Onsemi NCS20166/NCV20166精密运算放大器:特性、参数与应用解析

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Onsemi NCS20166/NCV20166精密运算放大器:特性、参数与应用解析

在电子设计领域,运算放大器是一种极为关键的基础元件,广泛应用于各种电路中。Onsemi推出的NCS20166和NCV20166精密运算放大器,凭借其出色的性能和特性,成为众多工程师的首选。本文将深入解析这两款运算放大器的特性、参数以及典型应用。

文件下载:NCS20166-D.PDF

产品概述

NCS20166和NCV20166具有轨到轨输入输出功能,带宽高达10 MHz。这两款低静态电流、低噪声的放大器经过微调,能够提供低初始输入失调电压。它们的供电范围为3.0 V至5.5 V,所有版本均能在 -40°C至 +125°C的温度范围内稳定工作。其中,NCV前缀的产品适用于汽车和其他有特殊场地及控制变更要求的应用,并且通过了AEC - Q100认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力。此外,这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准。

产品特性

电气性能

  • 增益带宽:典型值为10 MHz,能够满足大多数高速信号处理的需求。
  • 失调电压:在 (V_{S}=5V) 时,最大失调电压为550 μV,确保了高精度的信号处理。
  • 电源电压:供电范围为3 V至5.5 V,具有较宽的电源适应性。
  • 静态电流:最大为1.55 mA,低功耗特性使得其在电池供电的设备中表现出色。
  • 电压噪声密度:典型值为10 nV/√Hz,低噪声性能有助于提高信号的质量。

输入输出特性

轨到轨输入输出功能使得放大器能够在接近电源轨的范围内工作,从而充分利用电源电压,提高动态范围。

可靠性与兼容性

  • 具备ESD保护功能,人体模型(HBM)静电放电耐压为2000 V,充电设备模型(CDM)为1000 V。
  • 通过相关标准测试,如ESD测试符合JEDEC标准JS - 001 - 2017(AEC - Q100 - 002)和JS - 002 - 2014(AEC - Q100 - 011),闩锁电流测试符合JEDEC标准JESD78E(AEC - Q100 - 004)。
  • 湿度敏感度等级(MSL)为1,具有较好的防潮性能。

绝对最大额定值与热信息

绝对最大额定值

参数 额定值 单位
电源电压 ((V{DD}-V{SS})) 6 V
输入电压(注1) (V{SS} – 0.3) 至 (V{DD} + 0.3) V
差分输入电压(注1) ± (V_{s}) V
输入电流(注1) ± 10 mA
输出短路电流(注2) 连续 -
工作温度 –40 至 +125 °C
存储温度 –65 至 +150 °C
结温 +150 °C
回流焊接温度(仅适用于SMD封装,无铅版本) +260 °C
ESD人体模型(HBM) 2000 V
ESD充电设备模型(CDM) 1000 V
闩锁电流(注4) 100 mA
湿度敏感度等级(MSL) 1 -
连续总功耗 200 mW

注:

  1. 输入端子通过二极管钳位到电源轨,输入信号超出电源轨0.3 V以上时,电流应限制在10 mA以下。
  2. 短路到地的情况可在 (T_{A}=125^{circ}C) 以下持续。
  3. 该器件系列采用了ESD保护,并通过了相关标准测试。
  4. 闩锁电流测试符合JEDEC标准JESD78E(AEC - Q100 - 004)。

热信息

在安装于80x80x1.5 mm的FR4 PCB上,带有600 (mm^{2}) 和2 oz(0.034 mm)厚的铜散热片时,结到环境的热阻((theta_{JA}))为198 °C/W(SC - 74A - 5封装)。

电气特性

输入特性

  • 输入失调电压:在 (V{S}=3) 至5.5 V,(T{A}=25^{circ}C) 时,典型值为±50 μV,最大值为±550 μV;在整个温度范围((T_{A}=-40^{circ}C) 至125 °C)内,最大值为±1050 μV。
  • 失调电压漂移:典型值为±1 μV/°C,最大值为±5 μV/°C。
  • 输入偏置电流:典型值为±1 pA,最大值为±600 pA。
  • 输入失调电流:典型值为±1 pA,最大值为±600 pA。
  • 共模抑制比:在 (V{S}=5.5 V) 时,典型值为77 dB,最大值为92 dB;在 (V{S}=3 V) 时,典型值为70 dB,最大值为87 dB。
  • 输入电容:差分输入电容为6 pF,共模输入电容为12 pF。

