电子说
在电子设计领域,我们常常需要可靠的存储解决方案,尤其是在汽车电子等对可靠性要求极高的应用场景中。onsemi的CAV25128就是这样一款值得关注的产品,它是一款128 - Kb的SPI串行EEPROM,具备汽车级1的标准,为我们的设计带来了诸多便利和保障。
文件下载:CAV25128-D.PDF
CAV25128内部组织为16Kx8位,拥有64字节的页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选(CS)输入来启用设备,所需的总线信号包括时钟输入(SCK)、数据输入(SI)和数据输出(SO)线。HOLD输入可用于暂停与CAV25128设备的任何串行通信。该设备还具备软件和硬件写保护功能,包括部分和全阵列保护,片上ECC(错误纠正码)使其适用于高可靠性应用。
提供8引脚的SOIC和TSSOP封装,且该设备无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准。
| 参数 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|
| 工作温度 | - 45至 + 130 | °C |
| 存储温度 | - 65至 + 150 | °C |
| 任何引脚相对于地的电压(注1) | - 0.5至 + 6.5 | V |
注1:任何引脚的直流输入电压不应低于 - 0.5 V或高于 (V{CC}+0.5 V) 。在转换期间,任何引脚的电压在小于20 ns的时间内可下冲至不低于 - 1.5 V或上冲至不超过 (V{CC}+1.5 V) 。
| 符号 | 参数 | 最小值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| (N_{END}) (注3, 4) | 耐久性 | 1,000,000 | 编程/擦除周期 |
| (T_{DR}) | 数据保留 | 100 | 年 |
注3:页模式, (V_{CC}=5 V) ,25°C;注4:设备使用带有6个ECC位的ECC(错误纠正码)逻辑来纠正4个数据字节中的一位错误。因此,当必须写入单个字节时,会重新编程4个字节(包括ECC位)。建议以4字节的倍数进行写入,以获得最大的写入周期数。
在 (V{CC}=2.5 V) 至5.5 V, (T{A}=-40°C) 至 + 125°C的条件下,给出了如ICC(工作电流)、IsB2(待机电流)、 (V_{IH}) (输入高电平电压)、VOL(输出低电平电压)等参数的测试条件和范围。
在 (T{A}=25°C) , (f = 1.0 MHz) , (V{CC}= + 5.0 V) 的条件下,测试了输出电容( (C{OUT}) )和输入电容( (C{IN}) )。
在 (V{CC}=2.5 V) 至5.5 V, (T{A}=-40°C) 至 + 125°C的条件下,给出了如 (f_{sck}) (时钟频率)、数据建立时间、SCK低时间等交流参数的测试条件和范围。
| 符号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| (t_{PUR}) | 上电到读操作 | 0.1 | 1 | ms |
| (t_{PUW}) | 上电到写操作 | 0.1 | 1 | ms |
接受操作码、地址和数据。在SPI模式(0,0)和(1,1)中,输入数据在SCK时钟输入的上升沿锁存。
用于将数据从设备中传输出来。在SPI模式(0,0)和(1,1)中,数据在SCK时钟的下降沿移出。
接受主机提供的时钟,用于同步主机和CAV25128之间的通信。
用于启用/禁用CAV25128。当CS为高电平时,SO输出为三态(高阻抗),设备处于待机模式(除非正在进行内部写操作)。主机和CAV25128之间的每个通信会话必须以CS输入的高到低转换开始,并以低到高转换结束。
当WP为高电平时,允许对设备进行所有写操作。当WP引脚接地且状态寄存器中的WPEN位设置为“1”时,禁止对状态寄存器进行写入。
用于暂停主机和CAV25128之间的传输,而无需在稍后重新传输整个序列。暂停时,HOLD必须拉低,恢复时必须拉高,且在两个转换期间SCK输入必须为低电平。当不用于暂停时,建议将HOLD输入直接或通过电阻连接到 (V_{CC}) 。
提供接地参考。
提供电源。
| CAV25128支持SPI总线协议的(0,0)和(1,1)模式,包含一个8位指令寄存器。其指令集和相关操作码如下: | 指令 | 操作码 | 操作 |
|---|---|---|---|
| WREN | 0000 0110 | 启用写操作 | |
| WRDI | 0000 0100 | 禁用写操作 | |
| RDSR | 0000 0101 | 读取状态寄存器 | |
| WRSR | 0000 0001 | 写入状态寄存器 | |
| READ | 0000 0011 | 从内存读取数据 | |
| WRITE | 0000 0010 | 向内存写入数据 |
状态寄存器包含多个状态和控制位:
设备上电后处于写禁用状态,必须设置内部写使能锁存器和状态寄存器的WEL位才能进行写操作。通过向CAV25128发送WREN指令来设置写使能锁存器,发送WRDI指令来重置写使能锁存器。
当WEL位设置后,用户可以通过发送WRITE指令、16位地址和数据来执行写序列。内部编程在 (overline{CS}) 从低到高转换后开始。在内部写周期期间,除了RDSR(读取状态寄存器)外,所有命令都将被忽略。
发送第一个数据字节后,主机可以继续发送数据,最多可达64字节。每个数据字节后,低阶地址位自动递增,高阶地址位(页地址)保持不变。如果超过页的末尾,加载将“回绕”到页的第一个字节,可能会覆盖先前加载的数据。
额外的64字节标识页可以使用与主内存阵列页写相同的写命令序列进行写入。在尝试写入标识页之前,必须使用WRSR指令将状态寄存器中的IPL位设置为“1”。
HOLD输入可用于暂停主机和CAV25128之间的通信。暂停时,HOLD必须在SCK为低电平时拉低,恢复时必须在SCK为低电平时拉高。在暂停期间,数据输出引脚(SO)为三态(高阻抗),SI转换被忽略。
CAV25128集成了上电复位(POR)电路,可保护内部逻辑在错误状态下上电。设备在 (V{CC}) 超过POR触发电平后进入待机模式,在 (V{CC}) 低于POR触发电平时进入复位模式,这种双向POR行为可防止设备因临时停电而出现“掉电”故障。
设备上电后处于写禁用状态和低功耗待机模式,在进行任何写操作之前必须发出WREN指令。上电后,CS引脚必须拉低以进入就绪状态并接收指令。成功进行字节/页写或状态寄存器写后,设备进入写禁用模式。在适当数量的时钟周期后, (overline{CS}) 输入必须设置为高电平以启动内部写周期。在内部写周期期间,对内存阵列的访问将被忽略,编程将继续进行。任何无效的操作码都将被忽略,串行输出引脚(SO)将保持高阻抗状态。
| 设备订购编号 | 特定设备标记 | 封装类型 | 温度范围 | 引脚镀层 | 包装方式 |
|---|---|---|---|---|---|
| CAV25128VE - GT3 | 25128E | SOIC - 8 | - 40°C至 + 125°C | NiPdAu | 卷带包装,每卷3000个 |
| CAV25128YE - GT3 | S28E | TSSOP - 8 | - 40°C至 + 125°C | NiPdAu | 卷带包装,每卷3000个 |
onsemi的CAV25128是一款功能强大、可靠性高的汽车级SPI EEPROM。它的多种特性和保护机制使其在汽车电子等领域具有广泛的应用前景。在设计过程中,我们需要充分考虑其电气特性、引脚功能和操作模式,以确保设备的正常运行和数据的安全存储。大家在实际应用中是否遇到过类似EEPROM的使用问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和心得。
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !