电子说
在电子设计领域,功率模块的性能和适用性对整个系统的运行起着关键作用。今天我们要深入探讨的是安森美(onsemi)的STK984 - 190 - E MOSFET功率模块,它在12V汽车和工业应用中有着广泛的应用前景。
文件下载:STK984-190-E.pdf
STK984 - 190 - E是一款MOSFET功率模块,采用三相桥(B6)配置,包含6个MOSFET,还有一个额外的MOSFET用作反向电池保护开关。其紧凑的尺寸为29.6mm×18.2mm,高度仅4.3mm,采用DBC基板,具备出色的热性能,适用于额定功率高达300W的12V电机应用。
该模块集成了三相MOSFET桥和反向电池保护开关,为系统提供了可靠的保护,防止电池反向连接带来的损坏,这在汽车和工业环境中尤为重要。
具备生产件批准程序(PPAP)能力,意味着该产品在质量和生产过程上符合严格的标准,能够满足汽车等行业对零部件的高要求。
29.6mm×18.2mm的双列直插式封装,节省了电路板空间,方便在空间受限的应用中使用。
对于12V系统,能够支持高达300W的电机功率,同时MOSFET的额定参数也很出色,40V耐压,连续电流30A,脉冲电流85A,最大$R{DS(ON)}$为9.5mΩ,典型$Q{GD}$为9.8nC。
12V工业电机的驱动,模块的高性能和可靠性能够满足工业环境下电机的频繁启停和长时间运行的需求。
该模块共有38个引脚,其中部分引脚有特定功能,如W、V、U相输出引脚,电源地引脚,三相桥正电源引脚,反向电池保护开关的正电源引脚和控制引脚等。需要注意的是,引脚15、16、21、23、24、25、27、29、30、31、33、35、36、37是不存在的。
在$Tc$ = 25°C的测试条件下,模块有一系列电气参数,如漏源击穿电压、温度系数、输出电容、开关时间等。例如,漏源击穿电压在特定条件下最小为40.8V,温度系数$V{GS(TH) TJ}$为1.5 - 7mV/°C等。
文档中给出了多个典型特性曲线,包括不同温度下$ID$与$V{DS}$的关系、不同$V_{GS}$值下$ID$与$V{DS}$的关系、开关损耗与漏极电流和栅极电阻的关系、热阻抗、安全工作区、电容特性和栅极电荷特性等。这些曲线有助于工程师在设计时更好地了解模块的性能,优化电路设计。
STK984 - 190 - E MOSFET功率模块凭借其紧凑的尺寸、出色的热性能、高功率处理能力和可靠的保护功能,在12V汽车和工业应用中具有很大的优势。工程师在设计相关电路时,需要充分考虑其引脚功能、参数范围和安装要求,以确保系统的稳定运行。大家在实际应用中有没有遇到过类似功率模块的使用问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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