BG[1:0] |
| 每组设备存储体地址 | 4 BA[1:0] |
| 设备配置 | 8Gb(1 Gig x 8),16 个存储体 |
| 模块 rank 地址 | CS0_n |
| 部件编号 | 模块密度 | 配置 | 模块带宽 | 内存时钟/数据速率 | 时钟周期(CL - n RCD - n RP) |
|---|---|---|---|---|---|
| MTA9ASF1G72HBZ - 3G2__ | 8GB | 1 Gig x 72 | 25.6 GB/s | 0.625ns/3200 MT/s | 22 - 22 - 22 |
需要注意的是,数据手册中的基础设备数据可在 micron.com 上查找,且所有部件编号末尾都有一个两位代码(文档未显示),用于指定组件和 PCB 版本,具体版本代码可咨询厂家。
文档提供了组件到模块的 DQ 映射表(适用于 PCB 2450、2974、3219、3239),详细记录了不同组件的 DQ 与模块 DQ 及引脚编号的对应关系。这对于工程师在进行硬件设计时,准确连接和配置内存模块至关重要。例如,U2 组件的 DQ0 对应模块 DQ3,引脚编号为 21。
文档给出了 DDR4 IDD 规格和条件(8GB,Die 版本 E),这些参数是基于 8Gb(1 Gig x 8)组件数据表中的值计算得出的。涵盖了各种工作状态下的电流值,如不同模式下的激活、预充电、读写、刷新等操作的电流,以及不同温度范围下的自刷新电流等。例如,在 3200 频率下,One bank ACTIVATE - PRECHARGE 电流 (I_{DD0}) 为 459 mA。
功能框图展示了内存模块的内部结构和连接方式。需要注意的是,每个 DDR4 组件上的 ZQ 球连接到一个外部 240Ω ±1% 的接地电阻,用于组件的 ODT 和输出驱动器的校准。
文档提供了 260 Pin DDR4 SODIMM 在 PCB 2974 和 PCB 3219 两种情况下的尺寸图。所有尺寸单位为毫米,标注了 MAX/MIN 或典型(TYP)值,公差为 ±0.15mm(除非另有说明),尺寸图仅供参考。
Micron 保留对文档中信息(包括规格和产品描述)进行更改的权利,此文档取代之前提供的所有信息。
除非 Micron 在相应数据表中明确指定为汽车级产品,否则该产品不设计或不适合用于汽车应用。若使用非汽车级产品用于汽车应用,分销商和客户需承担全部风险和责任,并赔偿 Micron 因此产生的所有索赔、成本、损失和费用。
该产品未经授权不得用于关键应用(即 Micron 组件故障可能直接或间接导致死亡、人身伤害、严重财产或环境损害的应用)。客户需在应用中采取安全设计措施,以防止组件故障造成的危害。
客户负责使用 Micron 产品的系统、应用和产品的设计、制造和操作。所有半导体产品都有固有故障率和有限使用寿命,客户有责任确定 Micron 产品是否适合其系统、应用或产品,并确保应用和产品中包含足够的设计、制造和操作保障措施。
除非 Micron 正式授权代表签署的书面协议中明确规定,否则 Micron 不对任何间接、偶然、惩罚性、特殊或后果性损害负责。
在实际的电子设计中,工程师们需要仔细研究这些参数和注意事项,以确保内存模块的正确使用和系统的稳定性。大家在使用这款内存模块时,有没有遇到过什么特殊的问题呢?欢迎在评论区分享。
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