电子说
在工业市场中,稳定可靠的时钟源对于各类设备的正常运行至关重要。今天,我们将深入探讨安森美(onsemi)的NB3H60113GH4,一款专为工业市场设计的3.3V可编程单端时钟发生器。
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NB3H60113GH4具有小巧的封装尺寸,在运行和待机时都只需低功耗。它能够满足工业市场对时钟的需求,并且可以通过一次性可编程(OTP)存储器对一些参数进行编程和存储。
| 引脚编号 | 引脚名称 | 引脚类型 | 描述 |
|---|---|---|---|
| 1 | XIN | 输入 | 19.8 MHz晶体输入连接 |
| 2 | XOUT | 输出 | 晶体输出 |
| 3 | PD# | 输入 | 异步LVCMOS输入,低电平有效主复位,用于禁用设备并将输出置低,内部有下拉电阻,正常工作时需拉高 |
| 4 | GND | 接地 | 电源地 |
| 5 | CLK0 | 单端输出 | 支持39.6 MHz单端LVCMOS信号 |
| 6 | NC | 输出SE | 未使用,浮空 |
| 7 | VDD | 电源 | 3.3 V电源 |
| 8 | NC | 输出SE | 未使用,浮空 |
该器件设计为使用3.3V的VDD电源。为了抑制电源噪声,建议在VDD引脚附近连接0.1μF和0.01μF的去耦电容。
时钟输入模块可以编程使用19.8 MHz的基模晶体。在使用输出频率调制来降低电磁干扰(EMI)时,为了获得最佳性能,建议使用频率大于6.75 MHz的晶体作为输入,并且支持ESR值高达150Ω的晶体。
内部可编程晶体负载电容的设置,消除了标准晶体使用外部负载电容的必要性。内部负载电容可以在4.36 pF至20.39 pF之间以0.05 pF的步长进行编程。对于稳定运行,可参考推荐的最大负载电容值(12 MHz - 27 MHz频率范围,最大电容值为20 pF)。晶体加载有三种模式:仅使用内部芯片电容、仅使用外部电容或同时使用内部和外部电容。在选择外部电容值时,需要考虑内部负载电容的最小值4.36 pF。当使用外部参考时钟时,这些内部负载电容将被旁路。
AGC功能根据输入时钟的信号强度调整增益,以保持良好的输入时钟信号质量。它能够处理来自外部参考时钟的低时钟摆幅,确保设备正常运行,并且最大程度地兼容不同制造商、工艺、质量和性能的晶体。此外,AGC还能控制晶体的功耗,避免过驱动晶体,从而延长晶体的使用寿命。为了准确计算AGC增益并避免增加输出时钟的抖动,用户需要提供晶体负载电容以及其他晶体参数,如ESR和并联电容(C0)。
| 符号 | 参数 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDD | 相对于地的正电源 | -0.5至+4.6 | V |
| VI, VO | 相对于芯片地的输入/输出电压 | -0.5至VDD + 0.5 | V |
| TA | 工作环境温度范围(工业级) | -40至+85 | °C |
| TSTG | 存储温度 | -65至+150 | °C |
| TSOL | 最大焊接温度(10秒) | 265 | °C |
| JA | 热阻(结到环境) | 500 lfpm: 129 °C/W 0 lfpm: 84 °C/W |
°C/W |
| JC | 热阻(结到外壳) | 35至40 | °C/W |
| TJ | 结温 | 125 | °C |
| 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| fout | 单端输出频率 | 39.6 | MHz | |||
| fMOD | 扩频调制率 | fclkin ≥ 6.75 MHz | 30 | kHz | ||
| SS | 扩频百分比(相对于标称频率的偏差) | ±1% | ||||
| SSCRED | 频谱降低,3次谐波 @SS = ±1%,fout = 39.6 MHz,fclkin = 19.8 MHz晶体,RES BW at 30 kHz,LVCMOS输出 | -10 | dB | |||
| tPU | 上电稳定时间 | VDD = 3.3 V,带频率调制 | 3.0 | ms | ||
| tPD | 掉电稳定时间 | 从PD#引脚下降沿到三态输出(异步) | 3.0 | ms | ||
| Eppm | 合成误差 | 取决于配置 | 0 | ppm | ||
| tJITTER - 3.3 V | 周期抖动峰峰值 | 19.8 MHz晶体输入,fout = 39.6 MHz,SS关闭 | 100 | ps | ||
| 周期 - 周期峰值抖动 | 19.8 MHz晶体输入,fout = 39.6 MHz,SS关闭 | 100 | ||||
| tr / tf | 3.3 V上升/下降时间 | 在15 pF负载下,20%至80%之间测量,fout = 39.6 MHz,VDD = 3.3 V,最大驱动 | 1 | ns | ||
| tDC | 输出时钟占空比 | VDD = 3.3 V,参考时钟占空比为50%,PLL时钟 | 45 | 50 | 55 | % |
使用典型的并联谐振基模晶体时,NB3H60113GH4的晶体振荡器接口如图所示。对于负载电容(C_{L}=18 pF)的并联晶体,假设每条线有4 pF的杂散电容,则(C1 = C2 = 32 pF)为标称值。通过调整(C1)和(C2)的值,可以微调频率精度和占空比偏差。例如,增加(C1)和(C2)的值会降低工作频率。需要注意的是,(R1)是可选的,可能为0Ω。
该器件采用独特的多标准输出驱动器来支持LVCMOS标准。系统设计师需要考虑并处理所需的终端匹配变化。LVCMOS输出可以在高达VDD电源的轨到轨范围内摆动,并且在较高驱动强度下可以驱动高达15 pF的负载。输出缓冲器的驱动可以通过编程设置为四个步骤,在该器件中选择了最大驱动电流设置。驱动强度必须设置为高以驱动更高的负载,对于相同的负载,时钟信号的压摆率会随着输出电流驱动的增加而增加。软件允许用户根据所选的(V_{DD})电源为每个LVCMOS输出选择负载驱动电流值。
为了获得干净的时钟信号波形,需要为设备提供干净的电源。设备必须与系统电源噪声隔离。建议在电路板的元件侧靠近VDD引脚处安装0.1μF和2.2μF的去耦电容,并且在去耦电容和VDD引脚之间不应使用过孔。连接到VDD引脚的PCB走线和接地过孔应尽可能粗且短,所有VDD引脚都应配备去耦电容。PCB上的堆叠电源和接地平面应较大,信号走线应位于顶层,尽量减少过孔和不连续性,并且不应跨越参考平面。终端组件应放置在源或接收器附近,在最佳布局中,所有组件都应位于电路板的同一侧,以减少穿过其他信号层的过孔。
NB3H60113GH4主要面向工业市场,可以用作时钟发生器。在消费应用中,系统的各个位置需要单个参考时钟源,该器件可以作为需要接口参考时钟的应用的时钟生成IC。需要注意的是,LVCMOS信号电平不能转换为更高电平的LVCMOS电压。
| 器件型号 | 封装 | 包装 |
|---|---|---|
| NB3H60113GH4MTR2G | 511AT DFN - 8(无铅) | 3000 / 卷带包装 |
总之,NB3H60113GH4以其出色的性能和灵活的配置,为工业市场的时钟设计提供了一个可靠的解决方案。在实际应用中,工程师们需要根据具体需求进行合理的设计和优化,以充分发挥该器件的优势。大家在使用这款器件时,有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的应用经验呢?欢迎在评论区分享交流。
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