安森美扩军NVIDIA MGX生态

近期，安森美（onsemi，纳斯达克：ON）宣布进一步扩大在NVIDIA MGX™生态系统中的角色，为下一代AI数据中心及加速计算平台提供覆盖全功率链路的先进电源解决方案。这是安森美继2025年7月与英伟达联手推动800V直流（800VDC）供电架构转型后，在AI基础设施电源领域的又一次战略升级。

随着超大规模云服务商及企业用户竞相构建更强大的AI基础设施，行业分析人士预计，AI机架的功率需求不久将超过每机架1MW。英伟达已明确宣布，自2027年起率先推动机架电源从传统54V直流向800V高压直流转变，以支撑兆瓦级及以上IT机架。传统54V机架配电系统专为千瓦级设计，当机架功率突破200千瓦后，空间受限、铜缆过载、散热困难等问题接踵而至。电力输送正被行业分析师视为AI时代的决定性制约因素——哪怕小幅能效提升，在规模化数据中心下也能带来巨额运营成本削减。以英伟达NVL72 Power Rack为例，单机架节省0.33%的损耗（约3W），在3000台规模下每年可削减约165万美元电费。

NVIDIA MGX是英伟达推出的模块化服务器参考架构，支持OEM和ODM以"积木式"方式快速构建从单节点到机架级AI工厂的多样化系统，提供超过100种模块化设计组合，并确保多代硬件兼容。安森美提供的技术贯穿MGX生态系统电能转换的各个环节，直接为英伟达及MGX生态合作伙伴供应电源解决方案，涵盖三大关键模块：

模块	功能定位
电源供应单元（PSU）	从电网到机柜的核心电力转换
电池备份单元（BBU）	保障AI负载不间断运行
800VDC配电板（PDB）	支撑MGX模块化设计的高压配电枢纽

安森美智能感知、模拟与混合信号事业群总裁Sudhir Gopalswamy表示："随着AI应用、代理式AI（Agentic AI）以及推理复杂性的爆发式增长，AI计算需求呈指数级上升。以800VDC为代表的高压架构对于AI基础设施规模化至关重要，不仅可将功率密度提升至每机架1MW以上，同时还能提升能效，降低部署成本和系统复杂度。"

三大技术路线并举：Si + SiC + GaN

安森美在硅（Si）、碳化硅（SiC）及氮化镓（GaN）三条技术路线上均具备内部制造能力，这为供应链韧性提供了关键保障：

• 硅基方案 ：T10 PowerTrench®系列专为DC-DC功率转换级大电流场景设计，导通电阻RDS(on)小于1毫欧，配合EliteSiC 650V MOSFET可将数据中心电力损耗降低约1%，全球实施每年可减少约10太瓦时能耗。
• 碳化硅（SiC）方案 ：在800VDC架构中，固态变压器（SST）需耐压2300V至6500V甚至更高的SiC MOSFET，安森美凭借车规级800V电池系统积累的经验，已具备快速响应AI服务器市场的能力。SiC器件在高压高频工况下开关损耗较硅基IGBT降低一个数量级，是供电链路实现端到端效率提升约5%的关键基础。
• 氮化镓（GaN）方案 ：在机柜内部板载电源中，GaN用于提升效率和功率密度，兆瓦级DC-DC模块的GaN器件用量可超1000颗。

目前安森美相关技术已应用于现有MGX系统，并在功率场效应晶体管（FET）、多相供电方案、SiC JFET及GaN技术等领域拥有不断增长的机会。

不止于AI数据中心：一套架构辐射多行业

安森美与英伟达MGX生态的合作，其影响不仅局限于AI数据中心。为AI"工厂"打造的高密度电源架构，未来还将影响汽车、工业应用的设计——这些行业同样对能效、热管理及系统可靠性有着极高要求。在功率半导体行业2026年开年以来迎来密集涨价潮、AI数据中心成为最大推手的背景下，安森美凭借内部制造能力与全链路技术储备，已在这场AI基础设施的电力军备竞赛中占据关键位置。