电子说
在电子设计领域,EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)是一种常用的非易失性存储器,广泛应用于各种需要数据存储的设备中。Onsemi的N24S64就是这样一款性能出色的64 Kb串行CMOS EEPROM,下面我们就来详细了解一下它的特点和使用方法。
文件下载:N24S64-D.PDF
N24S64是一款64 Kb的串行CMOS EEPROM,内部组织为8,192个8位字。它具有32字节的页写缓冲区,支持标准(100 kHz)、快速(400 kHz)和快速增强(1 MHz)的I²C协议。此外,该器件还具备128位工厂设置的只读唯一ID、可永久锁定的32字节安全数据页以及整个阵列的软件写保护功能。通过设备配置寄存器,用户可以指定设备地址的最后3位,允许在同一总线上最多寻址8个N24S64设备。
| 引脚名称 | 功能 |
|---|---|
| SDA | 串行数据输入/输出 |
| SCL | 串行时钟输入 |
| VCC | 电源 |
| VSS | 接地 |
| 参数 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|
| 存储温度 | -65 至 +150 | °C |
| 任何引脚相对于地的电压(注1) | -0.5 至 +6.5 | V |
注1:任何引脚的直流输入电压不应低于 -0.5 V或高于 (V{CC}+1.0 V)。在转换期间,任何引脚的电压在小于20 ns的时间内可能下冲至不小于 -1.5 V或上冲至不超过 (V{CC}+1.5 V)。
| 符号 | 参数 | 最小值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| NEND(注3) | 耐久性 | 1,000,000 | 编程/擦除周期 |
| TDR(注4) | 数据保留 | 100 | 年 |
注3:页模式,(V{CC}=5 V),25°C;注4:(T{A}=55^{circ}C)。
| 电源电压 / 温度范围 | 操作 |
|---|---|
| (V{CC}=1.7 V) 至 5.5 V / (T{A}=-40^{circ}C) 至 +85°C | 读/写 |
| (V{CC}=1.6 V) 至 5.5 V / (T{A}=-40^{circ}C) 至 +85°C | 读 |
| (V{CC}=1.6 V) 至 5.5 V / (T{A}=0^{circ}C) 至 +85°C | 写 |
| 符号 | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| ICCR | 读电流 | 读,(f_{SCL}=400 kHz/1 MHz) | 1 | mA | |
| ICCW | 写电流 | 2 | mA | ||
| ISB | 待机电流 | 所有I/O引脚接地或接 (V{CC}),(V{CC}<2.5 V) | 1 | μA | |
| (V_{CC}>2.5 V) | 2 | μA | |||
| IL | I/O引脚泄漏电流 | 引脚接地或接 (V_{CC}) | 2 | μA | |
| VIL1 | 输入低电压 | (V_{CC}geq2.5 V) | -0.5 | 0.3 (V_{CC}) | V |
| VIL2 | 输入低电压 | (V_{CC}<2.5 V) | -0.5 | 0.25 (V_{CC}) | V |
| VIH1 | 输入高电压 | (V_{CC}geq2.5 V) | 0.7 (V_{CC}) | (V_{CC}+1) | V |
| VIH2 | 输入高电压 | (V_{CC}<2.5 V) | 0.75 (V_{CC}) | (V_{CC}+1) | V |
| VOL1 | 输出低电压 | (V{CC}geq2.5 V),(I{OL}=3.0 mA) | 0.4 | V | |
| VOL2 | 输出低电压 | (V{CC}<2.5 V),(I{OL}=1.0 mA) | 0.2 | V |
| 符号 | 参数 | 条件 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| CIN(注5) | SDA I/O引脚电容 | (V_{IN}=0 V) | 8 | pF |
| CIN(注5) | 输入电容(其他引脚) | (V_{IN}=0 V) | 6 | pF |
注5:这些参数在初始测试以及影响该参数的设计或工艺更改后,根据适当的AEC - Q100和JEDEC测试方法进行测试。
交流特性根据“A.C.测试条件”表进行测试,部分参数在初始测试以及影响该参数的设计或工艺更改后进行测试。
| 参数 | 条件 |
|---|---|
| 输入电平 | 0.2 × (V{CC}) 至 0.8 × (V{CC}) |
| 输入上升和下降时间 | ≤ 50 ns |
| 输入参考电平 | 0.3 × (V{CC}),0.7 × (V{CC}) |
| 输出参考电平 | 0.5 × (V_{CC}) |
| 输出负载 | 电流源:(I{OL}=3 mA)((V{CC}geq2.5 V));(I{OL}=1 mA)((V{CC}<2.5 V));(C_{L}=100 pF) |
N24S64内置了上电复位(POR)电路,可保护设备在错误状态下上电。当 (V{CC}) 超过POR触发电平后,N24S64将进入待机模式;当 (V{CC}) 低于POR触发电平,设备将进入复位模式。这种双向POR功能可防止设备在临时断电后出现“掉电”故障。
I²C总线由SCL和SDA两根线组成,通过上拉电阻连接到 (V_{CC}) 电源。主设备和从设备通过各自的SCL和SDA引脚连接到两线总线。发送设备通过拉低SDA线来传输“0”,释放SDA线来传输“1”。数据传输仅在总线不忙时才能启动,在数据传输期间,SCL线为高电平时,SDA线必须保持稳定。SCL为高电平时,SDA的跳变将被解释为起始或停止条件。
主设备通过在总线上创建起始条件来启动数据传输,然后广播一个8位的串行从设备地址。前4位为1010用于正常读写操作,1011用于特殊读写操作。接下来的3位必须与设备配置寄存器中的A2、A1、A0位匹配,最后一位R/W指定是读(1)还是写(0)操作。
从设备处理从设备地址后,在第9个时钟周期通过拉低SDA线进行应答(ACK)。在写模式下,如果寻址位置未被写保护,从设备还将对所有地址字节和每个数据字节进行应答。在读模式下,从设备移出一个数据字节,然后在第9个时钟周期释放SDA线。只要主设备应答数据,从设备将继续传输。主设备通过不应答最后一个数据字节(NoACK)并发出停止条件来终止会话。
| 设备订购号 | 特定设备标记 | 封装类型 | 温度范围 | 引脚涂层 | 运输方式 |
|---|---|---|---|---|---|
| N24S64C4DYT3G | N | WLCSP 4球 | 工业(-40°C至 +85°C) | N/A | 5,000 / 卷带包装 |
所有封装均符合RoHS标准(无铅、无卤素)。需要注意的是,WLCSP封装的EEPROM设备绝不能暴露在紫外线下,否则EEPROM单元将丢失存储的数据。
Onsemi的N24S64 EEPROM以其丰富的功能、高可靠性和灵活的使用方式,为电子工程师在数据存储方面提供了一个优秀的选择。在实际应用中,我们需要根据具体的需求和场景,合理使用其各项功能,以达到最佳的设计效果。大家在使用过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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