英飞凌EiceDRIVER™ 2EDL90xG3：硅与氮化镓共板驱动，AI数据中心电源的"一芯两用"方案

近期，英飞凌正式发布 EiceDRIVER™ 2EDL90xG3 ，一款120V、兼容硅（Si）和氮化镓（GaN）器件的隔离栅极驱动芯片。核心卖点一句话：同一块PCB，不改设计，就能在硅和氮化镓方案之间自由切换评估。 这对AI数据中心HV/MV IBC（中间总线变换器）设计来说，直接解决了一个长期痛点。

AI数据中心向更高功率密度推进，电源工程师都想在同一版PCB上对比硅和GaN方案的优劣——但传统做法需要两套驱动电路、两种栅极供电设计，改板成本高、周期长。2EDL90xG3的出现，让这件事第一次变得工程上可行。

2EDL90xG3并非孤立产品，而是嵌入英飞凌完整的AI服务器供电链路中：

• SST （固态变压器）+ SSCB （固态断路器）——电网侧
• PSU （电源）+ BBU （电池备份单元）——供电侧
• IBC （中间总线变换器）——核心功率转换
• VRM （第二级直流转换）——负载侧

英飞凌将Si、SiC、GaN三种宽禁带/传统器件的优势通过这套产品组合打通，为客户提供从电网到核心的端到端电源架构路径。2EDL90xG3在IBC次级侧驱动环节，正是连接控制器与功率开关（无论Si MOSFET还是GaN HEMT）的那座桥。