安森美发布GaNEXUS™氮化镓功率产品组合

近期，安森美（onsemi）正式推出全新 GaNEXUS™氮化镓（GaN）功率产品组合 ，首批样品同步启动供货。该系列覆盖 40V至650V全电压范围 ，其中包含一款集成保护功能的 650V GaNEXUS Smart器件 ，可简化系统集成并提升整体可靠性。产品直指AI数据中心、工业自动化、机器人及能源基础设施等高功耗场景，核心目标：更高能效、更高功率密度、更优热性能。

产品阵容：两条线，一套组合拳

GaNEXUS FET ——覆盖40V至650V电压范围的标准氮化镓功率器件，面向通用高功率密度电源设计。

GaNEXUS Smart ——650V GaN FET，内置保护功能，降低系统级设计风险，简化功率级开发，加快认证速度。

GaNEXUS器件采用增强散热封装，支持行业标准引脚布局，提供 TOLL底部散热、TOLT顶部散热 ，以及 3.3mm×3.3mm和5mm×6mm双面散热封装 ，并支持双源供货。

与传统硅基方案相比，GaNEXUS通过更快开关速度和更低开关损耗，在实际应用中可实现：

中低压系统（AI服务器48V中间母线转换器IBC、电池备用单元BBU、电机驱动等） ：

• 磁性元件尺寸缩小约30%–60%
• 功率密度提升约1.5–2倍
• 能效提升约 0.5%–2% （取决于拓扑结构）

高压应用（AI电源机架、高压DC-DC转换、PFC及LLC功率级等） ：

• 高频AC-DC与谐振级中，磁性元件尺寸最多缩减约60%
• PFC、LLC及高压DC-DC架构中，功率密度提升约1.5–2倍
• 能效提升约 0.5%–1% ，规模化部署时显著优化热性能并改善运营成本

更低损耗直接减轻紧凑型高功率系统的热应力，这对AI数据中心尤为关键——预计到2030年，AI数据中心将消耗美国约 9%的电力 ，电力与冷却成本占其总运营成本的 40% 。

GaNEXUS被纳入安森美智能功率器件产品组合，与硅基及 EliteSiC（碳化硅） 技术并列，为客户在整个电力传输链路中提供从性能、能效、热性能到系统总成本的灵活优化选择。

更关键的是，GaNEXUS可与安森美Treo平台协同适配。Treo平台集成感知、控制、保护及电源管理功能，二者结合可打造更智能、更可靠、更稳健的 系统级电源解决方案 ，帮助客户简化电力传输链设计复杂性，加速开发与认证。

安森美氮化镓事业部副总裁Antoine Jalabert表示："GaNEXUS正在推动电源系统设计迈向全新架构。随着客户不断追求在更小空间内实现更大功率，GaNEXUS为工程师提供了更大的灵活性，以突破传统电源架构的限制。"

GaNEXUS的发布标志着安森美完成了硅 + 碳化硅 + 氮化镓三大宽禁带/传统功率技术的全面布局。在AI基础设施爆发、电气化加速、工业自动化升级的大背景下，这套组合拳让安森美能够覆盖从低压48V到高压650V的全场景需求，而不是把客户推给竞争对手。