电子说
在电子设计领域,EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)是一种常用的存储设备,它能在断电后保留数据,广泛应用于各种电子系统中。Onsemi的N24C256就是一款具有特色的256 Kb串行CMOS EEPROM,本文将对其进行详细解析。
文件下载:N24C256-D.PDF
N24C256是一款256 Kb的串行CMOS EEPROM,内部组织为32768个8位字。它具有64字节的页写缓冲区,支持标准(100 kHz)、快速(400 kHz)和快速增强(1 MHz)的I²C协议。写保护输入允许对存储阵列进行硬件保护,A2输入则允许两个N24C256设备连接到同一总线上。
支持标准、快速和快速增强I²C协议,这使得它能适应不同速率要求的系统,提高了其通用性和灵活性。你在设计时,是否会根据系统的具体需求来选择合适的协议速率呢?
具有两个可选的I²C设备地址,方便在同一总线上连接多个设备,增加了系统的扩展性。
1.7 V至5.5 V的宽电源电压范围,使其能适应不同的电源环境,降低了对电源的要求。
| 引脚名称 | 功能 |
|---|---|
| SDA | 串行数据输入/输出 |
| SCL | 串行时钟输入 |
| VCC | 电源 |
| VSS | 接地 |
| WP | 硬件写保护 |
| A2 | 地址引脚 |
这些引脚的功能明确,在设计电路时,你需要根据其功能合理连接,以确保设备的正常运行。
| 参数 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|
| 存储温度 | −65至 +150 | °C |
| 任何引脚相对于地的电压 | −0.5至 +6.5 | V |
在使用过程中,要严格遵守这些额定值,否则可能会损坏设备。
| 符号 | 参数 | 最小值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| NEND | 耐久性 | 1,000,000 | 编程/擦除周期 |
| TDR | 数据保留 | 100 | 年 |
这些特性保证了设备在长期使用过程中的可靠性。
| 不同的电源电压和温度范围对应不同的读写操作,具体如下: | 电源电压 / 温度范围 | 操作 |
|---|---|---|
| VCC = 1.7 V至5.5 V / TA = −40 °C至 +85 °C | 读/写 | |
| VCC = 1.6 V至5.5 V / TA = −40 °C至 +85 °C | 读 | |
| VCC = 1.6 V至5.5 V / TA = 0 °C至 +85 °C | 写 |
在设计电路时,需要根据实际的工作条件来选择合适的电源和温度范围。
包括读电流、写电流、待机电流、I/O引脚泄漏、输入低电压、输入高电压、输出低电压等参数,这些参数会影响设备的性能和功耗。
SDA I/O引脚电容和其他引脚的输入电容在特定条件下有最大值限制,这对于信号的传输和抗干扰能力有一定影响。
不同协议模式下的时钟频率、各种时间参数(如START条件保持时间、SCL时钟低周期等)都有明确的规定,这些参数是保证I²C总线正常通信的关键。
N24C256内置上电复位电路,能防止设备在错误状态下上电。当VCC超过POR触发电平,设备进入待机模式;当VCC低于POR触发电平,设备进入复位模式,这种双向POR特性可防止因临时断电导致的“掉电”故障。
I²C总线由SCL和SDA两根线组成,通过上拉电阻连接到VCC。主设备和从设备通过各自的SCL和SDA引脚连接到总线。数据传输在总线空闲时启动,SDA线在SCL线为高电平时必须保持稳定,SDA的电平转换会被解释为START或STOP条件。
主设备通过在总线上创建START条件启动数据传输,然后广播一个8位串行从设备地址,其中前4位固定为1010,接下来3位必须与A2、0和0的逻辑状态匹配,最后一位指定读(1)或写(0)操作。
从设备处理完从设备地址后,会在第9个时钟周期通过拉低SDA线进行确认。在写模式下,从设备会确认所有地址字节和每个数据字节;在读模式下,从设备移出一个数据字节,然后在第9个时钟周期释放SDA线。
| 设备订购号 | 特定设备标记 | 封装类型 | 温度范围 | 引脚镀层 | 包装 |
|---|---|---|---|---|---|
| N24C256C6DYT3G | T | WLCSP 6球 | 工业(−40 °C至 +85 °C) | N/A | 5,000 / 卷带包装 |
需要注意的是,WLCSP封装的EEPROM设备绝不能暴露在紫外线下,否则会丢失存储的数据。
Onsemi的N24C256是一款功能强大、性能可靠的EEPROM,在电子设计中具有广泛的应用前景。在实际设计中,你需要根据具体需求合理选择和使用这款设备,以充分发挥其优势。你在使用EEPROM时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验。
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