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在工业自动化领域,工业以太网模块是实现设备联网与数据通信的关键组件。今天我们就来深入了解一下瑞萨(Renesas)的R-IN32M3模块(RY9012A0),它在实时工业以太网通信方面表现出色。
R-IN32M3模块目前已可投入使用,它是一款经过认证的双端口以太网模块解决方案,支持PROFINET、EtherNet/IPTM和EtherCAT®等实时协议,还集成了一个2端口以太网交换机,适用于各种网络拓扑结构。模块内包含运行协议库的Renesas R-IN32M3 - EC,支持多种实时工业以太网通信协议。通过通用应用编程接口(API),应用处理器能轻松访问协议库,通过精简的SPI模块接口与用户应用交换实时网络数据。这个通用API是实时通信的抽象平台,提供可扩展的多协议解决方案。外部应用处理器可完全控制模块CPU上运行的协议栈,且不干扰模块的实时通信,也不浪费主机处理器的CPU性能。同时,现有的工业以太网协议实现都符合最新规范版本,丰富的工具链(包括评估板、API源代码和主机应用示例及详细文档)便于集成到目标应用环境,能帮助用户快速建立与现有或新应用、产品和网络的连接,加速产品上市时间。
该模块支持PROFINET、EtherNet/IPTM和EtherCAT®实时通信标准,在主机MCU控制下还支持ModbusTCP。它采用一体化紧凑设计,带有2端口以太网接口,包含以太网PHY和RJ45连接器,以太网端口支持10 Mbps和100 Mbps自动协商。此外,还为瑞萨RA、RX、Synergy和RL78提供了全面的工具支持和以源代码形式呈现的应用示例。
在固件版本Ver2.1.0.0及以上时,R-IN32M3模块支持以下协议特性:
通过产品标签右上角的编号可识别固件版本,如20/对应Firmware Ver.1.1.9,21/对应Firmware Ver.1.1.9,22/对应Firmware Ver.2.1.4。具体产品标签细节可参考用户手册《Hardware (R19UH0122ED**)》中的「9. Marking Specifications」。
该模块有两种包装可供选择:RY9012A0000GZ00#001为30件托盘包装,RY9012A0000GZ00#002为1件样品包装。
| 以太网端口符合IEEE 802.3 10BASE - T / 100BASE - TX标准,支持半/全双工,其引脚分配如下: | Pin | Signal | I/O | Description |
|---|---|---|---|---|
| 1 | TX+ | O | 发送信号正 | |
| 2 | TX- | O | 发送信号负 | |
| 3 | RX+ | I | 接收信号正 | |
| 4 | Not used | 接地线 | ||
| 5 | Not used | 接地线 | ||
| 6 | RX- | I | 接收信号负 | |
| 7 | Not used | 接地线 | ||
| 8 | Not used | 接地线 |
| 模块引脚与电源和SPI接口相连,SPI为从接口,具体引脚信息如下: | Pin | Signal | I/O | Description |
|---|---|---|---|---|
| 1 | Vcc | 3.3V ±0.15V直流电源 | ||
| 2 | GND | 接地 | ||
| 3 | /SS | I | 从选择:低电平有效以启用从设备 | |
| 4 | /RESET | I | 整个R - IN32M3模块复位:低电平有效 | |
| 5 | MISO | O | 主入从出:数据从从设备到主设备 | |
| 6 | MOSI | I | 主出从入:数据从主设备到从设备 | |
| 7 | SCLK | I | 串行时钟:主设备提供时钟以进行数据移位 | |
| 8 | SYNC0 | O | EtherCAT分布式时钟同步信号 | |
| 9 | SYNC1 | O | EtherCAT分布式时钟同步信号 |
需要注意的是,引脚8和9的EtherCAT分布式时钟同步信号仅用于EtherCAT协议,且按照EtherCAT规范运行。
R - IN32M3模块的SPI用于将模块与外部应用处理器连接。为使模块时钟与外部应用处理器时钟独立,SPI接口的串行传输采用异步模式,通过MOSI、MISO、SCLK和SS四个引脚处理。应用控制器作为SPI主设备决定SPI通信模式,SPI数据格式为MSB优先,每次传输8位,128字节的传输缓冲区可传输多个请求。通信基于循环方案,过程数据可根据应用控制器的每个请求循环传输,实时和非实时通信(RPC)使用相同的传输系统,但处理与实时通信解耦,因此实时数据可独立于API函数调用进行交换。
R - IN32M3模块的内部硬件框图展示了其内部硬件组成结构,有助于我们了解模块的硬件架构。
软件框图则展示了模块的软件组成以及与应用处理器的连接方式,为软件开发者提供了清晰的架构图。
| 应力超过最大额定值(即使是短时间)可能会损坏R - IN32M3模块,不保证在推荐工作条件以上的功能操作,长时间暴露在推荐工作条件以上的应力下可能影响设备可靠性。具体绝对最大额定值如下: | Parameter | Symbol | Rating | Unit |
|---|---|---|---|---|
| 电源电压 | V CC | -0.2 to +3.6 | V | |
| I/O电压 | VI/Vo | -0.3 to +3.6 | V | |
| 输出电流 | Io | 15 | mA | |
| 存储温度 | T stg | -40 to +85 | °C |
| 模块的工作条件如下: | Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电源 | Vcc | 3.15 | 3.3 | 3.45 | V | |
| 功耗 | P | 1.3 | 2.0 | W | ||
| 输入高电压 | VIH | 2.0 | Vcc + 0.3 | V | ||
| 输入低电压 | VIL | -0.3 | 0.8 | V | ||
