FNF50560TD1 Motion SPM® 55系列模块:高性能逆变器解决方案

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FNF50560TD1 Motion SPM® 55系列模块:高性能逆变器解决方案

在电子工程师的日常设计工作中,寻找高性能、可靠且功能丰富的逆变器模块是一项关键任务。今天,我们就来深入了解一下ON Semiconductor的FNF50560TD1 Motion SPM® 55系列模块,看看它能为我们的设计带来哪些优势。

文件下载:FNF50560TD1.pdf

一、产品概述

FNF50560TD1是一款Motion SPM 55模块,专为交流感应、无刷直流(BLDC)和永磁同步(PMSM)电机提供全功能、高性能的逆变器输出级。该模块集成了内置绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的优化栅极驱动,可最大程度减少电磁干扰(EMI)和损耗,同时具备多种模块级保护功能,如欠压锁定、互锁功能、过流关断、驱动IC的热监测和故障报告等。

二、主要特性

(一)认证与基本参数

  • UL认证:获得UL认证(编号E209204,UL1557),保证了产品的安全性和可靠性。
  • 电压与电流规格:具备600 V - 5 A的三相IGBT逆变器,包含用于栅极驱动和保护的控制IC。

(二)IGBT特性

  • 低损耗与短路额定:采用低损耗、短路额定的IGBT,能够在高功率应用中高效工作。
  • 内置自举二极管:在高压集成电路(HVIC)中内置自举二极管,简化了电路设计。

(三)保护与监测功能

  • 欠压和短路保护:通过HVIC实现栅极驱动、欠压和短路电流保护,并提供故障输出。
  • 互锁功能:防止短路情况的发生,提高系统的安全性。
  • 温度监测:内置HVIC温度传感功能,可实时监测温度。

(四)接口特性

  • 逻辑兼容性:采用高电平有效接口,可与3.3 / 5 V逻辑兼容,具备施密特触发器输入。
  • 开关频率优化:针对15 - 20 kHz的开关频率进行了优化。
  • 隔离等级:隔离额定值为 (1500 ~V_{rms} / min),确保电气安全。

三、应用领域

该模块主要应用于运动控制领域,如家用电器和工业电机。在这些应用中,它能够为电机提供高效、稳定的驱动,满足不同的控制需求。大家在实际设计中,是否遇到过因电机驱动不稳定而导致的问题呢?思考一下如何利用该模块的特性来解决这些问题。

四、相关资源

  • 用户指南:AN - 9096《Smart Power Module, Motion SPM® 55 Series User’s Guide》,为用户提供了详细的使用说明。
  • 安装指南:AN - 9097《SPM® 55 Packing Mounting Guidance》,指导用户正确安装模块。

五、内部功能与结构

(一)集成功率功能

实现600 V - 5 A的三相直流/交流功率转换,内部包含IGBT逆变器。

(二)集成驱动、保护和系统控制功能

  • 高侧IGBT:具备栅极驱动电路、高压隔离高速电平转换控制电路和欠压锁定(UVLO)保护。
  • 低侧IGBT:拥有栅极驱动电路、短路保护(SCP)控制电源电路和欠压锁定(UVLO)保护。
  • 故障信号:对应UVLO(低侧电源)和短路故障。
  • 输入接口:高电平有效接口,与3.3 / 5 V逻辑兼容,施密特触发器输入。
  • 自举电路:HVIC中内置自举电路。

(三)引脚配置与描述

该模块共有20个引脚,每个引脚都有特定的功能,如直流链路输入、相输出、信号输入、偏置电压等。具体引脚描述如下表所示: Pin Number Pin Name Pin Description
1 P Positive DC - Link Input
2 U, V S (U) Output for U Phase
3 V, V S (V) Output for V Phase
4 W, V S (W) Output for W Phase
5 N U Negative DC - Link Input for U Phase
6 N V Negative DC - Link Input for V Phase
7 N W Negative DC - Link Input for W Phase
8 IN (UL) Signal Input for Low - Side U Phase
9 IN (UH) Signal Input for High - ide U Phase
10 IN (VL) Signal Input for Low - Side V Phase
11 IN (VH) Signal Input for High - Side V Phase
12 IN (WL) Signal Input for Low - Side W Phase
13 IN (WH) Signal Input for High - Side W Phase
14 V DD Common Bias Voltage for IC and IGBTs Driving
15 COM Common Supply Ground
16 C SC Capacitor (Low - Pass Filter) for Short - circuit Current Detection Input
17 V F Fault Output, Shut - Down Input, Temperature Output of Drive IC
18 V B(W) High - Side Bias Voltage for W - Phase IGBT Driving
19 V B(V) High - Side Bias Voltage for V - Phase IGBT Driving
20 V B(U) High - Side Bias Voltage for U - Phase IGBT Driving

