TDK推出B25696H*系列MKP直流支撑电容器

近日，TDK株式会社（东京证券交易所代码：6762）正式发布 B25696H*系列MKP直流高频（HF）薄膜电容器 ，这是一款面向新一代碳化硅（SiC）电力电子器件的高可靠性直流支撑电容器平台，直接对标SiC逆变器高频、高压、高可靠性的核心需求。

SiC器件的开关速度比硅基快5—10倍，dv/dt可达50kV/μs以上。传统直流支撑电容的寄生电感在这种速度下会产生严重的 电压尖峰（V = L·di/dt） ，直接冲击SiC MOSFET/二极管，缩短器件寿命甚至导致击穿。

B25696H*系列通过 特殊内部绕组设计 ，实现绕组间电流均匀分布，将自感压至30nH——这在SiC直流支撑电容中属于第一梯队水平。配合100kHz范围内依然平坦的ESR曲线，实际效果是：

• 电压尖峰大幅降低 → SiC器件电应力减小 → 热工裕量提升
• ESR损耗最小化 → 发热降低 → 寿命延长
• 无需或减少吸收电容 → 系统BOM精简、功率密度提升

作为参照，TDK同期在推的ModCap UHP系列（B25648A）ESL仅8nH，但那是方形模块化封装、面向更高功率等级（1350–1800V，470–880µF）的产品；B25696H*的定位是 宽电压宽容值的通用SiC支撑平台 ，两条线互补覆盖不同功率段。

典型应用场景

应用	为何需要超低ESL
储能系统（ESS）	高频双向变流器，SiC器件开关损耗敏感
固态变压器（SST）	极高开关频率，电压尖峰容忍度极低
可再生能源逆变器	光伏/风电变流器高频化趋势明确
牵引驱动	轨交逆变器高频化+高温环境双重挑战
工业电机驱动	高功率密度要求，紧凑型设计

TDK同步提供免费在线 CapThermal工具 ，工程师可输入实际工况条件进行热仿真，精确评估特定应用下的电容器使用寿命，帮助缩短SiC电力变换器的设计周期。此外还有SPICE模型库和CLARA额定值查询工具配合使用。

B25696H*填补的是900–2000V宽电压段、柱形封装、中等容量的空白，适合不需要方形模块化但对ESL有严格要求的SiC设计。

一句话总结：SiC开关越快，对电容寄生电感越敏感。TDK这次把直流支撑电容的自感压到30nH、ESR压到0.8mΩ，就是在帮SiC器件"降压减负"——让功率半导体跑得更快，同时活得更久。