IGBT背面DBC区域弱短路热点定位分析

样品描述

本次分析对象为 IGBT 样品。与以往主要观察内部芯片结构的测试需求不同，本次测试重点转向样品背面的 DBC 区域，目标是通过电性测试与热成像观察，对异常位置进行初步定位和分析。

IV 测试

样品未提供明确的异常电性特征，仅给出了测试条件：电压范围为 0~25 V，限流设置为 1 mA。基于上述条件，首先对样品进行 IV 曲线测试，以确认当前样品的电性状态。

图1 IV 曲线

从测试结果来看，样品呈现明显的短路状态。但与常见短路样品相比，该样品阻值相对较大，表现为弱短路特征。

热点测试

由于样品尺寸较大，测试初期先使用广角镜头对样品背面进行整体观察，以便快速判断是否存在明显发热点。

图2 样品在广角镜头下的热点情况

在测试过程中，当施加电压达到 18 V 时，样品电流约为 700 μA。此时在被测样品的塑封区域发现一处较为集中的热点区域，因此进一步对该位置进行放大观察。

图3 热点在 1 倍镜头下的热点情况

在 1 倍倍率下观察时，热点位置已经较为清晰。随后对该区域进行进一步测量，以提高定位准确性。

图4 样品在 1 倍镜头下的热点位置测量

测量完成后，继续提高观察倍率，对热点区域进行更细致的定位分析。

图5 热点在 3 倍镜头下的热点情况

在更高倍率下，热点位置得到了更加精准的定位。但从样品外观来看，当前未发现明显异常，初步判断异常来源可能位于样品内部结构。后续可结合开封、截面或进一步失效分析手段，对该热点对应区域进行验证。

审核编辑 黄宇