(四)内部等效电路

内部由逆变器高侧、低侧、单驱动IC和逆变器功率侧组成,各部分协同工作,实现高效的功率转换和控制。

六、电气特性

(一)绝对最大额定值

  • 逆变器部分:包括电源电压、集电极 - 发射极电压、集电极电流、功耗和工作结温等参数。例如,供应电压 (V{PN}) 最大为450 V,集电极 - 发射极电压 (V{CES}) 为600 V,每个IGBT集电极电流 (I{C}) 最大为5 A((T{C} = 25°C),(T_{J} < 150°C))。
  • 控制部分:如控制电源电压 (V{DD}) 最大为20 V,输入信号电压 (V{IN}) 范围为 - 0.3 ~ (V_{DD} + 0.3) V等。
  • 总系统:自保护电源电压极限 (V{PN(PROT)}) 为400 V(特定条件下),存储温度范围为 - 40 ~ 125 °C,隔离电压 (V{ISO}) 为1500 (V_{rms})。

(二)电气特性参数

  • 逆变器部分:包括集电极 - 发射极饱和电压 (V{CE(SAT)})、二极管正向电压 (V{F})、开关时间等。例如,在 (V{DD} = V{BS} = 15) V,(I{C} = 4) A,(T{J} = 25°C) 时,(V_{CE(SAT)}) 为1.9 - 2.25 V。
  • 控制部分:涉及静态和工作时的电源电流、故障输出电压、短路跳闸电平、欠压保护检测和复位电平、HVIC温度传感电流和电压等参数。

(三)自举二极管部分

自举二极管电阻 (R{BS}) 在 (V{DD} = 15V),(T_{C} = 25°C) 时,典型值为280 Ω。

七、推荐工作条件

(一)电源电压

供应电压 (V{PN}) 推荐范围为300 - 400 V,控制电源电压 (V{DD}) 为14.0 - 16.5 V,高侧偏置电压 (V_{BS}) 为13.0 - 18.5 V。

(二)其他参数

控制电源变化率 (dV{DD} / dt) 和 (dV{BS} / dt) 范围为 - 1 - 1 V / μs,消隐时间 (t{dead}) 为0.5 μs,PWM输入信号频率 (f{PWM}) 最大为20 kHz等。

八、机械特性与安装注意事项

(一)机械特性

  • 器件平整度:范围为 - 50 - 100 μm。
  • 安装扭矩:安装螺丝(M3)推荐扭矩为0.7 N • m,范围为0.6 - 0.8 N • m。
  • 重量:约为6.0 g。

(二)安装注意事项

安装时要避免过度扭矩,防止封装破裂和螺栓、铝散热片损坏。同时,要避免单侧拧紧应力,采用推荐的扭矩顺序进行安装,以防止陶瓷基板损坏。预拧紧扭矩设置为最大扭矩额定值的20 - 30 %。

九、保护功能时间图表

该模块具备欠压保护、互锁功能、过流保护和外部命令关机等保护功能,通过时间图表可以清晰地了解这些保护功能的工作过程。例如,在欠压保护中,当检测到欠压时,IGBT会关断,故障输出开始工作,直到电压恢复正常。大家在设计电路时,如何根据这些保护功能来确保系统的稳定性呢?

十、典型应用电路

在典型应用电路中,需要注意以下几点:

  • 布线:各输入布线应尽可能短(小于2 - 3 cm),(R_{F}) 和 (CSC) 周围的布线也应尽量短,控制地和电源地的连接应仅在一点连接,且布线距离要尽可能短。
  • 电容选择:(C{SP15}) 建议为自举电容 (C{BS}) 的约七倍,(C{BS}) 应选择温度特性好的电解电容,(C{BSC}) 选择0.1 - 0.2 μF的R类陶瓷电容。
  • 信号处理:输入信号为高电平有效类型,IC内部有10 kΩ下拉电阻,建议采用RC耦合电路防止输入信号振荡,(R{S}C{PS}) 时间常数应在50 - 150 ns范围内。
  • 保护措施:为防止浪涌破坏,应在P和GND引脚之间使用高频无感电容(约0.1 - 0.22 μF),并采用齐纳二极管或瞬态电压抑制器保护IC免受浪涌破坏。

综上所述,FNF50560TD1 Motion SPM® 55系列模块是一款功能强大、性能优越的逆变器模块,在运动控制领域具有广泛的应用前景。电子工程师在设计相关电路时,可以充分利用其特性和功能,提高系统的性能和可靠性。大家在实际应用中是否还有其他的经验或问题呢?欢迎在评论区分享交流。

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