22nm！宏芯宇自研UFS 2.2主控HG2325正式发布

电子发烧友网综合报道 日前，宏芯宇（HOSINGLOBAL）在台北国际电脑展上推出自研 UFS 2.2 嵌入式闪存主控芯片 HG2325。该芯片采用 22nm 成熟制程，内置大容量 SRAM 缓存，搭载自研 4KB LDPC 硬件纠错引擎，可适配主流 3D TLC/QLC NAND 闪存，闪存接口速率最高支持 1600MT/s。
 
宏芯宇的发展历程，是国内半导体产业自主创新浪潮的一个缩影。公司成立于 2018 年，彼时全球半导体产业格局动荡，产业链本土化替代需求愈发迫切，一批由行业资深从业者联合产业资本打造的本土企业应运而生。创始人吴奕盛拥有 25 年以上存储行业从业经验，曾任国产存储龙头佰维存储董事。他携手存储主控芯片设计大厂群联电子联合创办宏芯宇，企业核心业务聚焦存储芯片及相关产品研发应用。宏芯宇总部坐落于深圳，在深圳、合肥、上海、杭州、厦门等地均设有研发中心，现有员工 1400 余人，研发人员占比超 60%，累计取得专利认证 900 余项。
 
区别于高端存储芯片一味追逐先进制程的研发思路，HG2325 以成熟工艺、性能稳定、全域适配为核心定位。依托 22nm 成熟制程，产品在成本、良率与稳定性之间实现最优平衡，高度契合消费级终端规模化量产需求，规避了先进制程良率偏低、成本高昂、适配周期长等行业痛点。
 
性能方面，搭载 HG2325 的 UFS 存储模块表现亮眼：512GB 版本下，顺序读取速度可达 1060MB/s，顺序写入速度达 975MB/s。UFS 2.2（HS-Gear3 × 2 lanes）理论接口带宽上限约 1450MB/s，HG2325 512GB 模组的顺序读写性能已十分接近协议理论峰值。
 
此次亮相的 HG2325 并非单一产品，而是宏芯宇全栈存储解决方案战略的重要组成部分。该主控兼容高通、联发科、紫光展锐等主流 SoC 平台，支持 64GB 至 1TB 全容量规格，可灵活适配不同定位的终端设备。广泛的平台兼容性大幅降低了客户研发门槛，也进一步推动产业链协同创新。
 
展会现场，宏芯宇还同步展出 PCIe Gen5 x4 SSD、DDR5-5600 RDIMM、车规级嵌入式闪存等全系列产品。完整的产品矩阵，彰显出公司覆盖消费电子、汽车电子、移动存储、企业级存储的全场景布局实力。其中在车规级存储领域，相关产品已通过 AEC-Q100 Grade2/3 认证，且严格按照 ISO 26262:2018 ASIL D 最高功能安全标准研发，为企业切入智能汽车供应链打下扎实基础。
 

结语

宏芯宇 HG2325 的落地，打破了行业 “唯有先进制程芯片才具备技术价值” 的固有认知，也证明依托成熟制程，通过架构优化、算法自研与场景深度适配，同样能够打造出具备核心竞争力的产品。当前 AIoT 产业高速发展，入门级智能终端市场渗透率持续提升，高性价比、高稳定性的 UFS 2.2 存储产品市场需求将持续增长。
 
借助 HG2325 积累的技术与落地经验，宏芯宇有望持续完善嵌入式存储主控产品线，向上研发更高规格 UFS 主控，向下深耕物联网专用存储方案。随着更多国产厂商入局中阶 UFS 主控赛道，国内嵌入式存储供应链将加速实现全方位自主可控，为消费电子、汽车电子、物联网等下游产业稳健发展筑牢芯片根基。