电子说
在电机驱动领域,一款性能卓越的MOSFET驱动芯片对于系统的稳定运行和高效性能至关重要。RENESAS的HIP4086和HIP4086A(以下简称HIP4086/A)就是这样两款值得关注的3相N沟道MOSFET驱动芯片,它们专为PWM电机控制而设计,具有诸多出色的特性。
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HIP4086/A是3相N沟道MOSFET驱动芯片,主要用于PWM电机控制。它们具有灵活的输入协议,能驱动各种开关组合,甚至在开关磁阻应用中,用户还可覆盖直通保护功能。这两款芯片的可编程死区时间范围为0.5µs至4.5µs,非常适合电机驱动常用的低频(最高100kHz)应用。HIP4086和HIP4086A的主要区别在于,HIP4086A内置的电荷泵被禁用,这在对EMI性能要求极高的应用中非常有用,因为电荷泵工作频率为10MHz。而HIP4086的优势在于其内置电荷泵能让高端驱动器实现无限长的导通时间。
能够独立驱动3相桥配置中的6个N沟道MOSFET,为电机驱动提供了强大的支持。
自举电源最大电压可达95VDC,偏置电源范围为7V至15V,适应多种不同的电源环境。
具有1.25A的峰值关断电流,能快速可靠地关断MOSFET。
能够驱动1000pF负载,典型上升时间为20ns,下降时间为10ns,保证了快速的开关响应。
HIP4086/A适用于多种电机驱动应用,包括无刷电机(BLDC)、3相交流电机、开关磁阻电机驱动器、电池供电车辆和电池供电工具等。
芯片采用24引脚的PDIP和SOIC封装,各引脚具有特定的功能:
通过真值表可以清晰地了解输入信号与输出信号之间的逻辑关系,确保芯片的正确使用。例如,当DIS引脚为高电平时,所有六个输出均为低电平,且DIS高电平会覆盖其他所有输入。
自举电容的选择不仅要考虑为高端驱动器提供内部偏置电流,更重要的是要能为被驱动的FET提供足够的栅极电荷,同时避免自举电压过度下降。通过相关公式和参数计算,可以确定合适的自举电容值。例如,在无电荷泵的情况下,根据特定的电压降要求,计算出所需的自举电容值;而在HIP4086中,由于电荷泵的存在,所需的自举电容值更小,且对周期时长没有限制。
在典型应用电路中,可通过在xHO输出和FET栅极之间添加串联电阻来降低桥FET的开关速度。同时,建议在低端FET上使用栅源电阻,以防止在桥电压先于VDD施加时桥的意外导通。而高端FET上通常不需要栅源电阻,但如果使用较小的栅源电阻,要注意会影响HIP4086电荷泵的性能。
在高端桥FET关断时,xHS引脚会出现负瞬态,其绝对最大允许瞬态为 -6V,应尽量降低其幅值。可通过减慢桥FET的关断速度、优化PCB设计或采用二极管钳位等方法来减小负瞬态的影响。
为了实现HIP4086/A的最佳性能,PCB布局至关重要。建议将驱动器尽可能靠近被驱动的功率FET,缩短功率回路,避免高di/dt和dv/dt节点与低电平信号线路平行,使用低电感元件和去耦电容等。
RENESAS的HIP4086和HIP4086A是两款功能强大、性能出色的3相MOSFET驱动芯片,适用于多种电机驱动应用。通过深入了解其特性、引脚功能、电气特性和应用设计要点,电子工程师可以更好地将其应用于实际项目中,提高系统的性能和可靠性。在实际设计过程中,你是否遇到过类似芯片应用的挑战?又是如何解决的呢?欢迎在评论区分享你的经验。
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