电子说
在电机控制领域,IGBT智能功率模块(IPM)扮演着至关重要的角色。ROHM的BM63363S-VA和BM63363S-VC就是这样两款专为低速开关驱动设计的600V IPM,下面就带大家深入了解一下。
文件下载:BM63363S-VA.pdf
BM63363S-VA/-VC由栅极驱动器、自举二极管、IGBT和续流二极管组成。它采用了为低速开关驱动(最高6kHz)优化的低饱和电压IGBT,适用于压缩机等应用。如果是高速开关驱动需求,建议选择高速开关系列产品。
具备三相DC/AC逆变功能,额定电压600V,额定电流10A,能够满足大多数常见电机的驱动需求。
方便用户进行电路设计和连接,提高电路的灵活性。
自举二极管的内置使得高侧IGBT栅极驱动器(HVIC)无需外部自举二极管和电阻即可驱动高侧IGBT,简化了电路设计。
采用SOI(绝缘体上硅)工艺,具有驱动电路、高压电平转换、自举二极管电流限制和控制电源欠压锁定(UVLO)等功能,保证了高侧IGBT的稳定驱动。
具备驱动电路、短路电流保护(SCP)、控制电源欠压锁定(UVLO)和热关断(TSD)功能,当这些保护电路工作时,会输出故障信号(FO),有效保护模块安全。
对应SCP(低侧IGBT)、TSD、UVLO故障,方便用户及时了解模块的工作状态。
支持3.3V和5V线路,兼容性强。
获得UL认证(文件编号E468261),产品质量有保障。
适用于AC100 - 240Vrms(直流电压小于400V)类电机的低速开关驱动,如空调、洗衣机、冰箱等压缩机电机的驱动。
采用HSDIP25和HSDIP25VC封装,尺寸为38.0mm x 24.0mm x 3.5mm。
| 详细的引脚配置和功能说明如下表所示: | Pin No. | Pin Name | Function |
|---|---|---|---|
| 1 | NC | No connection(GND potential) | |
| 2 | VBU | U phase floating control supply | |
| 3 | VBV | V phase floating control supply | |
| 4 | VBW | W phase floating control supply | |
| 5 | HINU | U phase high side IGBT control | |
| 6 | HINV | V phase high side IGBT control | |
| 7 | HINW | W phase high side IGBT control | |
| 8 | HVCC | Control supply for HVIC | |
| 9 | GND | Ground (Note 1) | |
| 10 | LINU | U phase low side IGBT control | |
| 11 | LINV | V phase low side IGBT control | |
| 12 | LINW | W phase low side IGBT control | |
| 13 | LVCC | Control supply for LVIC | |
| 14 | FO | Alarm output | |
| 15 | GND | CIN trip voltage Ground (Note 1) | |
| 16 | CIN | Detecting of short circuit current | |
| 17 | NC | No connection (Note 2) | |
| 18 | NW | W phase low side IGBT emitter | |
| 19 | NV | V phase low side IGBT emitter | |
| 20 | NU | U phase low side IGBT emitter | |
| 21 | W | W phase output | |
| 22 | V | V phase output | |
| 23 | U | U phase output | |
| 24 | P | Inverter supply | |
| 25 | NC | No connection (Note 2) |
注意事项:
注意:在使用时,要避免超过绝对最大额定值,否则可能会损坏IPM,可考虑添加保险丝等电路保护措施。
VP:0 - 400V(P - NU、NV、NW之间施加),典型值300V。
VCC:13.5 - 16.5V(HVCC - GND、LVCC - GND之间施加),典型值15.0V。
VBS:13.0 - 18.5V(VBU - U、VBV - V、VBW - W之间施加),典型值15.0V。
⊿VCC、⊿VBS:-1至 +1V/µs。
VIN:0 - 5.5V。
VCIN:0 - 5.5V。
tdead:1.5µs(每个输入信号)。
fPWM:最高6kHz(TC ≤ 100°C,Tj ≤ 125°C)。
PWONH、PWOFFH:0.8µs。
PWONL:2.5µs,PWOFFL:0.8µs。
VN:-5至 +5V(包括浪涌电压)。
Tj:-25°C至 +125°C。
| Item | Symbol | Min | Typ | Max | Unit | Conditions |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 集电极 - 发射极饱和电压 | VCESAT | - | 1.50 | 1.90 | V | IC = 10A |
| - | 0.85 | 1.15 | V | IC = 1A | ||
| 集电极 - 发射极截止电流 | ICES | - | - | 100 | µA | VCE = VCES |