| 输入高电压 (/RESET) | VIH RESET | 2.2 | Vcc | V | ||
| 输入低电压 (/RESET) | VIL RESET | -0.2 | 0.3 | V | ||
| 输出高电压 | VOH | Vcc - 0.1 | V | |||
| 输出低电压 | VOL | 0.1 | V | |||
| 输出低电流 | IOL | 6 | mA | |||
| 输出高电流 | IOH | -6 | mA | |||
| 工作温度 | T a | -40 | 70 | °C |
| 在Vcc = 3.3 ± 0.15 V,Ta = -40 至 +70°C的条件下,SPI有以下规范: | Parameter | Symbol | Conditions | Min. | Max. | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SCLK输入周期 | tCSISSCK | - | 60 | - | ns | |
| SCLK输出高电平宽度 | tWSKH | - | tCSIMSCK × 0.5 - 5.0 | - | ns | |
| SCLK输出低电平宽度 | tWSKL | - | tCSIMSCK × 0.5 - 5.0 | - | ns | |
| MOSI输入建立时间 (to CSISCKn↑) | tSSSI | - | 10 | - | ns | |
| MOSI输入建立时间 (to CSISCKn↓) | tSSSI | - | 10 | - | ns | |
| MOSI输入保持时间 (from CSISCKn↑) | tHSSI | - | 15 | - | ns | |
| MOSI输入保持时间 (from CSISCKn↓) | tHSSI | - | 15 | - | ns | |
| MISO输出延迟时间 (from CSISCKn↑) | tDSSO | C L = 15 pF | - | 10 | ns | |
| MISO输出延迟时间 (from CSISCKn↓) | tDSSO | - | 10 | ns | ||
| MISO输出保持时间 (from CSISCKn↑) | tHSSO | tCSISSCK × 0.5 - 5.0 | - | ns | ||
| MISO输出保持时间 (from CSISCKn↓) | tHSSO | tCSISSCK × 0.5 - 5.0 | - | ns |
R - IN32M3模块符合多项标准,包括CE标记、UKCA标记,在发射方面符合EN61000 - 6 - 4、EN55016 - 2 - 3、EN55022等标准,在抗扰度方面符合EN61000 - 6 - 2、EN61000 - 4 - 2等标准,还符合RoHS / REACH、UL(UL 61010 - 1, 3rd Edition和UL 61010 - 2 - 201, 2nd Edition)、CAN/CSA C22.2 No. 61010 - 1, 3rd Edition和CAN/CSA C22.2 No. 61010 - 2 - 201:18等标准。
支持轻松进行评估和开发,更多信息可访问瑞萨官网。
可通过Arduino™或P - mod接口与现有的MCU评估板连接,提供EK - RA6M4 / EK - RA6M3 (RA)、RL78/G14和SK - S7G2(Synergy)的示例软件。
集成了R - IN32M3模块和RX66T CPU卡,提供SEMB1320 (RX66T)的示例软件,SEMB1320是Shimafuji Electric Co., Ltd.的产品。
CMOS设备暴露在强电场中可能导致栅极氧化物损坏,影响设备运行。因此要尽可能减少静电产生,及时消散静电,保持环境湿度,避免使用易产生静电的绝缘体。半导体器件应存储和运输在防静电容器、静电屏蔽袋或导电材料中,测试和测量工具、工作台和地板都要接地,操作人员要佩戴腕带,避免用裸手触摸半导体器件,对装有半导体器件的印刷电路板也要采取同样的防护措施。
上电时产品状态不确定,LSI内部电路状态、寄存器设置和引脚状态都未定义。对于通过外部复位引脚施加复位信号的成品,从上电到复位过程完成期间,引脚状态无法保证;对于通过片上上电复位功能复位的产品,从上电到电源达到指定复位电平期间,引脚状态也无法保证。
设备掉电时,不要输入信号或I/O上拉电源,否则可能导致设备故障和内部元件性能下降,要遵循产品文档中关于掉电状态下输入信号的指导原则。
要按照手册中关于未使用引脚的处理说明进行操作。CMOS产品的输入引脚通常处于高阻抗状态,未使用引脚处于开路状态时,可能会在LSI附近感应额外的电磁噪声,导致内部产生直通电流,还可能因误识别引脚状态为输入信号而出现故障。
复位后,要等工作时钟信号稳定后再释放复位线。程序执行过程中切换时钟信号时,要等待目标时钟信号稳定。使用外部谐振器或外部振荡器生成时钟信号时,要确保时钟信号完全稳定后再释放复位线,程序执行过程中切换到外部谐振器或外部振荡器产生的时钟信号时,也要等待目标时钟信号稳定。
输入噪声或反射波导致的波形失真可能引起设备故障。例如,CMOS设备输入因噪声停留在VIL (Max.)和VIH (Min.)之间时,设备可能会出现故障。要注意防止输入电平固定时和输入电平经过VIL (Max.)和Vin (Min.)之间的过渡期间产生的抖动噪声进入设备。
保留地址是为未来功能扩展预留的,访问这些地址不能保证LSI的正确运行,因此禁止访问。
更换产品(如更换不同型号的产品)前,要确认不会出现问题。同一组中不同型号的微处理单元或微控制器单元产品,其内部内存容量、布局模式等因素可能不同,会影响电气特性范围,如特征值、工作裕度、抗噪声能力和辐射噪声量等。更换不同型号产品时,要对给定产品进行系统评估测试。
综上所述,R - IN32M3模块是一款功能强大、特性丰富的工业以太网模块,在使用过程中,电子工程师们需要充分了解其各项特性和注意事项,以确保模块的稳定运行和系统的可靠性。大家在实际应用中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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