描述
FSBB20CH60 Motion SPM® 3 系列模块:设计与应用指南
一、引言
在电子工程领域,功率模块的性能和可靠性对于各类电机驱动系统至关重要。FSBB20CH60 Motion SPM® 3 系列模块作为一款集成化的功率模块,为交流感应、无刷直流(BLDC)和永磁同步(PMSM)电机提供了高性能的逆变器输出级解决方案。本文将深入剖析该模块的特点、应用、电气特性以及使用注意事项,为电子工程师在设计相关系统时提供全面的参考。
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二、模块概述
2.1 特点
- UL 认证:获得 UL 认证(编号 E209204,UL1557),确保产品符合安全标准。
- 高电压大电流:具备 600 V - 20 A 的三相 IGBT 逆变器,集成了栅极驱动器和保护功能。
- 低损耗 IGBT:采用低损耗、短路额定的 IGBT,有效降低功耗。
- 低热阻设计:使用 (Al{2} O{3}) DBC 基板,具有极低的热阻,利于散热。
- 简化 PCB 布局:专用的 Vs 引脚简化了 PCB 布局,同时为三相电流检测提供了独立的低侧 IGBT 开集电极引脚。
- 单接地电源:仅需单接地电源,降低了电源设计的复杂度。
- 高隔离等级:隔离额定值为 2500 Vrms / min,保障了电气安全。
2.2 应用领域
主要应用于运动控制领域,包括家用电器和工业电机等。在这些应用中,该模块能够为电机提供高效、稳定的驱动。
2.3 相关资源
可参考 AN - 9035 - Motion SPM 3 系列 Ver.2 用户指南,获取更详细的使用信息。
三、模块功能分析
3.1 集成功率功能
该模块实现了 600 V - 20 A 的 IGBT 逆变器,用于三相直流 / 交流功率转换,为电机提供合适的电源。
3.2 集成驱动、保护和系统控制功能
- 高侧 IGBT:配备栅极驱动电路、高压隔离高速电平转换控制电路以及欠压锁定保护(UVLO)。
- 低侧 IGBT:具有栅极驱动电路、短路保护(SCP)控制电源电路和欠压锁定保护(UVLO)。同时,具备故障信号功能,对应 UVLO(低侧电源)和 SC 故障。
- 输入接口:采用有源高电平接口,可与 3.3 / 5 V 逻辑配合,具备施密特触发输入。
四、引脚配置与说明
| 引脚编号 |
引脚名称 |
引脚描述 |
| 1 |
V CC(L) |
用于 IC 和 IGBT 驱动的低侧公共偏置电压 |
| 2 |
COM |
公共电源接地 |
| 3 |
IN (UL) |
低侧 U 相的信号输入 |
| 4 |
IN (VL) |
低侧 V 相的信号输入 |
| 5 |
IN (WL) |
低侧 W 相的信号输入 |
| 6 |
V FO |
故障输出 |
| 7 |
C FOD |
用于故障输出持续时间选择的电容 |
| 8 |
C SC |
用于短路电流检测输入的电容(低通滤波器) |
| 9 |
IN (UH) |
高侧 U 相的信号输入 |
| 10 |
V CC(UH) |
U 相 IC 的高侧偏置电压 |
| 11 |
V B(U) |
U 相 IGBT 驱动的高侧偏置电压 |
| 12 |
V S(U) |
U 相 IGBT 驱动的高侧偏置电压接地 |
| 13 |
IN (VH) |
高侧 V 相的信号输入 |
| 14 |
V CC(VH) |
V 相 IC 的高侧偏置电压 |
| 15 |
V B(V) |
V 相 IGBT 驱动的高侧偏置电压 |
| 16 |
V S(V) |
V 相 IGBT 驱动的高侧偏置电压接地 |
| 17 |
IN (WH) |
高侧 W 相的信号输入 |
| 18 |
V CC(WH) |
W 相 IC 的高侧偏置电压 |
| 19 |
V B(W) |
W 相 IGBT 驱动的高侧偏置电压 |
| 20 |
V S(W) |
W 相 IGBT 驱动的高侧偏置电压接地 |
| 21 |
N U |
U 相的负直流母线输入 |
| 22 |
N V |
V 相的负直流母线输入 |
| 23 |
N W |
W 相的负直流母线输入 |
| 24 |
