英飞凌推出业界首款基于CoolSiC™ G2技术的双向开关碳化硅，750V BDS重定义电源拓扑

近期，英飞凌正式发布基于成熟可靠750V CoolSiC™ G2技术平台打造的碳化硅（SiC）双向开关（BDS），这是业内首款采用第二代CoolSiC技术的双向开关产品，将两个功率开关整合到单一器件中，用一颗芯片替代传统拓扑中多颗分立器件的方案。

BDS采用垂直集成双芯片共漏极设计，搭配顶部散热Q-DPAK封装。顶部散热意味着器件能直接与散热器接触，散热路径更短、热阻更低，天然适配液冷系统——这对AI数据中心和高功率密度应用至关重要。

关键性能指标

参数	数值
击穿电压（BR）DSS	840V（满足500V以上母线系统裕量）
典型栅极阈值电压VGS(th)	4.5V（25°C）
栅极偏压范围	-11V至+25V（扩展容限，增强设计裕量）
额定dv/dt	200V/ns
阻值范围	14mΩ至66mΩ
瞬时过载耐受	200°C
短路耐受时间	2μs

性能层面，BDS具备业界领先的RDS(on)×Qfr和RDS(on)×QOSS，加上低栅极电荷Qg和超低QGD/QGS比值，导通损耗与开关损耗同时压低，支持更高频率、更高效率运行。超低QGD/QGS比值还带来出色的抗寄生导通能力，宽栅极偏压范围则让设计兼容现有驱动架构。

汽车领域 ：车载充电机（OBC）、直流快充系统、电子保险丝（eFuse）、预充电电路。与英飞凌CoolSiC™ H-DPAK半桥器件配合，可实现基于SiC技术的单级车载充电器设计，功率密度更高、成本和体积更低。

工业领域 ：HVDC AI服务器电源、数据中心供电保护、户用储能系统、HVAC设备、eVTOL驱动系统、人形机器人集群快充。

该产品已开始提供样品，面向新能源汽车和工业能源系统两大高增长市场。