电子说
在当今的电子设备中,射频性能和功耗是至关重要的指标。ON Semiconductor 的 TCP - 4133UA 高线性 3.3 pF 被动可调集成电路(PTIC)在这方面表现出色,为各类移动和射频应用提供了优质的解决方案。
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ON Semiconductor 的 PTIC 产品基于一种名为 ParaScan 的可调材料,该材料以钛酸锶钡(BST)为基础。这些 PTIC 能够根据控制集成电路产生的偏置电压改变其电容值。TCP - 4133UA 具有更高的线性度,适用于对谐波性能有较高要求的应用。它采用晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP),尺寸为 0.609 x 0.862 x 0.310 mm(4 凸点),且符合无铅和 RoHS 标准。
| 在 25°C 时的典型性能数据如下: | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 工作偏置电压 | 1.0 | - | 24 | V | |
| 电容(Vbias = 2V) | 2.97 | 3.30 | 3.63 | pF | |
| 电容(Vbias = 24V) | 0.660 | 0.733 | 0.807 | pF | |
| 调谐范围(1 V - 24 V) | 4.70 | 5.10 | 5.80 | - | |
| 调谐范围(2V - 24V) | 4.10 | 4.50 | 5.20 | - | |
| 泄漏电流(WLCSP) | - | - | 0.5 | μA | |
| 工作频率 | 700 | - | 2700 | MHz | |
| 品质因数 @ 700 MHz, 10V | - | 70 | - | - | |
| 品质因数 @ 2.4 GHz, 10V | - | 35 | - | - | |
| IP3 (Vbias = 2V) | - | 72 | - | dBm | |
| IP3 (Vbias = 24 V) | - | 82 | - | dBm | |
| 2nd 谐波 (Vbias = 2 V) | - | -65 | - | dBm | |
| 2nd 谐波 (Vbias = 24 V) | - | -75 | - | dBm | |
| 3rd 谐波 (Vbias = 2 V) | - | -50 | - | dBm | |
| 3rd 谐波 (Vbias = 24 V) | - | -70 | - | dBm | |
| 过渡时间(Cmin → Cmax) | - | 80 | - | μs | |
| 过渡时间(Cmax → Cmin) | - | 70 | - | μs |
| 参数 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|
| 输入功率 | +40 | dBm |
| 偏置电压 | +25(WLCSP 推荐不超过 24V) | V |
| 工作温度范围 | -30 至 +85 | °C |
| 存储温度范围 | -55 至 +125 | °C |
| ESD 敏感度 | Class 1B JEDEC HBM 标准 | - |
芯片应在清洁的环境中处理,以避免灰尘和杂质对芯片性能的影响。
ON Semiconductor 的 PTIC 属于 ESD Class IB 敏感型,因此在操作过程中必须采用适当的 ESD 处理程序,防止静电对芯片造成损坏。
WLCSP PTIC 采用倒装芯片焊接方式,通过标称高度为 65 μm(高度变化范围 45 μm 至 85 μm)的 SAC305 焊球与 PTIC 管芯上的射频和偏置端子建立连接。该管芯符合 RoHS 标准,适用于无铅焊接工艺。
PTIC 管芯可进行塑封或底部填充,以提高芯片的机械稳定性和可靠性。
在具体电路设计中配置 PTIC 时,至少有一个射频端子必须连接到直流地。如果需要最小的过渡时间,建议将两个射频端子都连接到直流地。为了最小化损耗,PTIC 的方向应使 RF2 处于两个射频节点中较低的射频阻抗处。例如,对于并联 PTIC,应将 RF2 连接到射频地。
TCP - 4133UA 作为 ON Semiconductor 的一款高性能 PTIC,凭借其超宽调谐范围、高线性度、低损耗等特性,在移动和射频应用中具有广阔的应用前景。工程师在设计过程中,需要充分考虑其电气性能参数、组装要求和方向配置等因素,以实现最佳的系统性能。大家在实际应用中是否遇到过类似 PTIC 的应用挑战呢?欢迎在评论区分享你的经验。
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