电子说
在电子设计领域,移位寄存器是一种常见且重要的器件,它在数据处理、存储和传输等方面发挥着关键作用。今天我们要探讨的是 ON Semiconductor 推出的 MC100EP142,一款专为字节奇偶应用设计的 9 位移位寄存器。
文件下载:MC100EP142-D.PDF
MC100EP142 具备将串行/并行数据转换为串行/并行输出的能力,且只能进行单向移位操作。它有九个并行输入端口 D0 - D8 用于接收并行输入数据,S - IN 端口则接收串行输入数据。值得注意的是,QT0:87 输出在移位操作时无需进行终端匹配。为了降低功耗,未使用的 Q 输出端应保持不连接。
SEL(选择)输入引脚用于在 SHIFT(移位)和 LOAD(加载)两种操作模式之间切换,移位方向是从第 0 位到第 8 位。寄存器在 CLK0 或 CLK1 的上升沿之前的建立时间内接收输入数据,移位操作也在时钟的上升沿完成。当主复位引脚(MR)为高电平时,会异步将所有寄存器复位为零,并且会覆盖 CLK0 和 CLK1 的输入。此外,100 系列还具备温度补偿功能。
典型的移位频率大于 2.8 GHz,这使得 MC100EP142 能够在高速数据处理场景中表现出色,满足现代电子系统对数据传输速度的要求。
9 位的设计专门针对字节奇偶应用,为相关应用提供了精准的数据处理能力。
异步主复位功能允许在需要时快速将所有寄存器复位,无需等待时钟信号,提高了系统的响应速度和可靠性。
双时钟(CLK0 和 CLK1)的设计增加了系统的灵活性,可以根据不同的应用需求选择合适的时钟信号。
还具有开放输入默认状态、输入安全钳位等特性,并且该器件无铅且符合 RoHS 标准,体现了环保和可靠性的设计理念。
| Pin | Name | 1/0 | Default State | Description |
|---|---|---|---|---|
| 1,31,30,29,27, 26,25,24,23 | ECL Input | Low | 单端并行数据输入 [0:8],内部有 (75 k Omega) 到 (V_{EE}) 的电阻。 | |
| 2 | S - IN | ECL Input | Low | 非反相差分串行输入,内部有 (75 k Omega) 到 (V_{EE}) 的电阻。 |
| 3 | S - IN | ECL Input | High | 反相差分串行输入,内部有 (75 k Omega) 到 (V_{EE}) 和 (36.5 k Omega) 到其他电位的电阻。 |
| 4 | 非反相差分 CLK0 输入,内部有 (75 k Omega) 到 (V_{EE}) 的电阻。 | |||
| 5 | CLK0 | ECL Input | High | 反相差分 CLK0B 输入,内部有 (75 k Omega) 到 (V_{EE}) 和 (36.5 k Omega) 的电阻。 |
| 6 | CLK1 | Low | 非反相差分 CLK1 输入,内部有 (75 k Omega) 到 (V_{EE}) 的电阻。 | |
| 7 | ECL Input | 到 (V_{CC}) 的相关连接。 | ||
| 8 | ECL Input | 单端选择逻辑输入,内部有 (75 k Omega) 到 (V_{EE}) 的电阻。 | ||
| 9 | Low | 单端主复位逻辑输入,内部有 (75 k Omega) 到 (V_{EE}) 的电阻。 | ||
| 10,11,12,14,15,18,19,22 | Q0,Q1,Q2,Q3, Q4,Q5,Q6,Q8 | ECL Output | 单端并行数据输出 [0,1,2,3,4,5,6,8]。 | |
| 13,17,32 | VCC | - | 电源正电压。 | |
| 16,28 | VEE | 负电源电压,所有 (V_{EE}) 引脚必须外部连接到电源以保证正常工作。 | ||
| 21 | Q7 | ECL Output | 反相差分并行/串行数据输出 7,通常用 (50 Omega) 电阻连接到 (V{TT}=V{CC}-2 ~V)。 |
| Function (Note 2) | Q4 Q5 | Q6 Q7 | Q8 Q9 |
|---|---|---|---|
| Load | D4 D5 | D6 D7 | D8 D9 |
| Shift | Q3 Q4 | Q5 Q6 | Q7 Q8 |
| Reset | L L Q3 Q4 | L L Q5 Q6 | L L Q7 Q8 |
所有的加载和移位功能都在 CLK0 或 CLK1 的上升沿完成。这清晰地展示了器件在不同操作模式下的输出状态,为工程师进行电路设计和调试提供了重要依据。
