探索ISL99227和ISL99227B智能功率级模块的卓越性能

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探索ISL99227和ISL99227B智能功率级模块的卓越性能

在电子设计领域,电源管理模块的性能直接影响着整个系统的稳定性和效率。今天,我们将深入探讨Intersil公司推出的ISL99227和ISL99227B智能功率级(SPS)模块,看看它们如何为多相DC/DC系统带来革新。

文件下载:ISL99227IRZ.pdf

产品概述

ISL99227和ISL99227B分别与Intersil的ISL68xxx/69xxx数字多相(DMP)控制器和相位倍增器(ISL6617A)兼容。这两款模块集成了高精度的电流和温度监测器,能够将监测数据反馈给控制器和倍增器,从而完善多相DC/DC系统。它们通过消除DCR感应网络和相关的热补偿,简化了设计并提高了性能。此外,专门的LFET控制引脚支持轻载效率,而业界领先的热增强型5x5 PQFN封装则最大限度地减少了整体PCB占用空间。

关键特性

输入与电流支持

  • 输入范围:+4.5V至+18V,能够适应多种电源环境。
  • 电流支持:支持60A直流电流,满足高功率应用需求。

PWM输入兼容性

  • ISL99227:具有3.3V兼容的三态PWM输入,适用于使用3.3V PWM逻辑的控制器。
  • ISL99227B:具有5.0V兼容的三态PWM输入,可与5V PWM逻辑的设备配合使用。

监测功能

  • 电流监测:采用降斜率电流感应技术,IMON电流监测器精度可达±3%,并带有REFIN输入。
  • 温度监测:8mV/°C温度监测器,带有OT标志,能实时反馈模块温度。

保护功能

  • 全面的故障保护:包括高端FET短路和过流保护、过温保护、VCC和VIN欠压锁定(UVLO),确保系统的高可靠性。
  • 故障报告输出:开漏故障报告输出引脚,简化了SPS与Intersil控制器之间的握手过程,并可在启动和故障条件下禁用控制器。

其他特性

  • 开关频率:高达2MHz的开关频率,适用于高频应用。
  • 封装:无铅(符合RoHS标准),32引脚5x5 PQFN封装。

应用领域

ISL99227和ISL99227B适用于多种应用场景,包括:

  • 高频高效VRM和VRD:满足高频电源转换需求。
  • 微处理器核心、图形和内存调节器:为微处理器提供稳定的电源。
  • 服务器、网络和云计算的高密度VR:适用于对电源密度要求较高的应用。
  • POL DC/DC转换器和视频游戏机:为各类设备提供高效的电源解决方案。

工作原理

上电复位(POR)

在初始启动期间,模块会监测VCC电压的上升。当VCC电压超过3.86V(典型值)并持续125µs时,驱动器将进入正常工作状态。同时,VIN的POR也会被监测,当VCC和VIN都达到各自的POR触发点时,将启用高端FET过流保护。

直通保护

在POR之前,欠压保护功能会被激活,将GH和GL保持为低电平,使HFET和LFET处于关闭状态。POR之后,经过125µs的延迟,PWM和LGCTRL信号将用于控制高端和低端MOSFET,确保不会出现两个FET同时导通的情况。

三态PWM输入

ISL99227支持3.3V PWM三电平输入,而ISL99227B支持5V PWM逻辑。如果PWM引脚在设定的保持时间内处于三态窗口,驱动器将强制两个MOSFET关闭。当PWM信号移出关闭窗口时,驱动器将立即根据PWM命令恢复对MOSFET的驱动。

自举功能

模块内部的NFET被控制用作自举二极管。在BOOT和PHASE引脚之间应放置一个高质量的陶瓷电容器,其电容值范围为0.1µF至0.22µF,适用于正常的降压开关应用。

电流监测

LFET电流会被监测,并在IMON引脚输出与该电流成比例的信号。这种方法无需外部RSENSE或电感电流的DCR感应。需要注意的是,HFET电流的监测方式不同,在PWM为高电平时,IMON将输出采样停止前的最后一个有效LFET电流。

过流保护

当HFET电流超过90A(典型值)时,将检测到过流故障。此时,GH将被强制拉低,IMON引脚将被拉高至REFIN + 1.2V,以通知控制器发生过流故障。控制器应将PWM设置为三态,以确认故障。故障将在PWM进入三态约1µs后清除。

短路HFET保护

如果HFET短路,即使LFET导通,SW节点也会出现过高的正电压。当该电压超过100mV(典型值)时,将宣布HFET短路故障。此时,IMON引脚将被拉高,FAULT#引脚将被拉低,故障将被锁存,需要VCC POR来复位。

热监测与保护

模块会监测内部温度,并在TMON引脚输出与温度成比例的信号。当内部温度超过过温触发点(典型值为+140°C)时,TMON引脚将被拉高至约2.5V,FAULT#引脚将被拉低。直到结温降至+125°C(典型值)以下,TMON和FAULT#引脚才会恢复正常工作。

PCB布局考虑

合理的PCB布局对于降低噪声耦合、提高热性能和最大化效率至关重要。以下是一些布局建议:

  • 去耦电容:在VIN和GND之间直接放置多个10µF或更大的陶瓷电容器,以减少电源开关回路中的寄生电感。
  • 接地连接:将GND通过大的过孔阵列连接到系统GND平面,以提高热和电气性能。
  • 其他去耦电容:在IC引脚处放置PVCC、VCC和BOOT - PHASE去耦电容。
  • SW平面:SW平面应承载全部负载电流,但不应过大或靠近任何敏感信号。应尽量将电感靠近模块放置,以最小化SW连接所需的面积。
  • IMON和IREF网络:IMON和IREF网络及其过孔不应位于VIN平面上方,建议设置一个禁止区域。
  • PCB散热:PCB是比任何顶部散热材料更好的散热材料,应确保有足够的过孔连接VIN和GND平面。

评估板

Intersil提供了多款评估板,方便工程师进行测试和验证。例如,ISL69127 - 61P - EV1Z评估板在60A时的峰值效率可达95.7%,支持SMBus/PMBus/I2C通信,适用于VCORE和VSA应用。

总结

ISL99227和ISL99227B智能功率级模块凭借其高精度的监测功能、全面的保护机制和优秀的性能,为多相DC/DC系统提供了可靠的解决方案。在实际应用中,工程师们需要根据具体需求选择合适的型号,并注意PCB布局的合理性,以充分发挥这两款模块的优势。你在使用类似模块时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。

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