64GB (x72, ECC, DR) 288 - Pin DDR4 LRDIMM 技术解析

一、引言

在当今的电子设备中，内存模块的性能和稳定性至关重要。Micron 的 64GB (x72, ECC, DR) 288 - Pin DDR4 LRDIMM 以其出色的性能和特性，成为众多应用场景的理想选择。本文将详细解析该内存模块的特点、规格和注意事项，为电子工程师在设计中提供参考。

文件下载：MTA36ASF8G72LZ-2G9B1.pdf

二、产品特性

2.1 基本功能支持

该 LRDIMM 支持 DDR4 组件数据手册中定义的功能和操作，同时遵循 Micron DDR4 LRDIMM 核心数据手册中的特性和规格。

2.2 物理特性

• 引脚与类型：采用 288 引脚，是命令/地址/控制注册、数据缓冲双列直插式、负载降低内存模块（LRDIMM）。
• 数据传输速率：具备快速的数据传输速率，支持 PC4 - 3200 和 PC4 - 2933。
• 容量与架构：拥有 64GB（4 Gig x 72）的容量，采用双 rank 架构，内部有 16 个 bank，分为 4 组，每组 4 个 bank。

2.3 不同频率选项

频率/CAS 延迟	标记
0.625ns @ CL = 22 (DDR4 - 3200)	-3G2
0.682ns @ CL = 21 (DDR4 - 2933)	-2G9

三、寻址参数

参数	64GB
行地址	256K A[17:0]
列地址	1K A[9:0]
设备 bank 组地址	4 BG[1:0]
每组设备 bank 地址	4 BA[1:0]
设备配置	16Gb (4 Gig x 4), 16 banks
模块 rank 地址	2 CS_n[1:0]

四、部件编号与时序参数

部件编号	模块密度	配置	模块带宽	内存时钟/数据速率	时钟周期 (CL - n RCD - n RP)
MTA36ASF8G72LZ - 3G2__	64GB	8 Gig x 72	25.6 GB/s	0.625ns/3200 MT/s	22 - 22 - 22
MTA36ASF8G72LZ - 2G9__	64GB	8 Gig x 72	23.47 GB/s	0.682ns/2933 MT/s	21 - 21 - 21

需要注意的是，所有部件编号末尾都有一个两位代码（未显示），用于指定组件和 PCB 版本，具体版本代码可咨询厂家。

五、DQ 映射

文档提供了组件到模块的 DQ 映射表，分别列出了正面（Table 3）和背面（Table 4）的映射关系。这对于工程师在设计 PCB 布线和信号传输时非常重要，能够确保数据的准确传输。

六、IDD 规格

参数	符号	3200	2933	单位
一个 bank 激活 - 预充电电流	I DD0	1854	1836	mA
一个 bank 激活 - 预充电、字线升压、I PP 电流	I PP0	126	126	mA
一个 bank 激活 - 读取 - 预充电电流	I DD1	2034	2016	mA
预充电待机电流	I DD2N	1872	1836	mA
预充电待机 ODT 电流	I DD2NT	1782	1764	mA
预充电掉电电流	I DD2P	1548	1548	mA
预充电安静待机电流	I DD2Q	1692	1692	mA
活动待机电流	I DD3N	2808	2772	mA
活动待机 I PP 电流	I PP3N	108	108	mA
活动掉电电流	I DD3P	2484	2448	mA
突发读取电流	I DD4R	3870	3726	mA
突发写入电流	I DD4W	3726	3600	mA
不同逻辑 rank 突发刷新电流 (1x REF)	I DD5R	2196	2178	mA
不同逻辑 rank 突发刷新 I PP 电流 (1x REF)	I PP5R	144	144	mA
自刷新电流：正常温度范围 (0°C 到 85°C)	I DD6N (0–85°C)	2412	2412	mA
自刷新电流：扩展温度范围 (0°C 到 95°C)	I DD6E (0–95°C)	4356	4356	mA
自刷新电流：降低温度范围 (0°C 到 45°C)	I DD6R (0–45°C)	1044	1044	mA
自动自刷新电流 (25°C)	I DD6A (25°C)	360	360	mA
自动自刷新电流 (45°C)	I DD6A (45°C)	1044	1044	mA
自动自刷新电流 (75°C)	I DD6A (75°C)	2196	2196	mA
自动自刷新电流 (95°C)	I DD6A (95°C)	4356	4356	mA
自动自刷新 I PP 电流 (0°C 到 95°C)	I PP6X	396	396	mA
银行交错读取电流	I DD7	5058	4932	mA
银行交错读取 I PP 电流	I PP7	252	252	mA
最大掉电电流	I DD8	1440	1440	mA

所有 IDD 值是在一个封装 rank 处于活动 I (lOD) 条件，所有其他封装 rank 处于 IDD2P 或 IPP3N 条件下计算得出的。

七、功能框图

文档中的功能框图展示了该 LRDIMM 的内部结构。每个 DDR4 组件的 ZQ 球连接到一个外部 240Ω ±1% 电阻，该电阻接地，用于组件的 ODT 和输出校准。

八、重要注意事项和警告

8.1 产品变更

Micron 保留对文档中信息（包括规格和产品描述）进行更改的权利，本文件取代之前提供的所有信息。如果从非授权经销商或其他非 Micron 授权的来源获得产品，请勿依赖本文件中的信息。

8.2 汽车应用

除非 Micron 在其数据手册中明确指定为汽车级产品，否则该产品不设计或不适合用于汽车应用。如果将非汽车级产品用于汽车应用，经销商和客户需承担全部风险和责任，并赔偿 Micron 因产品责任、人身伤害、死亡或财产损失等相关的所有索赔、费用、损失和合理的律师费。

8.3 关键应用

该产品未经授权不得用于关键应用（即 Micron 组件故障可能直接或间接导致死亡、人身伤害、严重财产或环境损害的应用）。客户必须在应用中纳入安全设计措施，以防止因 Micron 组件故障导致的危害。如果客户或经销商将产品用于关键应用，需赔偿并使 Micron 及其子公司、分包商、关联公司以及各自的董事、官员和员工免受因关键应用产生的所有索赔、费用、损失和合理的律师费。

8.4 客户责任

客户负责使用 Micron 产品的系统、应用和产品的设计、制造和操作。所有半导体产品都有固有的故障率和有限的使用寿命，客户有责任确定 Micron 产品是否适合其系统、应用或产品，并确保在应用和产品中包含足够的设计、制造和操作保障措施，以消除因半导体组件故障导致的人身伤害、死亡或严重财产和环境损害的风险。

8.5 有限保修

除非 Micron 正式授权代表签署的书面协议中明确规定，否则 Micron 不对任何间接、偶然、惩罚性、特殊或后果性损害（包括但不限于利润损失、节省损失、业务中断、产品移除或更换成本或返工费用）承担责任。

九、总结

Micron 的 64GB (x72, ECC, DR) 288 - Pin DDR4 LRDIMM 是一款性能出色的内存模块，在数据传输速率、容量和稳定性方面都有良好表现。但电子工程师在设计过程中，需要充分考虑其特性、规格以及相关的注意事项，确保产品在不同应用场景下的可靠性和安全性。大家在实际设计中，是否遇到过类似内存模块的应用难题呢？欢迎交流分享。