电子说
在电子设计领域,模拟开关是一种常见且关键的器件,它在信号切换、路由等方面发挥着重要作用。今天我们要深入探讨的是 onsemi 公司的 NLAS5223B 和 NLAS5223BL 超低压双 SPDT(单刀双掷)模拟开关,这两款器件在性能和应用上都有独特之处。
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NLAS5223B 采用亚微米硅栅 CMOS 技术制造,是一款先进的 CMOS 模拟开关。它具有超低的导通电阻 (R{ON}),在 (V{CC}=4.3V) 时典型值为 (0.35Omega)。该器件为双独立单刀双掷开关,具备保证的先断后通(BBM)切换功能,能确保开关不会使驱动器短路。
在 (V{CC}=4.3V) 时,典型 (R{ON}) 仅为 (0.35Omega),能有效降低信号传输过程中的损耗。NLAS5223B 可与 2.8V 芯片组接口,NLAS5223BL 则可与 1.8V 芯片组接口,适用于不同的系统环境。
支持单电源 1.65 - 4.5V 操作,能处理 (0 - V_{CC}) 的全信号范围,具有很强的灵活性。
可有效减少通道间的干扰,保证信号的纯净度。
待机电流小于 (50nA),有助于降低系统功耗。
导通电阻平坦度为 0.15,每个开关可通过 ±320mA 的连续电流,模拟输入端的大电流钳位二极管具有 ±100mA 的连续电流能力。
提供 1.4 x 1.8 x 0.75mm WQFN10 和 1.4 x 1.8 x 0.55mm UQFN10 两种无铅封装,适合对空间要求较高的应用。
| QFN PIN # | Symbol | Name and Function |
|---|---|---|
| 2, 5, 7, 10 | NC1 to NC2, NO1 to NO2 | 独立通道 |
| 4, 8 | IN1 and IN2 | 控制端 |
| 3, 9 | COM1 and COM2 | 公共通道 |
| 6 | GND | 接地(V) |
| 1 | V CC | 正电源电压 |
需要注意的是,超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。例如,连续直流电流从 COM 到 NC/NO 最大为 +320mA,峰值电流(10% 占空比,100ms = tON)为 ±600mA 等。
直流电源电压 (V{CC}) 范围为 1.65 - 4.5V,数字选择输入电压 (V{IN}) 范围为 GND - 4.5V 等。超出推荐工作范围的应力可能会影响器件的可靠性。
包括开关的导通时间、关断时间、最小先断后通时间等参数,以及控制引脚输入电容、端口电容等。例如,在 (R{L}=50Omega),(C{L}=35pF) 条件下,导通时间最大为 50ns,关断时间最大为 40ns。
如最大导通通道 -3dB 带宽、导通通道损耗、关断通道隔离、电荷注入、总谐波失真等。以带宽为例,在 (V{IN}) 位于 (V{CC}) 和 GND 中间时,1.65 - 4.5V 的电源电压下,典型值为 19MHz。
| Device | Package | Shipping † |
|---|---|---|
| NLAS5223BMNR2G | WQFN10 (Pb−Free) | 3000 / Tape & Reel |
| NLAS5223BLMNR2G | WQFN10 (Pb−Free) | 3000 / Tape & Reel |
| NLAS5223BMUR2G | UQFN10 (Pb−Free) | 3000 / Tape & Reel |
需要注意的是,部分器件已停产,在进行新设计时需谨慎选择。
总之,onsemi 的 NLAS5223B 和 NLAS5223BL 模拟开关以其超低导通电阻、宽电源电压范围、高隔离度等特性,为电子工程师在设计中提供了一个优秀的选择。在实际应用中,工程师们需要根据具体的系统要求,合理选择和使用这些器件,以达到最佳的性能和可靠性。大家在使用过程中有没有遇到过类似模拟开关的一些特殊问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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