碳化硅背面热点如何精准定位+FIB cut

碳化硅热点后FIB切割，由于正面铝层太厚，正面无法精准定位，以下为实操定位手段的详细方法。

分析流程：

1.Backside polish 样品制备；

2.Backside  热点定位；

3.热点位置做mark-初步mark；

4.再次热点定位；

5. FIB 精准定位；

6.正面取die后通过FIB mark 坐标；

7.FIB cut热点位置；

一、热点定位后Mark标记：

如下图，EFA背面热点后，会在hot spot附近用银浆进行标记，方便后续FIB进行位置确认。

注意点：

1.热点标记方式：聚焦在die上，热点和IR图叠图20X。（为便于描述热点的相对pattern的位置，热点区域用框标记，框的大小与热点大小一致；也可以只用热点不用框标记）

2.热点图片一般选择50X的图片（如果50X下做不出热点，用20X，但倍率越大定位越精确，因此尽量选用高倍做热点）

二、EFA提供IR聚焦在AA层和晶背表面图片，以便在晶背面确认Mark point在热点的相对位置。

注意点：

IR聚焦AA层和晶背表面需要使用同样倍率镜头

三、晶背表面确认热点位置

1.通过对比热点网格图，确认热点与Mark point相对尺寸(如晶背表面在临近热点有参照物，可以测量热点与参照物的距离，防止E-beam高倍模式下Mark point不在视野内)。

2.样品放入FIB设备，根据上一步参照物和测量尺寸，在E-beam模式下进行晶背表面测量热点位置。

注意点：

1.Mark Point是相对较大的参照物，如晶背面的热点位置附近有参照物，可以用参照物作为尺寸的起始点。

2.一般尺寸选择X和Y两个方向，X、Y交叉点为热点位置。

四、FIB晶背表面Mark位置

根据E-Beam尺寸确认，使用 I-beam做FIB Mark.

注意点：

1.选择线mark（线mark，不设宽度）。电压：30KV，电流：0.43na

2.X方向长度10um，Y方向长度5um，深度都是5um，XY交叉点为热点位置。

五、FIB Mark位置后进行IR二次确认FIB Mark与热点位置偏差，及施工位置确认

1.标定背面FIB mark的偏差：IR下聚焦到芯片表面，通过之前的参照物和网格线确定热点位置，把热点区域用框标记，背面的FIB Mark用线标记，在IR图片上确定热点与背面FIB的偏差（热点框-Mark线）。

2.EFA IR模式下，FIB Mark为红色箭头两个黑点。

3.在同一个视野下，IR聚焦到AA层，上一步IR图上确定的热点框-Mark线与器件的结构overlay，由此准确定位FIB施工区域。

六、芯片正面定位一：表面测量定位

1.在芯片晶背面，使用OM测量FIB mark到芯片边缘的尺寸。

2.在芯片正面(金属面)，使用OM测量芯片边缘到芯片内部距离，长度要与第一步数据一样。

注意点：

1.芯片正反面OM测量数据是用于在芯片正面粗略定位。

2.晶背面测量起始点是FIB mark，终点是芯片边缘，芯片正面是以芯片边缘为测量起始点。

3.需要X和Y方向测量。

七、芯片正面定位二：FIB初步定位

在上一步所确定的位置，在I-Beam下做正面FIB mark。X方向长度10um，深度20um；Y方向长度5um，深度20um。

注意点：

正面FIB时需打穿metal层，确保打到衬底，从晶背面能看到正面FIB Mark

八、芯片正面定位三：FIB精确定位

正面FIB mark做完后，把样品拿到IR下拍照观察背面，确定正面FIB mark和背面FIB mark的位置偏差，确定热点实际位置与正面FIB Mark的位置关系。

季丰电子

季丰电子成立于2008年，是一家聚焦半导体、先进材料、先进装备、新型能源等领域的软硬件研发及检测类技术服务的赋能型平台企业。公司主营分为四大板块，分别为基础实验室、软硬件开发、测试封装和仪器设备，可为芯片设计、晶圆制造、封装测试、材料装备、新型能源等产业客户提供一站式的软硬件方案、检测分析类技术服务及实验室部署方案。

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