长晶科技推出G3.0 650V系列SiC MOS产品

长晶科技推出 G3.0 SiC MOS

驱动高效清洁应用场景

随着能效等级新标落地，消费家电、中小功率电源、电机驱动等场景对功率芯片的效率、稳定性要求持续提升，长晶科技推出 G3.0 650V 系列 SiC MOS，面向高效清洁类应用，提供适配能效升级需求的高性价比器件方案。

01核心技术参数

长晶科技推出G3.0 650V系列SiC MOS，Rsp水平较G2.0提升超25%，实现导通损耗和开关损耗的平衡，达到国际平面工艺SIC MOS厂商先进水平；建议驱动电压 0/+15V，简化复杂的SIC MOS驱动设计，搭配高Vth设计，着力实现系统应用稳定性和高效运行的平衡。

02场景应用

长晶科技为众多消费家电客户完成高性价比器件选型。针对中小功率电源和电机驱动应用效率提升需求，长晶科技响应能效等级新标，推出以下产品组合：

型号	RDSon	ID	Package
CJU180CP65C3H	180mΩ	20A	TO-252
CJU260CP65C3H	260mΩ	15A	TO-252
CJU380CP65C3H	380mΩ	10A	TO-252
CJU480CP65C3H	480mΩ	8A	TO-252
CJU600CP65C3H	600mΩ	7A	TO-252
CJPF180CP65C3H	180mΩ	20A	TO-220F
CJPF260CP65C3H	260mΩ	15A	TO-220F
CJPF380CP65C3H	380mΩ	10A	TO-220F
CJPF380CP65C3H	480mΩ	8A	TO-220F

03系统表现

本次测试基于 10KG 滚筒洗衣机 SiC MOS 三相全桥方案，采用长晶 CJU180CP65C3H 产品，驱动配置为 VGS 0/+15V、Rgon 510Ω、Rgoff 10Ω，测试结果如下：

1测试波形结果

V相下桥

VGS波形未出现串扰造成的明显振荡，排除误导通风险；负压尖峰约2.7V。

V相上桥

VGS受串扰造成振荡不超过2.5V，搭配高Vth 3.8V设计处于安全应用范围内；负压尖峰约4V。

2温升测试

测试环境：设备UNI-T热电偶测温仪，器件壳体贴装热电偶；

温升要求：恒温箱环境温度45℃下，要求温升≤55℃，最高温度≤105℃；

测试结果：运行两小时加严验证，V相最高温度89℃，环温46℃，计算温升43℃，满足客户需求且设计余量充足。

3EMI测试

测试环境：客户自有EMI实验室；

测试结果：洗涤脱水模式下，骚扰电压和骚扰功率测试达标，各项指标余量充足。

本次推出的 G3.0 650V 系列 SiC MOS，已通过完整的系统级实测验证，可充分满足当前中小功率电源和电机驱动场景的能效升级选型需求。长晶科技后续将推出更高电压等级的G3.0 800V产品系列，持续迭代产品矩阵，覆盖更高的系统电压需求，适配消费家电的高性价比选型要求，为各类高效清洁场景提供稳定可靠的功率器件支持。