Vishay 3KDFN12A - 3KDFN24A 瞬态电压抑制器：电子电路保护的得力助手

在电子设备的设计中，瞬态电压抑制器（TVS）是保护敏感电子元件免受电压瞬变影响的关键器件。Vishay General Semiconductor 的 3KDFN12A 至 3KDFN24A 系列表面贴装 TRANSZORB® 瞬态电压抑制器，凭借其出色的性能和特性，成为众多电子应用中的理想选择。

文件下载：3kdfn12athru3kdfn24a.pdf

产品特性

封装优势

• 低外形封装：典型高度仅 0.88mm，适合对空间要求较高的应用场景，能有效节省电路板空间。
• 无卤环保：符合环保要求，满足现代电子设备对绿色环保的需求。
• 可侧焊的无引脚 DFN 封装：侧面可焊的特性使其适合自动光学检测（AOI），便于自动化生产，提高生产效率。

电气性能

• 单向设计：采用单向设计，具有出色的钳位能力，能有效抑制电压瞬变，保护电子元件。
• 高脉冲功率：峰值脉冲功率可达 3000W（10/1000 μs），能够承受较大的瞬态能量冲击。
• 宽工作温度范围：工作结温和存储温度范围为 -65°C 至 +175°C，适应各种恶劣的工作环境。

其他特性

• 优化的结钝化设计：采用钝化各向异性整流器技术，提高了器件的可靠性和稳定性。
• 符合 MSL 1 级标准：满足 J-STD-020 标准，LF 最大峰值为 260°C，确保在回流焊过程中器件的性能不受影响。
• 兼容 SMPC（TO - 277A）封装外形：方便在不同的电路板设计中进行替换和升级。

主要参数

参数	数值
击穿电压 (V_{BR})	12V - 24V
工作电压 (V_{WM})	10.2V - 20.5V
峰值脉冲功率 (P_{PPM})（10 x 1000 μs）	3000W
最大结温 (T_{J max})	175°C
极性	单向
封装	DFN6546A
电路配置	单路

典型应用

该系列产品广泛应用于各种敏感电子设备的保护，可有效抵御由感性负载开关和雷击引起的电压瞬变。具体应用场景包括消费电子、计算机、工业、医疗和电信等领域的集成电路（IC）、MOSFET 和传感器单元的信号线保护。

机械数据

外壳

采用 DFN6546A 封装，模塑化合物符合 UL 94 V - 0 阻燃等级，型号后缀为 -M3 的产品为无卤、符合 RoHS 标准的工业级产品。

引脚

引脚采用哑光镀锡处理，可焊性符合 J - STD - 002 和 JESD 22 - B102 标准。后缀为 M3 的产品符合 JESD 201 2 级晶须测试。

极性标识

通过色带表示阴极端，散热片为阳极。

电气特性

在 (T{A}=25^{circ}C) 的条件下，不同型号的产品具有不同的电气参数，包括击穿电压、反向漏电流、钳位电压等。例如，3KDFN12A 的击穿电压 (V{BR}) 为 12.0V（典型值），工作电压 (V{WM}) 为 10.2V，最大反向漏电流 (I{R}) 为 50μA（(T{J}=150^{circ}C) 时），最大钳位电压 (V{C}) 为 16.7V。

热特性

热阻

• 结到环境的热阻 (R_{θJA})：典型值为 76°C/W，最大值为 95°C/W。
• 结到安装面的热阻 (R_{θJM})：典型值为 0.95°C/W，最大值为 1.19°C/W。

静电放电抗扰度

符合 IEC 61000 - 4 - 2 标准，接触放电和空气放电的静电放电抗扰度均为 30kV。

订购信息

产品的订购信息包括器件代码、峰值脉冲功率额定值、封装类型、标称击穿电压、击穿电压公差和极性、质量等级以及材料/环境类别等。例如，3KDFN12A - M3/H 表示峰值脉冲功率为 3000W，DFN 封装，标称击穿电压为 12V，公差为 ±5%，单向，AEC - Q101 合格，无卤、符合 RoHS 标准且引脚无铅的产品。

总结

Vishay 的 3KDFN12A 至 3KDFN24A 系列瞬态电压抑制器以其出色的性能、环保的设计和广泛的应用场景，为电子工程师提供了可靠的电压瞬变保护解决方案。在实际设计中，工程师可以根据具体的应用需求，选择合适的型号，确保电子设备的稳定性和可靠性。大家在使用这类产品时，有没有遇到过什么特殊的问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享交流。