U |
U 相的输出 |
| 25 |
V |
V 相的输出 |
| 26 |
W |
W 相的输出 |
| 27 |
P |
正直流母线输入 |
五、电气特性
5.1 绝对最大额定值
在 (T_{J}=25^{circ} C) (除非另有说明)的条件下,该模块的绝对最大额定值如下:
- 逆变器部分:
- 电源电压 (V{PN}) :450 V;浪涌电源电压 (V{PN(Surge)}) :500 V。
- 集电极 - 发射极电压 (V_{CES}) :600 V。
- 每个 IGBT 集电极电流 (±I{C}) ((T{C} = 25°C) ):20 A;峰值集电极电流 (±I{CP}) ((T{C} = 25°C) ,1ms 脉冲宽度):40 A。
- 集电极耗散功率 (P{C}) ((T{C} = 25°C) 每芯片):61 W。
- 工作结温 (T_{J}) : - 20 ~ 125 °C。
- 控制部分:
- 控制电源电压 (V_{CC}) :20 V。
- 高侧控制偏置电压 (V_{BS}) :20 V。
- 输入信号电压 (V_{IN}) : - 0.3 ~ 17 V。
- 故障输出电源电压 (V{FO}) : - 0.3 ~ (V{CC} + 0.3) V。
- 故障输出电流 (I_{FO}) :5 mA。
- 电流传感输入电压 (V{SC}) : - 0.3 ~ (V{CC} + 0.3) V。
- 总系统:
- 自保护电源电压极限 (V{PN(PROT)}) ((V{CC} = V{BS} = 13.5 ~ 16.5 V) ,(T{J} = 125°C) ,非重复,< 2 μs):400 V。
- 模块外壳工作温度 (T_{C}) : - 20 ~ 100 °C。
- 存储温度 (T_{STG}) : - 40 ~ 125 °C。
- 隔离电压 (V_{ISO}) :2500 Vrms。
5.2 电气特性
在 (T_{J}=25^{circ} C) (除非另有说明)的条件下,该模块的电气特性如下:
- 逆变器部分:
- 集电极 - 发射极饱和电压 (V{CE(SAT)}) ((V{CC} = V{BS} = 15 V) ,(V{IN} = 5 V) ,(I{C} = 20 A) ,(T{J} = 25°C) ):最大 2.3 V。
- 开关时间:包括开通时间 (t{ON}) 、关断时间 (t{OFF}) 等,不同侧的开关时间有所差异。
- 集电极 - 发射极泄漏电流 (I{CES}) ((V{CE} = V_{CES}) ):最大 250 μA。
- 控制部分:
- 静态 (V{CC}) 电源电流 (I{QCCL}) ((V_{CC} = 15 V) ,(IN (UL, VL, WL) = 0 V) ):最大 23 mA。
- 静态 (V{CC}) 电源电流 (I{QCCH}) ((V_{CC} = 15 V) ,(IN (UH, VH, WH) = 0 V) ):最大 100 μA。
- 静态 (V{BS}) 电源电流 (I{QBS}) ((V_{BS} = 15 V) ,(IN (UH, VH, WH) = 0 V) ):最大 500 μA。
- 故障输出电压 (V{FOH}) ((V{SC} = 0 V) ,(V_{FO}) 电路:4.7 kΩ 上拉至 5 V):4.5 V。
- 故障输出电压 (V{FOL}) ((V{SC} = 1 V) ,(V_{FO}) 电路:4.7 kΩ 上拉至 5 V):最大 0.8 V。
- 短路电流跳闸电平 (V{SC(ref)}) ((V{CC} = 15 V) ):0.45 ~ 0.55 V。
- 电源电路欠压保护检测电平 (UV{CCD}) :10.7 ~ 13.0 V;复位电平 (UV{CCR}) :11.2 ~ 13.2 V。
- 高侧偏置电压欠压保护检测电平 (UV{BSD}) :10.1 ~ 12.5 V;复位电平 (UV{BSR}) :10.5 ~ 12.9 V。
- 故障输出脉冲宽度 (t{FOD}) ((C{FOD} = 33 nF) ):1.0 ~ 1.8 ms。
- 导通阈值电压 (V{IN(ON)}) :3.0 V;关断阈值电压 (V{IN(OFF)}) :0.8 V。
