三星副会长与黄仁勋聊了些什么？剑指HBM4E、HBM5与晶圆代工等

AI算力竞赛持续升温，头部芯片企业的合作布局迎来新动态。

近日，三星电子副会长、半导体业务负责人全永铉与英伟达CEO黄仁勋在首尔新罗酒店举行会面。双方围绕下一代高带宽存储器（HBM）供应及晶圆代工合作进行了深入交流。

核心合作方向：HBM4E、HBM5及晶圆代工

全永铉透露，此次会谈重点讨论了HBM4E、HBM5的长期供应，以及晶圆代工业务的合作。他强调：“我们与英伟达合作已久，今天进行了最好的对话。”短期内，三星将从今年开始充足供应HBM4和SOCAMM产品。

在晶圆代工方面，三星目前正与英伟达合作开发采用4nm和8nm工艺的自动驾驶芯片，并为英伟达代工Grok 3芯片。双方还在讨论下一代合作项目。

技术进展与产品供应

目前，三星正向英伟达下一代AI加速器“Vera Rubin”供应速率高达11.7Gbps的HBM4，该加速器已进入大规模量产。同时，三星为Vera CPU提供了基于LPDDR5X的SOCAMM 2，以及基于PCIe Gen6的PM1763固态硬盘。

三星已完成全球首批第七代HBM产品——HBM4E的样品发货，并向英伟达提供了样品。该产品将1c DRAM核心芯片与自家4nm工艺的基础芯片结合，每针脚速度最高可达16Gbps，带宽达到4TB/s。

回应竞争与未来承诺

同一天，黄仁勋在宣布与SK海力士的合作时称其为"最大内存合作伙伴"。对此全永铉回应："我们会努力工作，稍后向大家展示成果。"当被问及是否计划签订长期内存供应合同时，他表示将尽最大努力确保英伟达的成功。

随着Vera Rubin进入全面量产，单台服务器将搭载TB级容量的HBM4，数据传输速度可达2 TB/s。三星能否借此机会在HBM领域实现突破，值得持续关注。

审核编辑 黄宇