onsemi NV25128和NV25256 EEPROM：汽车级SPI存储解决方案

在汽车电子等对可靠性要求极高的应用场景中，合适的存储设备至关重要。onsemi的NV25128和NV25256 EEPROM，凭借其出色的性能和丰富的特性，成为了众多工程师的理想选择。下面就为大家详细介绍这两款产品。

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产品概述

NV25128和NV25256是汽车级0级的串行EEPROM，分别具备128 kb和256 kb的存储容量，内部组织为16K/32Kx8位。它们拥有64字节的页面写缓冲区，支持串行外设接口（SPI）协议。通过片选（CS）输入使能设备，所需的总线信号包括时钟输入（SCK）、数据输入（SI）和数据输出（SO）线。此外，HOLD输入可用于暂停与设备的串行通信。这两款产品还具备软硬件写保护功能，包括部分和全阵列保护，片上字节级ECC（错误纠正码）使其适用于高可靠性应用，并且提供一个可永久写保护的额外识别页。

产品特性

汽车级认证与宽电压范围

这两款产品通过了汽车AEC - Q100 0级（-40°C至 +150°C）认证，能在严苛的汽车环境中稳定工作。其供电电压范围为2.5 V至5.5 V，适应不同的电源系统。

高速SPI通信

支持10 MHz的SPI通信，兼容SPI模式(0,0)和(1,1)，能够实现快速的数据传输。

写缓冲区与自定时写周期

64字节的页面写缓冲区，提高了数据写入的效率。自定时写周期功能，让写入操作更加便捷。

写保护与数据可靠性

具备软硬件写保护功能，可对1/4、1/2或整个EEPROM阵列进行保护。片上ECC技术能够检测并纠正一个字节中的一位错误，有效提高数据可靠性。此外，还有一个可永久写保护的额外识别页。

低功耗与长寿命

采用低功耗CMOS技术，在不同温度下都有可观的编程/擦除周期数，如在25°C时可达4,000,000次，同时具备200年的数据保留能力。

环保封装

提供SOIC和TSSOP 8引脚封装，且产品无铅、无卤素、符合RoHS标准。

引脚配置与功能

Pin Name	Function
CS	Chip Select
SO	Serial Data Output
WP	Write Protect
VSS	Ground
SI	Serial Data Input
SCK	Serial Clock
HOLD	Hold Transmission Input
VCC	Power Supply

这些引脚各司其职，共同实现了设备与主机之间的通信和控制。例如，CS引脚用于使能或禁用设备，SI和SO引脚分别负责数据的输入和输出，WP引脚可用于写保护控制。

电气特性

绝对最大额定值

• 工作温度范围为 -45°C至 +150°C，存储温度范围为 -65°C至 +150°C。
• 任何引脚相对于地的电压范围为 -0.5 V至 +6.5 V。

可靠性特性

不同温度下的编程/擦除周期数不同，数据保留时间长达200年。

直流工作特性

包括不同模式下的电源电流（如读模式、写模式、待机模式）、输入输出泄漏电流、输入输出电压等参数。例如，读模式下的电源电流最大值为3 mA，写模式下为2 mA。

引脚电容

输出电容（SO）和输入电容（CS、SCK、SI、WP、HOLD）在典型情况下均为8 pF。

交流特性

规定了时钟频率、时钟高时间、HOLD相关时间等参数，以确保设备在高速通信时的稳定性。

上电时序

从电源稳定到可进行读操作和写操作的延迟时间均为0.35 ms。

功能描述

SPI协议支持

NV25xxx设备支持SPI总线协议的(0,0)和(1,1)模式，包含一个8位指令寄存器。通过发送特定的指令操作码，可实现各种功能，如使能写操作（WREN）、禁用写操作（WRDI）、读取状态寄存器（RDSR）等。

状态寄存器

状态寄存器包含多个状态和控制位，如RDY位用于指示设备是否忙于写操作，WEL位用于控制写使能状态，BP0和BP1位用于确定哪些块被写保护，WPEN位用于使能WP引脚的写保护功能，IPL位用于选择访问识别页还是主内存阵列，LIP位用于永久锁定识别页。

读写操作

写操作

• 写使能与禁用：通过发送WREN指令设置内部写使能锁存器，发送WRDI指令重置。
• 字节写：设置WEL位后，发送WRITE指令、16位地址和数据，内部编程在CS从低到高转换后开始。
• 页面写：发送第一个数据字节后，可继续发送最多64字节的数据，地址低位自动递增。
• 写识别页：设置IPL位为1后，可使用与主内存阵列页面写相同的命令序列进行写入，但要注意地址不能在受保护区域内。
• 写状态寄存器：发送WRSR指令，可写入特定的位。

读操作

• 从内存阵列读取：发送READ指令和16位地址，设备将在SO引脚输出数据，地址指针自动递增。
• 读取状态寄存器：发送RDSR命令，设备将在SO引脚输出状态寄存器的内容。
• 读取识别页：设置IPL位为1后，使用与主内存阵列读取相同的命令序列进行读取。

设计考虑与其他特性

HOLD操作

HOLD输入可用于暂停主机与设备之间的通信，暂停时数据输出引脚（SO）呈高阻态，SI转换被忽略。

上电复位

设备内置上电复位（POR）电路，可防止内部逻辑在上电时处于错误状态，确保设备在电源波动时的稳定性。

错误纠正码

片上ECC电路可检测并纠正一个字节中的一位错误，提高数据可靠性。

订购信息

提供了不同型号的订购信息，包括存储密度、汽车等级、封装类型和发货数量等。例如，NV25128DTHFT3G为128 kb，采用TSSOP - 8（无铅）封装，每卷3000个。

综上所述，onsemi的NV25128和NV25256 EEPROM以其丰富的特性和出色的性能，为汽车电子等领域提供了可靠的存储解决方案。在实际设计中，工程师们可以根据具体需求，合理利用这些特性，确保系统的稳定性和可靠性。大家在使用过程中遇到过哪些问题呢？欢迎一起交流探讨。