ON Semiconductor STK541UC60C - E智能功率模块深度解析

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ON Semiconductor STK541UC60C - E智能功率模块深度解析

一、引言

在电子工程师的日常设计工作中,智能功率模块(IPM)是实现高效功率转换和控制的关键组件。今天我们要深入探讨的是ON Semiconductor推出的STK541UC60C - E智能功率模块,它在高压控制和功率输出方面有着出色的表现。那么,这款模块有哪些独特之处呢?让我们一起来揭开它的神秘面纱。

文件下载:STK541UC60C-E.pdf

二、产品概述

STK541UC60C - E是一款高度集成的“逆变器IPM”,它将从高压直流(HV - DC)到三相输出的所有高压控制功能集成在一个单直插式封装(SIP)模块中。输出级采用IGBT / FRD技术,并具备欠压保护(UVP)和过流保护(OCP)功能,同时还有故障检测输出标志。此外,内部还提供了用于高端栅极升压驱动的升压二极管。

三、关键特性与功能

(一)功能特性

  1. 单控制电源:借助内部自举电路为高端预驱动电路供电,实现单控制电源供电,简化了电路设计。
  2. 低电压兼容性:所有控制输入和状态输出均为低电压电平,可直接与微控制器兼容,方便系统集成。
  3. 交叉导通预防:内置交叉导通预防功能,提高了模块的可靠性和安全性。

(二)认证情况

该模块通过了UL认证,文件编号为E339285,这为其在相关应用中的使用提供了可靠的保障。

四、规格参数

(一)绝对最大额定值

参数 符号 条件 额定值 单位
电源电压 VCC P到N,浪涌 < 500 V 450 V
集电极 - 发射极电压 VCE P到U、V、W或U、V、W到N 600 V
输出电流 Io P、N、U、V、W端子电流 ±10(Tc = 25°C),±5(Tc = 100°C) A
输出峰值电流 Iop P、N、U、V、W端子电流,脉冲宽度1ms ±20 A
预驱动电压 - VD1、2、3、4 VB1到U,VB2到V,VB3到W,VDD到VSS 20 V
输入信号电压 VIN HIN1、2、3,LIN1、2、3 - 0.3到7 V
FAULT端子电压 VFAULT FAULT端子 - 0.3到VDD V
最大功耗 Pd IGBT每通道 22 W
结温 Tj IGBT、FRD 150 °C
存储温度 Tstg - - 40到 + 125 °C
工作基板温度 Tc IPM外壳温度 - 40到 + 100 °C
拧紧扭矩 - 外壳安装螺丝 0.9 Nm
隔离电压 Vis 50 Hz正弦波交流1分钟 2000 VRMS

(二)电气特性

1. 功率输出部分

在不同条件下,如不同的集电极 - 发射极电压、电流和结温,模块的集电极 - 发射极截止电流、引导二极管反向电流、集电极 - 发射极饱和电压、二极管正向电压以及结到外壳的热阻等参数都有相应的表现。例如,当VCE = 600 V时,集电极 - 发射极截止电流最大值为0.1 mA。

2. 控制(预驱动)部分

预驱动功率损耗、高电平输入电压、低电平输入电压、输入阈值电压滞回、逻辑0和逻辑1输入泄漏电流、FAULT端子吸收电流、FAULT清除时间、VCC和VS欠压正向阈值、VCC和VS欠压反向阈值、VCC和VS欠压滞回、过流保护水平以及电流监测输出电平等参数,都直接影响着模块的控制性能。

3. 开关特性

包括开关时间(导通时间tON和关断时间tOFF)、导通和关断开关损耗(Eon和Eoff)、总开关损耗(Etot)、二极管反向恢复能量(Erec)、二极管反向恢复时间(trr)、反向偏置安全工作区(RBSOA)和短路安全工作区(SCSOA)等。例如,当Io = 10 A时,导通时间tON的典型值为0.6 μs。

五、模块引脚说明

引脚 名称 描述
1 - 无引脚
2 VB3 高端浮动电源电压3
3 W,VS3 输出3 - 高端浮动电源偏移电压
…… …… ……
23 VSS 负主电源

了解这些引脚的功能,对于正确连接和使用模块至关重要。

六、测试电路与应用电路

(一)测试电路

文档中详细给出了不同参数测试时的电路连接方式,如ICE / IR(BD)、VCE(SAT)、VF、ID、ISD、开关时间等测试电路,为工程师进行性能测试提供了依据。

(二)应用电路

推荐了典型的应用电路,并给出了推荐的工作条件,如电源电压、预驱动电源电压、PWM频率、死区时间、允许输入脉冲宽度和拧紧扭矩等。例如,电源电压VCC的推荐范围是0 - 450 V,PWM频率推荐为1 - 20 kHz。

七、使用注意事项

(一)自举电路

模块包含自举二极管和电阻,通过添加电容“CB”可产生高端驱动电压,每相需要一个独立的自举电容,推荐值在1 - 47 μF之间,但需在生产前进行验证。若电容值超过47 μF(±20%),需在三相高端电源端子(VB1、2、3)和自举电容之间串联一个约20 Ω的电阻。若不使用自举电路,则每个高端预驱动电源需要一个外部独立电源。

(二)缓冲电路

缓冲电路中端子间的布线长度应尽可能短,以减少浪涌电压的影响,“CS”的推荐值在0.1 - 10 μF之间。

(三)电流监测端子

“ISO”(引脚21)是电流监测端子,短路“ISO”端子和“VSS”端子时可能会有大电流流入,请勿连接。

(四)FAULT端子

“FAULT”(引脚20)是开漏输出端子(低电平有效),建议上拉电阻大于6.8 kΩ。

(五)信号输入端子

信号输入端子内部提供了100 kΩ的上拉电阻。

(六)过流保护

过流保护功能并非用于特殊故障情况,为安全起见,建议使用外部保险丝。

(七)输入脉冲宽度

当输入脉冲宽度小于1.0 μs时,输出可能对脉冲无响应。

八、总结

ON Semiconductor的STK541UC60C - E智能功率模块具有高度集成、功能丰富、性能可靠等优点。在实际设计中,电子工程师需要充分了解其规格参数、引脚功能、测试电路和使用注意事项,以确保模块能够在系统中稳定、高效地工作。大家在使用这款模块时,有没有遇到过什么特别的问题呢?欢迎在评论区分享交流。

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