深入解析SN65LVDS18、SN65LVP18、SN65LVDS19和SN65LVP19芯片

在电子设计领域，高频振荡器增益级芯片扮演着至关重要的角色。今天，我们就来详细探讨德州仪器（TI）推出的SN65LVDS18、SN65LVP18、SN65LVDS19和SN65LVP19这四款芯片，看看它们在实际应用中能为我们带来哪些优势。

文件下载：SN65LVDS19DRFT.pdf

芯片概述

SN65LVDS18、SN65LVP18、SN65LVDS19和SN65LVP19是支持2.5V或3.3V系统的高频振荡器增益级芯片。它们在高增益输出端支持LVPECL或LVDS，并且SN65LVx18提供单端输入（PECL电平），SN65LVx19提供全差分输入。这些芯片适用于PECL到LVDS的转换以及时钟信号放大等应用场景。

芯片特性

电气特性

• 低电压PECL输入和输出：支持低电压PECL输入，输出可以是低电压PECL或LVDS，时钟速率可达1GHz。
• 快速的输出转换时间：输出转换时间仅250ps，能够快速响应信号变化。
• 低本征相位抖动：典型本征相位抖动仅0.12ps，确保信号的稳定性和准确性。
• 短传播延迟时间：传播延迟时间小于630ps，减少信号传输延迟。
• 宽电源电压范围：支持2.5V或3.3V电源供电，适应不同的电源环境。
• 小巧的封装：采用2mm x 2mm的小外形无引脚封装，节省电路板空间。

工作条件

芯片的工作温度范围为 -40°C至85°C，能够适应较为恶劣的环境条件。同时，在推荐的工作条件下，芯片的各项性能指标都能得到保证。

应用场景

PECL到LVDS转换

在一些系统中，需要将PECL信号转换为LVDS信号，以满足不同设备之间的接口要求。这四款芯片可以很好地完成这一转换任务，确保信号的准确传输。

时钟信号放大

在时钟信号传输过程中，信号可能会受到衰减和干扰。这些芯片可以对时钟信号进行放大，提高信号的强度和质量，保证系统的稳定运行。

芯片选型

这四款芯片提供了不同的输入输出组合和增益控制选项，具体如下：	输入	输出	增益控制	基本部件编号	部件标记
单端	LVDS	是	SN65LVDS18	ER
单端	LVPECL	是	SN65LVP18	EP
差分	LVDS	否	SN65LVDS19	ET
差分	LVPECL	否	SN65LVP19	ES

工程师可以根据具体的应用需求选择合适的芯片。

电气参数

绝对最大额定值

芯片的绝对最大额定值规定了芯片能够承受的最大应力，超过这些值可能会导致芯片永久性损坏。例如，电源电压范围为 -0.5V至4V，输入电压范围为 -0.5V至VCC + 0.5V等。

推荐工作条件

在推荐的工作条件下，芯片的性能能够得到最佳发挥。例如，电源电压为2.375V至3.6V，工作温度范围为 -40°C至85°C等。

电气特性

芯片的电气特性包括电源电流、参考电压、输入电流、输出电压等参数。例如，在RL = 100Ω，EN为0V，其他输入开路的情况下，电源电流典型值为30mA。

开关特性

芯片的开关特性包括传播延迟时间、脉冲偏斜、上升时间、下降时间、抖动等参数。例如，A到Q的传播延迟时间典型值为340ps，20% - 80%差分信号上升时间典型值为140ps（LVDS）。

封装信息

这四款芯片均采用WSON（DRF）封装，引脚数为8，每包数量为250。封装信息还包括引脚分配、尺寸、热性能等方面的内容。例如，芯片的引脚1为Q，引脚2为A等。

注意事项

ESD保护

这些芯片的内置ESD保护能力有限，在存储或处理芯片时，应将引脚短路在一起或将芯片放置在导电泡沫中，以防止MOS栅极受到静电损坏。

数据准确性

文档中提供的信息是德州仪器基于第三方提供的信息得出的，虽然已经采取了合理的措施来确保信息的准确性，但可能没有对所有参数进行测试。因此，在使用芯片时，工程师需要根据实际情况进行验证。

总结

SN65LVDS18、SN65LVP18、SN65LVDS19和SN65LVP19这四款芯片具有高性能、低抖动、快速响应等优点，适用于多种高频应用场景。工程师在设计时，可以根据具体的需求选择合适的芯片，并注意芯片的使用条件和注意事项，以确保系统的稳定运行。你在实际应用中是否使用过这些芯片呢？遇到过哪些问题？欢迎在评论区分享你的经验。