在追求极致能效的产业浪潮下,现代组串式光伏逆变器正加速冲破传统硅基器件的能效天花板。得益于SiC等先进功率半导体技术的全面赋能,系统能效大幅提高,并有效减少了体积,为高功率密度电站的设计释放了空前的潜能。安森美(onsemi)重磅推出了《光伏逆变器图解手册》,完整覆盖以下内容:
介绍太阳能组串式逆变器架构及其关键功能模块。
内容按主要转换路径展开:光伏输入 → DC-DC MPPT → 直流链路 → DC-AC 逆变器 → 电网。
包含三种 DC-DC MPPT 方案:升压、三电平对称升压和三电平飞跨电容升压。
包含三种 DC-AC 逆变器方案:二电平逆变器、T-NPC 和 A-NPC。
包括隔离和非隔离的低压辅源供电框图。
包括用于上桥和下桥开关域的隔离式栅极驱动电源。
概述了用于信号调理、保护、逻辑接口和监控的支持电路。
包括用于控制、诊断、监测和服务访问的 MCU 接口和有线通信模块。
每个部分均以一致的格式呈现方案优势、应用说明、亮点和实用设计指南。
顶层框图
MPPT 转换器 - DC-DC 升压转换器
方案优势
简单且经过验证的 MPPT 拓扑,广泛应用于组串式光伏逆变器
在宽光伏输入电压范围内均具有高效率
器件数量少,实施成本低
通过交错方式实现轻松扩展,从而获得更高的功率水平

DC-DC 升压转换器是组串式逆变器中常见的非隔离式 MPPT 级。它将光伏组串电压(通常为 250– 850V)提升至 DC-AC 级所需的稳定直流链路电压(通常为 700–1000V),同时跟踪最大功率点。在高功率下使用多相交错技术可以减少纹波、分散损耗并提高效率。
亮点
在住宅和商用组串式逆变器平台中经过验证的 MPPT 方案
支持异步(二极管)或同步(有源开关)实现方式,以实现效率优化
采用交错式升压架构实现简单的功率扩展
实用设计指南
功率开关:使用 1200V 级用于光伏 → 直流链路升压(约 700–1000V);验证最大光伏和快速负载阶跃时的过冲/瞬态现象;当最高效率和设计/参数调校灵活性为优先考虑时,请选择 EliteSiC 分立器件。
升压整流器(二极管或同步):保持 1200V 级。二极管路径:优先选择低恢复行为器件以降低损耗/EMI,并验证浪涌/热脉冲。同步路径:使用 1200V MOSFET;控制死区时间/定时和启动/旁路转换,以避免直通。
旁路二极管(顶部):旁路/浪涌电流/预充电路径;选择更高的电压裕度(通常为 1600V 级),并验证涌入/浪涌脉冲应力。
模块/PIM:使用双升压模块/PIM(例如 NXH100B120H3Q0)可实现低寄生效应,简化布局,实现可重复性,加快调试速度;验证热裕度。
隔离栅极驱动器:使用隔离式高 CMTI 器件,严格的延迟匹配,优化 Rg_on/Rg_off;必要时加入米勒箝位/负偏压;校准欠压锁定 (UVLO)。
MPPT 转换器 - DC-DC 三电平对称升压
方案优势
降低功率半导体的电压应力
降低电感器电流纹波,缩小磁性元件体积
提高效率,改善 EMI 性能
非常适用于 1100V 和 1500V 直流链路系统

三电平对称升压是一种面向组串式逆变器的高功率 MPPT 拓扑,适用于对效率和功率密度要求高的场景。分离式直流链路使每个开关仅需承受约一半的母线电压,与二电平升压相比,这种设计可以实现开关速度更快的低压器件,降低开关损耗,并优化 EMI 性能。它广泛应用于商业/工业三相系统。
亮点
与二电平升压相比,降低了半导体应力
利用基于 SiC 的方案提高效率
非常适合安森美 Si/SiC 混合方案和全 SiC 实现方案
实用设计指南
功率开关:对于 1100V 直流链路,建议使用 650/750V 级;对于 1500V 直流链路,建议使用 1200V 级。选择 650/750/1200V EliteSiC MOSFET 可获得最佳效率/更高的 fsw;选择 650/750V Si 器件以实现成本优化设计。验证冷态光伏、快速 MPPT 变化和故障恢复时的过冲/瞬态和 dv/dt。
二极管:匹配 650/750V(留出 1200V 的余量);优先选择低恢复/软性行为,并验证瞬态中的峰值/浪涌和 Tj;如果优先考虑效率/ EMI,请使用 SiC 二极管。
模块/PIM(功率集成模块):如果设计优先考虑集成性和可重复性因素,建议选择安森美三电平升压模块/PIM:寄生效应低、布线简单、启动速度快。使用全 SiC 方案可获得最高效率/高频潜力;如果需要在成本/稳健性之间进行权衡,可使用 Si/SiC 混合方案。
隔离栅极驱动器:使用隔离式高 CMTI 器件,严格的延迟匹配,优化 Rg_on/Rg_off;必要时加入米勒箝位/负偏压;校准欠压锁定 (UVLO)。
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