RoHS合规4GB DDR3 SDRAM SO - DIMM产品解析

在电子设备的世界里，内存模块是至关重要的组成部分。今天我们要深入探讨的是Apacer的78.B2GCJ.4010C 4GB DDR3 SDRAM SO - DIMM，这是一款符合RoHS标准的高性能内存模块。

文件下载：78.B2GCJ.4010C.pdf

一、产品概述

Apacer 78.B2GCJ.4010C是一款512M x 64的DDR3 SDRAM（同步动态随机存取存储器）SO - DIMM。它由16个256M x 8位、8个存储体的DDR3同步DRAM（采用BGA封装）和一个2K EEPROM组成。该模块为204引脚的小外形双列直插式内存模块，设计用于安装到连接器插座中，并且在印刷电路板上为每个DDR3 SDRAM都安装了去耦电容。

二、订购信息

部件编号	带宽	速度等级	最大频率	CAS延迟
78.B2GCJ.4010C	12.8 GB/sec	1600 Mbps	800 MHz	CL11

从这些数据中我们可以看出，该模块具备较高的数据传输带宽和速度，能够满足大多数设备的高速运行需求。大家在选择内存模块时，这些参数是需要重点考虑的，你觉得哪个参数对你的设计影响最大呢？

三、关键参数

不同的DDR3速度等级对应着不同的关键参数，如下表所示：	MT/s	DDR3 - 1066	DDR3 - 1333	DDR3 - 1600	单位
等级	-CL7	-CL9	-CL11
tCK (min)	1.875	1.5	1.25	ns
CAS延迟	7	9	11	tCK
tRCD (min)	13.125	13.5	13.75	ns
tRP (min)	13.125	13.5	13.75	ns
tRAS (min)	37.5	36	35	ns
tRC (min)	50.625	49.5	48.75	ns
CL - tRCD - tRP	7 - 7 - 7	9 - 9 - 9	11 - 11 - 11	tCK

这些参数反映了内存的读写速度和时序特性，在设计中合理选择合适的速度等级和参数，能够优化系统的性能。你在实际设计中，是如何根据这些参数来选择内存模块的呢？

四、规格参数

1. 基本规格

• 无DIMM上热传感器。
• 组织形式为512字 x 64位，2个存储体。
• 集成16个2G位的DDR3 SDRAM，采用FBGA封装。
• 204引脚插座式小外形双列直插式内存模块（SO - DIMM）。
• PCB高度30.0mm，引脚间距0.6mm，无铅（符合RoHS标准）。

2. 电源与接口

• 电源VDD为1.5V ± 0.075V。
• 具备串行存在检测（SPD）功能。
• 有8个内部存储体用于并发操作。
• 接口为SSTL_15。

3. 操作特性

• 突发长度（BL）为8和4，支持突发截断（BC）。
• CAS延迟（CL）可设置为6、7、8、9、10、11。
• CAS写延迟（CWL）可设置为5、6、7、8。
• 支持每个突发访问的自动预充电选项。
• 支持自动刷新/自刷新，在(0^{circ} C ≤TC leq+85^{circ} C)时刷新周期为7.8 us。

五、产品特性

1. 高速数据传输

采用双数据速率架构，每个时钟周期进行2次数据传输，通过8位预取流水线架构实现高速数据传输。

2. 数据捕获与时钟输入

• 双向差分数据选通（DQS和 /DQS）与数据一起传输/接收，用于在接收器处捕获数据。
• DQS在读取时与数据边缘对齐，在写入时与数据中心对齐。
• 采用差分时钟输入（CK和 /CK）。
• DLL使DQ和DQS转换与CK转换对齐。

3. 其他特性

• 数据掩码（DM）用于写入数据。
• 通过可编程附加延迟实现Posted CAS，提高命令和数据总线效率。
• 片上终端（ODT）用于改善信号质量，支持同步ODT/动态ODT/异步ODT。
• 多功能寄存器（MPR）用于温度读取。
• ZQ校准用于DQ驱动和ODT。
• 可编程部分阵列自刷新（PASR）。
• /Reset引脚用于上电序列和复位功能。
• SRT范围：正常/扩展，自动/手动自刷新。
• 可编程输出驱动器阻抗控制。

六、引脚分配与描述

1. 引脚分配

该模块有204个引脚，详细的引脚分配表格列出了每个引脚的编号和名称，工程师可以根据这些信息进行电路连接和设计。

2. 引脚描述

引脚名称	描述
Ax*	SDRAM地址总线
BAx	SDRAM存储体选择
DQx	DIMM内存数据总线
/RAS	SDRAM行地址选通
/CAS	SDRAM列地址选通
/WE	SDRAM写使能
/CSx	SDRAM芯片选择线
CKEx	SDRAM时钟使能线
CKx	SDRAM时钟输入
/CKx	SDRAM差分时钟输入
DQSx	SDRAM数据选通（差分对的正线）
/DQSx	SDRAM数据选通（差分对的负线）
DMx	SDRAM输入掩码
SCL	串行PD的时钟输入
SDA	串行PD的数据输入/输出
SAx	串行地址输入
VDD	内部电路电源
VDDSPD	串行EEPROM正电源
VREFDQ	SDRAM I/O参考电源
VREFCA	SDRAM命令/地址参考电源
VSS	电源返回（地）
VTT	SDRAM I/O终端电源
/RESET	将DRAM设置为已知状态
ODTx	片上终端控制线
NC	备用引脚（无连接）
/EVENT	热传感器的输出，用于指示模块临界温度

七、绝对最大额定值与工作温度范围

1. 绝对最大额定值

参数	符号	描述	单位
VDD引脚相对于Vss的电压	VDD	- 0.4 V ~ 1.975 V	V
VDDQ引脚相对于Vss的电压	VDDQ	- 0.4 V ~ 1.975 V	V
任何引脚相对于Vss的电压	VIN, VOUT	- 0.4 V ~ 1.975 V	V
存储温度	TSTG	-55 to +100	℃

需要注意的是，超过绝对最大额定值的应力可能会对设备造成永久性损坏，并且长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响可靠性。

2. DRAM组件工作温度范围

符号	参数	额定值	单位	备注
TOPER	正常工作温度范围	0 to 85	℃	1,2
扩展温度范围	85 to 95	℃	1,3

在扩展温度范围（85℃ - 95℃）工作时，需要将刷新命令频率加倍，将刷新间隔tREFI降低到3.9 µs；如果需要在该范围进行自刷新操作，必须使用具有扩展温度范围能力的手动自刷新模式，此时IDD6电流可能比正常温度范围增加10% - 20%。

八、操作条件

推荐的DDR3（1.5V）直流操作条件如下：	符号	参数	最小值	典型值	最大值	单位
VDD	电源电压	1.425	1.5	1.575	V
VDDQ	输出电源电压	1.425	1.5	1.575	V

同时要注意，在所有条件下VDDQ必须小于或等于VDD，并且VDDQ跟随VDD变化，交流参数是在VDD和VDDQ连接在一起时测量的。

综上所述，Apacer的这款4GB DDR3 SDRAM SO - DIMM在性能、规格和特性方面都有出色的表现，能够满足多种电子设备的内存需求。在实际设计中，电子工程师需要根据具体的应用场景和需求，合理选择和使用该模块，以实现最佳的系统性能。你在使用类似内存模块时，遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。