TI GaN技术如何实现高效电能传输

供电成为数据中心的全新挑战

AI 业务负载激增，电源架构已成为影响系统规模、效率与部署成本的核心因素。

大电流传输会加剧线路损耗、设备发热，推高散热与物料成本。行业普遍切换至 800V 高压架构，为满足高压配电的需求，需要匹配合适的架构与高效、可靠运行的功率器件——这正是氮化镓(GaN)技术的优势之处。

TI GaN 技术如何实现高效电能传输

TI 依托在汽车、工业领域积累的深厚经验，以严苛的车规级标准推进 GaN 器件的开发与生产，并成为业内最早推出车规级 GaN 解决方案的供应商之一。 并且 GaN 产品系列累计完成超 8000 万小时可靠性测试，集成多重保护机制，帮助客户在实现高效率与高功率密度的同时，构建更加稳定可靠的电源系统。

与此同时，TI 积极参与 JEDEC JC-70 宽禁带功率半导体工作组等标准化组织，共同推动发布了 GaN 可靠性测试指南 JEP180，助力行业标准与第三代半导体技术协同演进。

集成化 GaN 设计，释放更高功率密度

系统设计逐步从单一器件优化转向整机方案升级，TI持续深化其专有 GaN 技术。TI 自研集成化 GaN 功率级，将 GaN HEMT、驱动、保护与控制电路集成于单芯片覆盖数据中心、光伏、工业、车载等场景，简化硬件开发流程、缩短研发周期。

最高可达 150V/ns 转换速率，约为传统硅基MOSFET的三倍，开关频率可超过1MHz ;

搭配低电感封装抑制开关振铃，优化 PCB 布局，在保障高速性能的同时降低 EMI，全面提升系统功率密度。

从可靠供应到规模制造，支撑 GaN 规模化应用

AI 基础设施的快速扩张正推动对高性能 GaN 器件的强劲需求。依托数十年 GaN 设计与制造积累，TI 持续扩充自有产线，依托完整 GaN 产品矩阵与全产业链布局，TI 为客户打造高效、高密度、高可靠的数据中心电源方案。

2024 年，TI 宣布位于日本会津的晶圆厂已采用先进GaN制造技术，生产其全线GaN功率半导体产品。

12 英寸晶圆工艺试点成功落地，快速响应订单扩产需求，为未来大规模 300mm 量产做好战略布局。

构建面向未来的 AI 电源基础设施

行业关注的焦点正在从优化单一元器件，转向最大化整个供电链路的效率——从电网到栅极，每一个环节都至关重要。

依托覆盖电力输送全链路的模拟与电源产品组合，以及在 GaN、功率转换、数字控制和先进制造领域的持续创新，TI 将继续携手生态伙伴，共同探索面向下一代 AI 数据中心的高效电源解决方案。