BQ25616/616J:高效单节电池充电器的技术解析与应用

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描述

BQ25616/616J:高效单节电池充电器的技术解析与应用

在电子设备飞速发展的今天,电池充电管理技术显得尤为重要。BQ25616/616J作为一款高度集成的3A开关模式电池充电管理和系统电源路径管理设备,为单节锂离子和锂聚合物电池提供了卓越的解决方案。本文将深入剖析BQ25616/616J的各项特性、功能以及应用设计,为电子工程师们提供全面的技术参考。

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一、产品概述

BQ25616/616J主要用于单节锂离子和锂聚合物电池,集成了输入反向阻断FET(RBFET)、高端开关FET(HSFET)、低端开关FET(LSFET)和电池FET(BATFET),以及用于高端栅极驱动的自举二极管。其低阻抗电源路径优化了开关模式操作效率,减少了电池充电时间,并在放电阶段延长了电池续航时间。

产品特性

  1. 高效充电:采用1.5MHz同步开关模式降压充电器,在5V输入、2A充电电流下,充电效率高达92%。
  2. 精准调控:具备±0.5%的充电电压调节精度,充电电压可通过VSET引脚调节,支持4.1V、4.2V和4.35V,调节精度为±0.4%;充电电流调节精度为±6%,输入电流调节精度为±7.5%。
  3. 温度保护:支持JEITA(BQ25616J)或Hot/Cold(BQ25616)温度传感曲线,内置10小时充电安全定时器。
  4. USB OTG功能:支持USB On-The-Go(OTG),5V升压转换器输出电流可达1.2A,1A输出时升压效率为92%,且具有精确的恒流(CC)限制。
  5. 宽输入范围:单输入支持USB输入、高压适配器或无线电源,输入电压范围为4V至13.5V,绝对最大输入额定值为22V,具备130ns快速关断输入过压保护,可选外部OVPFET,可承受高达30V的输入电压。
  6. 低功耗设计:低 (R_{DSON}) 19.5 - mΩ BATFET可最大限度减少充电损耗,延长电池续航时间;系统待机时电池泄漏电流低至9.5μA。
  7. 安全认证:获得IEC 62368 - 1 CB认证。

二、应用领域

BQ25616/616J适用于多种电子设备,包括电子销售点(EPOS)设备、无线扬声器、工业和医疗便携式电子产品等。其高性能和高集成度特点,使其能够满足不同应用场景的需求。

三、详细功能解析

(一)电源启动与模式

  1. 上电复位(POR):设备从VBUS和BAT中较高的电压为内部偏置电路供电。当 (V{VBUS}) 高于 (V{VBUSUVLOZ}) 或 (V{BAT}) 高于 (V_{BAT_UVLOZ}) 时,睡眠比较器、电池耗尽比较器和BATFET驱动器激活。
  2. 仅电池供电启动:若只有电池且电压高于耗尽阈值( (V_{BATDPLZ}) ),BATFET导通,将电池连接到系统。REGN关闭以最小化静态电流,低 (R{DSON}) 的BATFET和低静态电流可减少传导损耗,延长电池续航时间。
  3. 输入源供电启动:插入输入源时,设备检查输入源电压,开启REGN LDO和所有偏置电路,检测并设置输入电流限制后启动降压转换器。启动顺序包括:开启ACFET(可选)、开启REGN LDO、进行不良源鉴定、通过D + /D - 检测输入源类型以设置默认输入电流限制(IINDPM阈值)、设置输入电压限制阈值(VINDPM阈值)、启动转换器。

(二)充电模式

  1. 降压模式:设备采用高效的1.5MHz降压开关调节器,固定频率振荡器可在各种输入电压、电池电压、充电电流和温度条件下严格控制开关频率,简化输出滤波器设计。默认支持PFM操作,以实现系统电压调节期间的快速瞬态响应和更好的轻载效率。
  2. 升压模式:支持升压转换器操作,可将电池的电力通过USB端口传输到其他便携式设备。输出电压稳定在5V,输出电流可达1.2A,具有恒流调节功能。启动升压模式需满足OTG引脚为高、VBUS小于 (V{BAT}+V{SLEEP}) 、TS引脚电压在可接受范围内、延迟30ms且无故障等条件。

(三)电源路径管理

  1. 窄VDC架构:当电池电压低于最小系统电压设置时,BATFET工作在线性模式(LDO模式),系统电压通常比最小系统电压设置高180mV。当电池电压高于最小系统电压时,BATFET完全导通,系统与电池之间的电压差为BATFET的 (V_{DS}) 。
  2. 动态功率管理(DPM):为满足USB规范中的最大电流限制并避免适配器过载,设备采用DPM功能,持续监控输入电流和输入电压。当输入源过载时,设备会降低充电电流,若充电电流降至零仍过载,系统电压开始下降,此时设备自动进入补充模式,BATFET导通,电池开始放电,以支持系统运行。
  3. 补充模式:当系统电压低于电池电压时,BATFET导通,其栅极电压被调节,使低电流时BATFET的 (V{DS}) 保持在30mV,防止进入和退出补充模式时产生振荡。随着放电电流增加,BATFET栅极电压升高以降低 (R{DSON}) ,直到完全导通。当电池低于电池耗尽阈值时,BATFET关闭,退出补充模式。