5.3 推荐工作条件
- 电源电压 (V_{PN}) :300 ~ 400 V。
- 控制电源电压 (V_{CC}) :13.5 ~ 16.5 V。
- 高侧偏置电压 (V_{BS}) :13 ~ 18.5 V。
- 控制电源变化率 (dV{CC} / dt) ,(dV{BS} / dt) : - 1 ~ 1 V / μs。
- 防止桥臂短路的消隐时间 (t_{dead}) :2.5 μs。
- PWM 输入信号频率 (f_{PWM}) :最大 20 kHz。
- 电流传感电压 (V_{SEN}) : - 4 ~ 4 V。
六、机械特性和额定值
- 安装扭矩:推荐 0.62 N•m,范围为 0.51 ~ 0.72 N•m。
- 器件平整度:最大 + 120 μm。
- 重量:约 15.00 g。
七、保护功能时间图
7.1 欠压保护
- 低侧:当控制电源电压上升超过 (UV{CCR}) 时,电路在下次输入信号到来时开始工作;当检测到欠压((UV{CCD}) )时,IGBT 关断,故障输出开始工作;当电压恢复到 (UV_{CCR}) 时,电路恢复正常。
- 高侧:当控制电源电压达到 (UV{BSR}) 时,电路在下次输入信号到来时开始工作;当检测到欠压((UV{BSD}) )时,IGBT 关断,但无故障输出信号;当电压恢复到 (UV_{BSR}) 时,电路恢复正常。
7.2 短路保护(仅低侧工作)
当检测到短路电流时,IGBT 硬关断,故障输出定时器开始工作,故障输出信号的脉冲宽度由外部电容 (C_{FOD}) 设置。在故障输出有效期间,即使输入为高电平,IGBT 也不会导通。
八、应用电路设计注意事项
8.1 输入接口电路
- 每个输入的 RC 耦合可能会根据应用中的 PWM 控制方案和印刷电路板的布线阻抗而变化。
- 逻辑输入可与标准 CMOS 或 LSTTL 输出配合使用。
8.2 自举操作电路
- 自举二极管 (D_{BS}) 应具有软恢复和快速恢复特性。
- 自举电阻 (R{BS}) 应是 (R{E(H)}) 的三倍,(R_{E(H)}) 推荐值为 5.6 Ω,最大可增加到 20 Ω。
- (V_{CC}) - COM 之间的陶瓷电容应大于 1 μF,并尽可能靠近模块引脚安装。
8.3 典型应用电路
- 各输入的布线应尽可能短(小于 2 - 3 cm),以避免故障。
- 由于模块内部集成了特定类型的 HVIC,可直接与 MCU 端子耦合,无需光耦或变压器隔离。
- (V_{FO}) 输出为开集电极类型,应通过约 4.7 kΩ 电阻上拉至 5 V 电源正极。
- (C{SP15}) 应约为自举电容 (C{BS}) 的七倍。
- (V{FO}) 输出脉冲宽度由外部电容 (C{FOD}) 决定。
- 输入信号为有源高电平类型,IC 内部有 3.3 kΩ 下拉电阻。
- 为防止保护功能出错,(R{F}) 和 (C{SC}) 周围的布线应尽可能短。
- 短路保护电路中,(R{F} C{SC}) 时间常数应在 1.5 ~ 2 μs 范围内。
- 各电容应尽可能靠近模块引脚安装。
- 为防止浪涌损坏,平滑电容与 P 和 GND 引脚之间的布线应尽可能短,推荐在 P 和 GND 引脚之间使用 0.1 ~ 0.22 μF 的高频无感电容。
- 在家用电器的电气设备系统中,MCU 和继电器之间应保持足够的距离。
- (C_{SPC 15}) 应大于 1 μF,并尽可能靠近模块引脚安装。
九、总结
FSBB20CH60 Motion SPM® 3 系列模块凭借其集成化的设计、丰富的保护功能和良好的电气性能,为电机驱动系统提供了可靠的解决方案。电子工程师在设计相关系统时,应充分考虑模块的特点和要求,合理选择工作条件和设计应用电路,以确保系统的稳定性和可靠性。同时,在使用过程中,要严格遵循模块的使用说明和注意事项,避免因不当操作导致模块损坏或系统故障。你在实际应用中是否遇到过类似模块的使用问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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