电子说
在电子设计领域,EEPROM(电可擦可编程只读存储器)是一种常见且重要的存储器件。今天我们要深入探讨的是安森美(onsemi)的NV24C256C6PTG,一款采用WLCSP封装的256 Kb I²C CMOS串行EEPROM。
文件下载:NV24C256C6PTG-D.PDF
NV24C256C6PTG内部组织为32768个8位字,具有64字节页写缓冲区,支持标准(100 kHz)、快速(400 kHz)和快速增强(1 MHz)I²C协议。其写保护输入可对存储阵列进行硬件保护,A2输入允许两个NV24C256C6PTG设备连接到同一总线。
| 引脚名称 | 功能 |
|---|---|
| SDA | 串行数据输入/输出 |
| SCL | 串行时钟输入 |
| VCC | 电源 |
| VSS | 接地 |
| WP | 硬件写保护 |
| A2 | 地址引脚 |
SCL接收主设备产生的串行时钟,SDA负责接收输入数据和传输EEPROM中存储的数据。WP引脚可实现写保护功能,当连接到电源时,整个阵列变为只读;连接到地或浮空时,允许正常写操作。A2引脚用于设备地址输入,浮空时默认值为0,设置为逻辑0或1时对应不同的读写设备地址。
| 参数 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|
| 存储温度 | -65 至 +150 | °C |
| 任何引脚相对于地的电压 | -0.5 至 +6.5 | V |
超出这些额定值可能会损坏设备,在设计时需严格遵守。
| 符号 | 参数 | 最小值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| N_END | 耐久性 | 1,000,000 | 编程/擦除周期 |
| T_DR | 数据保留 | 100 | 年 |
这些特性保证了产品在长期使用中的稳定性。
| 电源电压 / 温度范围 | 操作 |
|---|---|
| VCC = 1.7 V至5.5 V / TA = -40 °C至 +105 °C | 读/写 |
| VCC = 1.6 V至5.5 V / TA = -40 °C至 +105 °C | 读 |
| VCC = 1.6 V至5.5 V / TA = 0 °C至 +105 °C | 写 |
包括读电流、I/O引脚泄漏、输入低电压、输入高电压、输出低电压等参数,这些参数为电路设计提供了重要依据。
SDA I/O引脚电容最大为8 pF,其他引脚输入电容最大为6 pF。
涵盖时钟频率、SCL时钟高周期、数据建立时间、上升时间等参数,确保数据传输的准确性和稳定性。
I²C总线由SCL和SDA两根线组成,通过上拉电阻连接到VCC电源。主设备和从设备通过各自的SCL和SDA引脚连接到两线总线。数据传输在总线空闲时启动,SDA线在SCL线为高电平时必须保持稳定,SDA的跳变会被解释为起始或停止条件。
主设备通过在总线上创建起始条件来启动数据传输,然后广播一个8位串行从设备地址。前4位固定为1010,接下来3位必须与A2、0和0的逻辑状态匹配,最后一位R/W指定读(1)或写(0)操作。
从设备处理从设备地址后,在第9个时钟周期通过拉低SDA线进行应答(ACK)。在写模式下,从设备会对所有地址字节和每个数据字节进行应答;在读模式下,从设备移出一个数据字节,然后在第9个时钟周期释放SDA线。
NV24C256C6PTG出厂时已擦除,即所有存储阵列字节均为FFh。
NV24C256C6PTG的订购信息包括设备订单号、特定设备标记、封装类型、温度范围、凸点成分和运输方式等。所有封装均符合RoHS标准,且采用WLCSP封装的EEPROM设备严禁暴露在紫外线下,否则会丢失存储的数据。
在实际设计中,工程师需要根据具体应用场景,综合考虑NV24C256C6PTG的各项特性和参数,确保设备的正常运行。你在使用类似EEPROM设备时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享。
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