| 续流二极管正向电压 | VF | - | 1.50 | 2.00 | V | IF = 10A |
| 续流二极管反向恢复时间 | trr | - | 100 | - | ns | 电感负载,IC = 10A |
| 高侧IGBT导通延迟时间 | tonH | 0.50 | 0.85 | 1.40 | µs | 电感负载,IC = 10A |
| 高侧IGBT导通开关时间 | tc(on)H | - | 0.15 | - | µs | 电感负载,IC = 10A |
| 高侧IGBT关断延迟时间 | toffH | - | 1.60 | 2.30 | µs | 电感负载,IC = 10A |
| 高侧IGBT关断开关时间 | tc(off)H | - | 0.45 | - | µs | 电感负载,IC = 10A |
| 低侧IGBT导通延迟时间 | tonL | 0.80 | 1.60 | 2.50 | µs | 电感负载,IC = 10A |
| 低侧IGBT导通开关时间 | tc(on)L | - | 0.20 | - | µs | 电感负载,IC = 10A |
| 低侧IGBT关断延迟时间 | toffL | - | 1.00 | 1.50 | µs | 电感负载,IC = 10A |
| 低侧IGBT关断开关时间 | tc(off)L | - | 0.45 | - | µs | 电感负载,IC = 10A |
| Item | Symbol | Min | Typ | Max | Unit | Conditions |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VCC电路电流1 | ICC1 | - | 0.70 | 1.60 | mA | VIN = 0V |
| VCC电路电流2 | ICC2 | - | 0.90 | 2.00 | mA | VIN = 5V |
| VBS电路电流1 | IBS1 | - | 0.15 | 0.35 | mA | VIN = 0V |
| VBS电路电流2 | IBS2 | - | 0.15 | 0.35 | mA | VIN = 5V |
| 控制输入(HINU、HINV、HINW、LINU、LINV、LINW) | ||||||
| H电平输入电流 | IINH | 0.7 | 1.0 | 1.5 | mA | VIN = 5V |
| L电平输入电流 | IINL | -10 | - | - | µA | VIN = 0V |
| H电平输入阈值电压 | VINH | - | - | 2.6 | V | |
| L电平输入阈值电压 | VINL | 0.8 | - | - | V | |
| 输入滞回电压 | VHYS | - | 0.25 | - | V | |
| 短路电流保护 | ||||||
| CIN输入偏置电流 | ICIN | -2 | - | - | µA | CIN = 0V |
| 跳闸电压 | VSC | 0.43 | 0.48 | 0.53 | V | |
| 欠压锁定 | ||||||
| VCC跳闸电压 | VCCUVT | 10.5 | 11.5 | 12.5 | V | |
| VCC释放电压 | VCCUVR | 11 | 12 | 13 | V | |
| VBS跳闸电压 | VBSUVT | 10 | 11 | 12 | V | |
| VBS释放电压 | VBSUVR | 10.5 | 11.5 | 12.5 | V | |
| 热关断 | ||||||
| 跳闸温度 | TSDT | 100 | 130 | - | °C | 监测LVIC温度 |
| 滞回温度 | TSDHYS | - | 20 | - | °C | 监测LVIC温度 |
| 故障输出(FO) | ||||||
| 输出低电压 | VFO | - | - | 0.95 | V | IFO = 1mA |
| 泄漏电流 | IFOLEAK | - | - | 10 | µA | VFO = 5V |
| 输出脉冲宽度 | tFO | 20 | - | - | µs |
| Item | Symbol | Min | Typ | Max | Unit | Conditions |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 正向电压 | VFB1 | 0.3 | 0.6 | 0.9 | V | IFB = 1mA,HVCC - VBX(X = U、V、W)之间电压降 |
| VFB2 | 1.1 | 2.0 | 2.9 | V | IFB = 100mA,HVCC - VBX(X = U、V、W)之间电压降 | |
| 反向电流 | IRB | - | - | 10 | µA | VRB = 600V |
| 反向恢复时间 | trrB | - | 80 | - | ns | IFB = 0.1A |
0.59 - 0.78N·m,推荐0.69N·m(安装螺丝M3)。
10s(EIAJ - ED - 4701/400标准,控制引脚负载4.9N,功率引脚负载9.8N)。
2次(EIAJ - ED - 4701/400标准,控制引脚负载2.45N,功率引脚负载4.9N,90°弯曲)。
约10g。
0 - +200µm。
文档中给出了自举二极管的IF - VF特性曲线、FO引脚的VFO - IFO特性曲线等典型性能曲线,这些曲线可以帮助工程师更好地了解模块的性能。
当SCP触发时,建议将RC时间常数设置为1.0 - 2.0µs,使IGBT在2.0µs内关断。SCP仅对低侧IGBT起作用,出现SCP跳闸和FO输出时,应尽快停止控制IPM。
当LVCC电压低于UVLO跳闸电平(VCCUVT)时,所有低侧
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