输出特性

  • 开环电压增益:在 (V{O}=V{SS} + 0.05 V) 至 (V_{DD} – 0.05 V) 范围内,为120 dB。
  • 开环输出阻抗:可参考图29。
  • 输出电压高(相对于电源轨):当负载电流 (I{L}=1 mA) 时,为30 mV;当 (I{L}=10 mA) 时,为120 mV。
  • 输出电压低(相对于电源轨):当负载电流 (I{L}=1 mA) 时,为30 mV;当 (I{L}=10 mA) 时,为120 mV。
  • 短路电流:灌电流和拉电流均为25 mA。

动态性能

  • 增益带宽积:为10 MHz。
  • 增益裕度:在 (V_{S}=5.5 V),负载为10 kΩ || 100 pF时,为10 dB。
  • 相位裕度:在 (V_{S}=5.5 V),负载为10 kΩ || 100 pF时,为50°。
  • 压摆率:在 (V{S}=5.5 V),1 V阶跃上升沿,增益 (A{v}=1),负载为10 kΩ || 100 pF时,为6 V/μs;下降沿为4 V/μs;当负载为10 kΩ || 60 pF时,上升沿为6 V/μs,下降沿为4 V/μs。
  • 建立时间:在0.1%精度下,2 V阶跃,增益 (A_{V}=-1) 时,为0.5 μs;在0.01%精度下,为1 μs。
  • 开启时间:为3.5 μs。
  • 过载恢复时间:在 (V{IN}≤100 mV) 阶跃,增益 (A{V}=-100) 时,为2 μs。
  • 容性负载驱动能力:可参考图30。

噪声性能

  • 总谐波失真 + 噪声:在 (V{S}=5.5 V),(f{IN}=1 kHz),增益 (A{V}=1),输出 (V{out}=1 V_{rms}) 时,为0.001%。
  • 电压噪声密度:在 (V{S}=5.5 V),(f{IN}=1 kHz) 时,为10 nV/√Hz。
  • 峰 - 峰电压噪声:在 (V{S}=5.5 V),(f{IN}=0.1 Hz) 至10 Hz时,为3 μVpp。

电源特性

  • 电源抑制比:在 (V_{S}=3 V) 至5.5 V范围内,典型值为73 dB,最大值为89 dB。
  • 静态电流:无负载时,典型值为1 mA,最大值为1.55 mA。

典型特性曲线

文档中提供了大量的典型特性曲线,如输入失调电压分布、输入失调电压与温度的关系、增益和相位与频率的关系等。这些曲线有助于工程师在不同的工作条件下评估放大器的性能,从而更好地进行电路设计。例如,通过输入失调电压与温度的关系曲线,工程师可以了解在不同温度下放大器的失调电压变化情况,进而采取相应的补偿措施。

典型应用

电流传感

  • 低侧电流传感:在电机控制电路和电源的电流监测等应用中,低侧电流传感用于检测过流情况或作为反馈控制的方法。通过在负载与地之间串联一个阻值小于100 mΩ的感测电阻,运算放大器对感测电阻上的电压降进行放大,增益由外部电阻R1、R2、R3和R4设置(其中 (R1 = R2),(R3 = R4))。为了实现高精度,需要使用精密电阻,并将增益设置为充分利用ADC的满量程,以获得最高分辨率。
  • 差分放大器用于桥接电路:测量应变、压力和温度的传感器通常采用惠斯通电桥电路。由于测量产生的电压变化相对较小,需要在进入ADC之前进行放大。NCS20166/NCV20166由于其高增益、低噪声和低失调电压的特性,非常适合此类应用。

通用布局指南

为了确保器件的最佳性能,在PCB设计时需要遵循良好的设计实践。具体措施包括:

  • 在电源引脚附近尽可能靠近地放置0.1 μF的去耦电容,以减少电源噪声。
  • 保持走线短,利用接地平面,选择表面贴装元件,并将元件尽可能靠近器件引脚放置,以降低电磁干扰(EMI)的影响。
  • 由于热电效应可能会在输入引脚产生额外的温度相关失调电压,因此应使用具有低热电动势系数的金属,并防止来自热源或冷却风扇的温度梯度。

总结

Onsemi的NCS20166和NCV20166精密运算放大器以其出色的性能、宽工作温度范围、低功耗和高可靠性,适用于多种应用场景,如工业、汽车、医疗仪器等。工程师在设计电路时,应充分考虑其电气特性、绝对最大额定值和热信息,结合典型应用电路和布局指南,以实现最佳的设计效果。你在使用这款运算放大器的过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。

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