APM16系列升压转换器阶段：电动汽车车载充电器的理想之选

在电动汽车（EV）和插电式混合动力汽车（PHEV）的发展中，车载充电器（OBC）的性能至关重要。ON Semiconductor的APM16系列中的升压转换器阶段，特别是FAM65CR51DZ1和FAM65CR51DZ2，为OBC提供了高效、可靠的解决方案。本文将详细介绍这两款产品的特点、应用、电气规格等方面的内容。

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产品特点

集成化设计

这两款产品是集成的SIP或DIP升压转换器阶段功率模块，专为EV或PHEV的车载充电器设计。采用5 kV/1 sec电气隔离基板，便于组装，且符合IEC60664 - 1和IEC 60950 - 1的爬电距离和电气间隙要求。紧凑的设计使得模块总电阻较低，同时支持模块序列化，实现完全可追溯性。

环保合规

产品符合无铅、RoHS和UL94V - 0标准，并且通过了AEC Q101和AQG324汽车级认证，确保了在汽车环境中的可靠性和安全性。

应用场景

主要应用于PHEV或EV车载充电器的功率因数校正（PFC）阶段，能够帮助设计出小型、高效且可靠的系统，从而降低车辆的燃油消耗和二氧化碳排放。

订购信息

产品编号	封装	引脚成型	DBC材料	工作温度范围	包装方式
FAM65CR51DZ1	APM16 - CDA	Y - 形	Al₂O₃	-40°C ~ 125°C	管装
FAM65CR51DZ2	APM16 - CDB	L - 形	Al₂O₃	-40°C ~ 125°C	管装

引脚配置与描述

引脚编号	引脚名称	引脚描述
1, 2	AC1	PFC桥的第1相支路
3	NC	未连接
4	NC	未连接
5, 6	B+	正电池端子
7, 8	Q1 Source	Q1的源极端子
9	Q1 Gate	Q1的栅极端子
10	Q2 Gate	Q2的栅极端子
11, 12	Q2 Source	Q2的源极端子
13	NC	未连接
14	NC	未连接
15, 16	AC2	PFC桥的第2相支路

内部等效电路与电气规格

MOSFET电气规格

MOSFET的绝对最大额定值在不同参数上有明确限制，如漏源电压（VDS (Q1~Q2)）最大为650 V，栅源电压（VGS (Q1~Q2)）为± 20 V等。在电气规格方面，不同条件下的参数也有相应规定，例如在特定条件下Q1和Q2的导通电阻（RDS(ON)）等。

动态特性

包括输入电容（Ciss）、输出电容（Coss）、反向传输电容（Crss）等电容参数，以及开关特性如导通时间（ton）、导通延迟时间（td(on)）等。

体二极管特性

体二极管的参数包括源漏二极管电压（VSD）、反向恢复时间（Trr）和反向恢复电荷（Qrr）等。

升压二极管规格

升压二极管的绝对最大额定值和电气规格也有详细规定，如峰值重复反向电压（VRRM）为600 V，平均整流正向电流（IF(AV)）在特定温度下为15 A等。

热阻与隔离特性

热阻

MOSFET芯片和二极管芯片的热阻参数有所不同，例如MOSFET芯片的结到壳热阻（RθJC）典型值为0.66 °C/W，二极管芯片的结到壳热阻（RθJC）典型值为1.98 °C/W。

隔离特性

在基极板与控制引脚或电源端子之间的隔离电阻在特定测试条件下有相应要求。

典型特性

产品提供了MOSFET和二极管的典型特性曲线，包括归一化功率耗散与外壳温度的关系、最大连续电流与外壳温度的关系、传输特性、正向二极管特性等。这些曲线有助于工程师更好地了解产品在不同条件下的性能表现。

机械尺寸

APMCD - A16和APMCD - B16两款产品有各自的机械外壳轮廓和封装尺寸，并且给出了详细的标注和公差说明，方便工程师进行设计和布局。

总结

ON Semiconductor的FAM65CR51DZ1和FAM65CR51DZ2产品为电动汽车车载充电器的PFC阶段提供了全面的解决方案。其集成化设计、环保合规性、丰富的电气规格和典型特性曲线，使得工程师能够更轻松地设计出高效、可靠的车载充电系统。在实际应用中，工程师需要根据具体的设计需求，结合产品的各项参数进行合理选择和优化。你在设计车载充电器时，是否会优先考虑这样的集成化功率模块呢？