电子说
在当今的电子设计领域,高性能逆变器模块的需求日益增长。ON Semiconductor的FSBB15CH120D Motion SPM® 3系列模块,以其先进的特性和卓越的性能,成为工业电机控制等领域的热门选择。今天,我们就来深入了解一下这款模块。
文件下载:FSBB15CH120D.pdf
随着Fairchild Semiconductor与ON Semiconductor的整合,部分Fairchild可订购的零件编号需要更改,以符合ON Semiconductor的系统要求。例如,Fairchild零件编号中的下划线(_)将更改为破折号(-)。大家可通过ON Semiconductor网站核实更新后的设备编号,最新最准确的订购信息可在www.onsemi.com查询。
FSBB15CH120D获得了UL认证(编号E209204,UL1557),具备1200 V - 15 A的三相IGBT逆变器,集成了门驱动器和保护功能。其采用的低损耗、短路额定IGBT以及 $Al{2} O{3}$ DBC基板,实现了极低的热阻,为产品的稳定运行提供了保障。
它拥有专门的Vs引脚,简化了PCB布局;还提供来自低侧IGBT的独立开极引脚,用于三相电流传感。此外,采用单接地电源,并内置LVIC温度传感功能,可实现温度监测。其隔离额定值达到2500 Vrms / 1 min,确保了电气安全。
该模块主要应用于工业电机(AC 400V类)的运动控制,为交流感应、无刷直流(BLDC)和永磁同步电机(PMSM)提供了全功能、高性能的逆变器输出级。
该模块共有27个引脚,每个引脚都有特定的功能,如V CC(L) 为IC和IGBT驱动提供低侧公共偏置电压,COM为公共电源地等。详细的引脚描述可参考文档。
内部由逆变器低侧、功率侧和高侧组成。低侧由三个IGBT、续流二极管和一个控制IC组成,具备门驱动和保护功能;功率侧由四个逆变器直流母线输入端子和三个逆变器输出端子组成;高侧由三个IGBT、续流二极管和三个驱动IC组成。
在不同的条件下,该模块的各项电气参数表现良好。例如,在 $T{J}=25^{circ} C$ 时,集电极 - 发射极饱和电压 $V{CE(SAT)}$ 典型值为2.00 V,最大值为2.60 V;开关时间方面,不同侧的开通和关断时间也有相应的规定。
控制部分的静态和工作电流、故障输出电压、短路跳闸电平、欠压保护检测和复位电平、故障输出脉冲宽度等参数都有明确的规定。例如,静态V CC 电源电流I QCCH 最大值为0.15 mA,故障输出电压V FOH 在特定条件下为4.5 V。
为了确保模块的最佳性能,推荐的工作条件包括:供应电压V PN 在300 - 800 V之间,控制电源电压V CC 在13.5 - 16.5 V之间,高侧偏置电压V BS 在13.0 - 18.5 V之间等。同时,还对控制电源变化率、消隐时间、PWM输入信号频率等参数进行了规定。
模块的平整度、安装扭矩、端子拉力强度、端子弯曲强度和重量等都有相应的规定。例如,设备平整度在0 - +150 m之间,安装扭矩推荐值为0.7 N • m。
安装时要注意避免过度扭矩,以免导致DBC裂纹、螺栓和铝散热器损坏。同时,要避免单侧拧紧应力,按照推荐的扭矩顺序进行安装,预拧紧扭矩设置为最大扭矩额定值的20 - 30%。
该模块具备欠压保护(低侧和高侧)和短路电流保护功能。通过时间图表可以清晰地看到在不同情况下,电路的工作状态和保护机制的启动过程。例如,在低侧欠压保护中,当控制电源电压上升到 $UV{CCR}$ 后,电路开始工作;当检测到欠压($UV{CCD}$)时,IGBT会关闭,故障输出开始工作,直到电压恢复到 $UV_{CCR}$ 后,电路恢复正常。
推荐的CPU I/O接口电路中,要注意RC耦合可能会根据应用中的PWM控制方案和印刷电路板的布线阻抗而变化。输入信号部分集成了5 k(典型值)下拉电阻,使用外部滤波电阻时要注意输入端子的信号电压降。
在典型应用电路中,为了避免故障,每个输入的布线应尽可能短(小于2 - 3 cm);$V_{FO}$ 输出为开漏类型,需要用电阻上拉到MCU或控制电源的正极;输入信号为高电平有效类型,IC内部有5 k 电阻将每个输入信号线拉到地,应采用RC耦合电路防止输入信号振荡。
总之,FSBB15CH120D Motion SPM® 3系列模块以其丰富的功能和良好的性能,为电子工程师在设计高性能逆变器时提供了一个可靠的选择。但在实际应用中,大家还需要根据具体的需求和条件,对各项参数进行验证和调整,以确保模块的最佳性能。你在使用类似模块时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验。
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