(四)电池充电管理

  1. 自主充电周期:当电池充电启用(CE引脚为低)时,设备自动完成充电周期。充电参数包括充电电压(通过VSET引脚设置)、充电电流(通过ICHG引脚设置)、预充电电流(为充电电流的5%)、终止电流(为充电电流的5%)、温度曲线(BQ25616J为JEITA,BQ25616为Hot/Cold)和安全定时器(10小时)。当充电电流低于终止阈值、电池电压高于再充电阈值且设备不在DPM模式或热调节模式时,充电周期自动终止。当充满电的电池放电到再充电阈值以下时,设备自动开始新的充电周期。
  2. 电池充电曲线:设备分五个阶段对电池进行充电:电池短路、预调节、恒流、恒压和顶部涓流充电。根据电池电压,调节充电电流和电压。
  3. 充电终止:当电池电压高于再充电阈值且电流低于终止电流时,充电周期终止。充电完成后,BATFET关闭,STAT引脚置高表示充电完成。若设备处于IINDPM/VINDPM调节或热调节模式,实际充电电流可能小于终止值,此时终止暂时禁用。
  4. 热敏电阻鉴定:设备通过TS引脚的单个热敏电阻输入监控电池温度。BQ25616J遵循JEITA指南,在特定温度范围内调整充电电流和电压;BQ25616提供简单的Hot/Cold温度窗口。在升压模式下,设备监控电池温度,当温度超出 (V{BCOLD}) 和 (V{BHOT}) 阈值时,暂停升压模式。
  5. 充电安全定时器:设备内置安全定时器,防止因电池异常导致的长时间充电。电池低于 (V_{BATLOW}) 阈值时,安全定时器为2小时;高于该阈值时,为10小时。安全定时器到期时,STAT引脚以1Hz闪烁报告故障。在IINDPM/VINDPM调节或热调节模式下,安全定时器计数速度减半。当出现导致充电暂停的故障时,安全定时器暂停,故障消除后恢复。

(五)状态输出与保护功能

  1. 状态输出:PG引脚在输入源良好时置低;STAT引脚指示充电状态,充电进行中为低,充电完成或禁用为高,充电暂停(如输入过压、TS故障、安全定时器故障或系统过压)时以1Hz闪烁。
  2. 保护功能
    • 输入电流限制:当D + /D - 检测到未知适配器时,通过ILIM引脚设置最大输入电流。
    • 过压保护:包括输入过压保护(ACOV)和系统过压保护(SYSOVP),可防止过高电压损坏设备。
    • 热调节和热关断:监控内部结温,当结温超过热调节限制(110°C)时,降低充电电流;当结温超过热关断阈值(150°C)时,关闭转换器和BATFET,结温降至130°C时恢复。
    • 电池保护:包括电池过压保护(BATOVP)、电池过放电保护和系统过流保护,可保护电池免受损坏。

四、应用设计

(一)典型应用

BQ25616/616J可配置为独立的电源路径管理设备和单节电池充电器,适用于智能手机和其他便携式设备。外部ACFET可选,不使用外部OVP时,可将VBUS和VAC引脚短路,让ACDRV引脚浮空。

(二)设计步骤

以无外部OVP的应用为例,设计步骤如下:

  1. 电感选择:1.5MHz开关频率允许使用较小的电感和电容值。电感饱和电流应高于充电电流(ICHG)加上一半的纹波电流(IRIPPLE),电感纹波电流通常设计在最大充电电流的20% - 40%之间。
  2. 输入电容和电阻:输入电容应提供足够的纹波电流额定值,以吸收输入开关纹波电流。建议使用低ESR陶瓷电容,如X7R或X5R,并将其尽可能靠近高端MOSFET的漏极和低端MOSFET的源极放置。在升压模式下,当输出电流超过700mA时,建议在VBUS上使用10kΩ下拉电阻。
  3. 输出电容:输出电容应具有足够的纹波电流额定值,以吸收输出开关纹波电流。充电器设备针对大于10μF的陶瓷输出电容进行了内部环路补偿优化,建议使用10V额定的X7R或X5R陶瓷电容。

五、布局指南

为了实现最小的开关损耗,应尽量减小开关节点的上升和下降时间。合理布局组件,以最小化高频电流路径环路,防止电场和磁场辐射以及高频谐振问题。具体布局步骤如下:

  1. 将输入电容尽可能靠近PMID引脚和GND引脚连接,并使用最短的铜迹线连接或GND平面。添加一个1nF的小尺寸(如0402或0201)去耦电容,以过滤高频噪声并改善EMI。
  2. 将电感输入引脚尽可能靠近SW引脚,减小该迹线的铜面积以降低电场和磁场辐射,但要确保迹线足够宽以承载充电电流。避免使用多层并联连接,减小该区域与其他迹线或平面的寄生电容。
  3. 将输出电容放置在电感和设备附近,接地连接应通过短铜迹线连接或GND平面连接到IC接地。
  4. 分别布线模拟地和电源地,使用散热垫作为单一接地连接点将模拟地和电源地连接在一起,或使用0Ω电阻将模拟地连接到电源地。
  5. 使用单一接地连接将充电器电源地连接到充电器模拟地,位于设备下方。使用接地铜浇铸,但避免电源引脚,以减少电感和电容噪声耦合。
  6. 在IC引脚旁边放置去耦电容,并使迹线连接尽可能短。
  7. 确保设备封装背面的暴露散热垫焊接到PCB接地,并确保IC下方有足够的热过孔连接到其他层的接地平面。
  8. 确保过孔的数量和尺寸允许给定电流路径有足够的铜。

六、总结

BQ25616/616J凭借其高效的充电性能、精准的调控能力、完善的保护机制和灵活的应用设计,为单节锂离子和锂聚合物电池的充电管理提供了可靠的解决方案。电子工程师在设计相关产品时,可根据具体需求合理选择和应用该设备,以实现产品的高性能和高可靠性。同时,在实际应用中,还需注意布局和设计细节,以充分发挥设备的优势。大家在使用BQ25616/616J过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享交流。

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