| Symbol | Parameter | Condition 1 | Condition 2 | Rating | |
|---|---|---|---|---|---|
| VCC | VEE = 0V | 8 | V | ||
| 负电源 | (V_{CC}=0 ~V) | -8 | V | ||
| (V_{1}) | NECL 模式输入电压 | VEE = 0V | (V{1} leq V{C C}) | 6 -6 | |
| 浪涌 | 50 | mA | |||
| 工作温度范围 | -40 到 +85 | °C | |||
| Tstg | 存储温度范围 | -65 到 +150 | °C | ||
| 热阻(结到环境) | 0 Ifpm 500 Ifpm | LQFP - 32 | 80 | ||
| θJC | 标准电路板 | °C/W | |||
| 波峰焊 | ≤3 sec @ 260°C | 265 | °C |
超过最大额定值可能会损坏器件,因此在设计时必须确保工作条件在这些限制范围内。
在不同的工作电压下,如 PECL((V{CC}=3.3 ~V),(V{EE}=0 ~V))、PECL((V{CC}=5.0 ~V),(V{EE}=0 ~V))和 NECL((V{CC}=0 ~V),(V{EE}=-5.5 ~V) 到 -3.0 V)模式下,器件的输入输出电压、电流等参数会有所不同。这些参数的详细信息在文档的表格中有明确列出,工程师在设计时需要根据具体的应用场景选择合适的工作模式,并确保器件的性能符合要求。
| Symbol | Characteristic | −40 ° C | 25 ° C | 85 ° C | Unit | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Min | Typ | Max | Min | Typ | Max | Min | Typ | Max | ||||||
| f SHIFT | 最大移位频率 | 2.8 | GHz | |||||||||||
| t PLH, t PHL | 输出传播延迟 | CLKx MR | 500 500 | 625 625 | 750 750 | 550 550 | 675 675 | 800 800 | 575 575 | 700 700 | 825 825 | ps | ||
| t s | 建立时间 | D SEL | 50 100 | −50 50 | 50 100 | −50 50 | 50 100 | −50 50 | ps | |||||
| t h | 保持时间 | D SEL | 100 50 | 50 −50 | 100 50 | 50 −50 | 100 50 | 50 −50 | ps | |||||
| t RR | 复位恢复时间 | 800 | ps | |||||||||||
| t pw | 最小脉冲宽度 | 200 | ps | |||||||||||
| t SKEW | 器件内偏移(Note 16)占空比偏移(Note 17) | Q, Q | 50 5.0 | 100 20 | 50 5.0 | 100 20 | 50 5.0 | 100 20 | ps | |||||
| t JITTER | 随机时钟抖动(Figure 3) | 1 | 2 | 1 | 2 | 1 | 2 | ps | ||||||
| V inpp | 输入电压摆幅/灵敏度(差分配置) | 150 | 800 | 1200 | 150 | 800 | 1200 | 150 | 800 | 1200 | mV | |||
| t r, t f | 上升/下降时间 @ 50 MHz(20 - 80%) | 110 | 180 | 250 | 125 | 190 | 275 | 150 | 215 | 300 | ps |
这些交流特性参数对于评估器件在高速信号处理中的性能至关重要,例如最大移位频率、传播延迟、建立时间和保持时间等。
MC100EP142 在数据处理、通信等领域有着广泛的应用前景。为了帮助工程师更好地使用该器件,ON Semiconductor 提供了一系列应用笔记,如 AN1405/D - ECL 时钟分配技术、AN1406/D - 用 PECL 进行设计(+5.0 V 的 ECL)等。这些资源为工程师在设计过程中遇到的问题提供了详细的解决方案和参考。
在使用 MC100EP142 进行设计时,你是否也会考虑这些电气特性和应用资源呢?欢迎在评论区分享你的设计经验和想法。
希望通过本文的介绍,能让大家对 MC100EP142 这款 9 位移位寄存器有更深入的了解,在实际设计中更好地发挥其性能优势。
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