MC74LVX373：高速CMOS八进制锁存器的卓越之选

在电子设计领域，选择合适的锁存器对于系统的性能和稳定性至关重要。今天，我们就来深入了解一下安森美（onsemi）的MC74LVX373，这是一款具有3态输出的先进高速CMOS八进制锁存器，具备5V容限输入，能为不同电压系统的接口提供可靠解决方案。

文件下载：MC74LVX373-D.PDF

产品概述

MC74LVX373作为一款八进制D型锁存器，输入能够承受高达7.0V的电压，这使得它可以轻松实现5.0V系统与3.0V系统的接口连接。该锁存器由锁存使能输入（LE）和输出使能输入（OE）控制，当输出使能输入为高电平时，八个输出处于高阻抗状态。

产品特性

高速性能

在(V{CC}=3.3V)的条件下，典型传播延迟(t{PD}=5.8ns)，能够满足高速数据处理的需求。这意味着在高速电路设计中，MC74LVX373可以快速响应并传输数据，减少信号延迟对系统性能的影响。

低功耗

在(T{A}=25^{circ}C)时，最大电源电流(I{CC}=4mu A)，有效降低了系统的功耗。对于需要长时间运行的设备，低功耗特性可以延长电池续航时间，提高设备的整体效率。

输入保护

提供电源关断保护功能，增强了器件的可靠性和稳定性。在电源异常或关断的情况下，能够有效保护输入电路，避免因电压波动而损坏器件。

平衡传播延迟

确保信号在各个输出端的传播延迟一致，减少信号失真和干扰。这对于需要同步处理多个信号的系统尤为重要，可以保证数据的准确传输和处理。

低噪声

最大安静输出动态(V_{OLP}=0.8V)，减少了噪声对系统的影响。在对噪声敏感的应用中，低噪声特性可以提高系统的抗干扰能力，保证信号的质量。

兼容性强

引脚和功能与其他标准逻辑系列兼容，方便工程师进行电路设计和升级。这意味着在现有的电路设计中，可以方便地替换或集成MC74LVX373，降低了设计成本和风险。

高抗闩锁性能

闩锁性能超过300mA，提高了器件的抗干扰能力。在复杂的电磁环境中，能够有效避免闩锁现象的发生，保证系统的正常运行。

静电放电（ESD）保护

人体模型（HBM）大于2000V，机器模型（MM）大于200V，提供了良好的ESD保护。在实际应用中，能够有效防止静电对器件的损坏，提高器件的可靠性和使用寿命。

环保特性

这些器件为无铅产品，符合RoHS标准，满足环保要求。在当今注重环保的时代，选择环保型器件不仅符合法规要求，也体现了企业的社会责任。

引脚分配与功能

MC74LVX373采用20引脚封装，包括SOIC - 20和TSSOP - 20两种封装形式。引脚功能如下：	Pins	Function
OE	Output Enable Input
LE	Latch Enable Input
D0−D7	Data Inputs
O0−O7	3−State Latch Outputs

电气特性

最大额定值

Symbol	Parameter	Value	Unit
VCC	DC Supply Voltage	-0.5 to +7.0	V
Vin	DC Input Voltage	-0.5 to +7.0	V
Vout	DC Output Voltage	-0.5 to VCC +0.5	V
Ik	Input Diode Current	-20	mA
lok	Output Diode Current	+20	mA
lout	DC Output Current, per Pin	+25	mA
ICC	DC Supply Current, VCC and GND Pins	±75	mA
PD	Power Dissipation	180	mW
Tstg	Storage Temperature	-65 to +150	°C

在实际使用中，应避免超过这些最大额定值，以免损坏器件。

推荐工作条件

Symbol	Parameter	Min	Max	Unit
VCC	DC Supply Voltage	2.0	3.6	V
Vin	DC Input Voltage	0	5.5	V
Vout	DC Output Voltage	0	VCC	V
TA	Operating Temperature, All Package Types	-40	+85	°C
$Delta t / Delta V$	Input Rise and Fall Time	0	100	ns/V

在推荐工作条件下使用器件，可以保证其正常工作和性能稳定。

直流电气特性

包括高电平输入电压（(V{IH})）、低电平输入电压（(V{IL})）、高电平输出电压（(V{OH})）、低电平输出电压（(V{OL})）、输入泄漏电流（(I{in})）、最大3态泄漏电流（(I{oz})）和静态电源电流（(I_{CC})）等参数，这些参数在不同的电源电压和温度条件下有所不同。

交流电气特性

在输入上升和下降时间(t{r}=t{f}=3.0ns)的条件下，给出了传播延迟（(t{PLH})、(t{PHL})）、输出使能时间（(t{pzL})、(t{pzH})）、输出禁用时间（(t{PLZ})、(t{PHZ})）和输出到输出偏斜（(t{OSHL})、(t{OSLH})）等参数。这些参数对于评估器件在高速信号处理中的性能非常重要。

电容特性

包括输入电容（(C{in})）、最大3态输出电容（(C{out})）和功耗电容（(C{PD})）等参数。其中，(C{PD})用于确定无负载动态功耗，通过公式(I{CC(OPR)}=C{PD} cdot V{CC} cdot f{in }+I_{CC} / 8)（每个锁存器）可以计算平均工作电流。

噪声特性

在输入(t{r}=t{f}=3.0ns)，(C{L}=50pF)，(V{CC}=3.3V)的条件下，测量了安静输出最大动态(V{OLP})、安静输出最小动态(V{OLV})、最小高电平动态输入电压(V{IHD})和最大低电平动态输入电压(V{ILD})等参数，这些参数反映了器件在高速运行时的噪声性能。

时序要求

包括最小脉冲宽度（(t{w(h)})）、最小建立时间（(t{su})）和最小保持时间（(t_{h})）等参数，这些参数对于确保器件正确锁存和传输数据至关重要。

订购信息

Device	Package	Shipping †
MC74LVX373DWR2G	SOIC−20 (Pb−Free)	1000 Tape & Reel
MC74LVX373DTR2G	TSSOP−20 (Pb−Free)	2500 Tape & Reel

思考与总结

MC74LVX373凭借其高速、低功耗、高可靠性等诸多优点，在电子设计中具有广泛的应用前景。作为电子工程师，在选择锁存器时，需要综合考虑系统的需求和器件的特性，以确保设计的电路能够稳定、高效地运行。你在实际设计中是否使用过类似的锁存器？遇到过哪些问题？欢迎在评论区分享你的经验和见解。