电子说
在电子设计领域,光耦合器是实现电气隔离和信号传输的关键元件。今天我们要深入探讨的是安森美(onsemi)的MOCD207M、MOCD208M、MOCD211M、MOCD213M和MOCD217M这几款8引脚SOIC双通道光电晶体管输出光耦合器。
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这些光耦合器由两个砷化镓红外发光二极管和两个单片硅光电晶体管探测器通过光学耦合组成,采用表面贴装的小型塑料封装。这种封装形式非常适合高密度应用,无需进行穿板安装,为设计带来了极大的便利。
这些光耦合器具有紧密匹配的电流传输比,这对于需要精确信号传输的应用至关重要。例如在一些反馈控制电路中,能够确保信号的准确传递,提高系统的稳定性。
不同型号的光耦合器在集电极 - 发射极击穿电压($BV{CEO}$)上有所不同。MOCD207M、MOCD208M和MOCD213M保证最小$BV{CEO}$为70V,而MOCD211M和MOCD217M的$BV_{CEO}$保证为30V。这使得工程师可以根据具体的应用需求选择合适的型号。
MOCD217M只需要较低的LED输入电流,这使得它更容易与逻辑电路进行接口,降低了系统的功耗和设计难度。
采用方便的塑料SOIC - 8表面贴装封装,引脚间距为0.050英寸。同时,该产品获得了多项安全和法规认证,如UL1577(2500VAC RMS,持续1分钟)和DIN - EN/IEC60747 - 5 - 5(565V峰值工作绝缘电压),并且是无铅产品,符合环保要求。
在反馈控制电路中,光耦合器可以实现信号的隔离和传输,确保控制信号的准确性和稳定性。例如在电源电路中,通过光耦合器将输出电压反馈到控制电路,实现对输出电压的精确调节。
对于不同电位和阻抗的系统,光耦合器可以起到隔离和耦合的作用,避免信号干扰和电气故障。比如在工业自动化系统中,将传感器信号与控制系统进行隔离和耦合。
光耦合器可以作为通用开关使用,实现信号的通断控制。在一些需要快速开关的电路中,光耦合器的快速响应特性可以满足设计要求。
在监测和检测电路中,光耦合器可以将检测信号隔离传输到处理电路,提高系统的抗干扰能力。例如在温度监测电路中,将温度传感器的信号通过光耦合器传输到微控制器进行处理。
| 根据DIN EN/IEC 60747 - 5 - 5标准,该光耦合器仅在安全极限数据范围内适用于“安全电气绝缘”。需要通过保护电路来确保符合安全评级。其相关参数如下: | 参数 | 特征 | 详情 |
|---|---|---|---|
| 安装分类 | 额定电源电压 | < 150V RMS;< 300V RMS | |
| 气候分类 | 55/100/21 | ||
| 污染程度 | 2 | ||
| 比较跟踪指数 | 175 | ||
| 输入 - 输出测试电压(方法A) | 904Vpeak | ||
| 输入 - 输出测试电压(方法B) | 1060Vpeak | ||
| 最大工作绝缘电压 | 565Vpeak | ||
| 最高允许过电压 | 4000Vpeak | ||
| 外部爬电距离 | 24mm | ||
| 外部间隙 | 24mm | ||
| 绝缘厚度 | ≥0.4mm | ||
| 外壳温度 | 150°C | ||
| 输入电流 | 200mA | ||
| 输出功率 | 300mW | ||
| 绝缘电阻 | >10⁹Ω |
| 在使用光耦合器时,需要注意其绝对最大额定值,超过这些值可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。以下是部分绝对最大额定值: | 符号 | 额定值 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 存储温度 | -40 至 +125 | °C | ||
| 环境工作温度 | -40 至 +100 | °C | ||
| 结温 | -40 至 +125 | °C | ||
| 引脚焊接温度 | 260(持续10秒) | °C | ||
| 总器件功率耗散($T_A$ = 25°C) | 240 | mW | ||
| 25°C以上降额 | 2.94 | mW/°C | ||
| 连续正向电流 | 60 | mA | ||
| 正向电流 - 峰值 | 1.0 | A | ||
| 反向电压 | 6.0 | V | ||
| LED功率耗散($T_A$ = 25°C) | 90 | mW | ||
| 25°C以上降额 | 0.8 | mW/°C | ||
| 连续集电极电流 | 150 | mA | ||
| 集电极 - 发射极电压(MOCD207M等) | 70 | V | ||
| 集电极 - 发射极电压(MOCD211M等) | 30 | V | ||
| 发射极 - 集电极电压 | 7 | V | ||
| 探测器功率耗散($T_A$ = 25°C) | 150 | mW | ||
| 25°C以上降额 | 1.76 | mW/°C |
不同型号的光耦合器在输入正向电压($V_F$)和反向漏电流($I_R$)等方面有不同的表现。例如,MOCD217M在$I_F$ = 1mA时,$V_F$为1.05 - 1.3V;而MOCD213M在$I_F$ = 10mA时,$V_F$为1.15 - 1.5V。
集电极 - 发射极暗电流($I{CEO}$)、集电极 - 发射极击穿电压($BV{CEO}$)等参数也因型号而异。例如,MOCD211M和MOCD217M的$BV{CEO}$为30 - 100V,而MOCD208M等型号的$BV{CEO}$为70 - 100V。
电流传输比(CTR)是光耦合器的重要参数之一,不同型号的CTR也有所不同。例如,MOCD207M在$IF$ = 10mA,$V{CE}$ = 5V时,CTR为100 - 200%。
输入 - 输出隔离电压($V{ISO}$)为2500VAC RMS(持续1分钟),隔离电容($C{ISO}$)为 - 0.2pF,隔离电阻($R_{ISO}$)为10¹¹Ω,这些参数保证了光耦合器的良好隔离性能。
文档中还给出了一些典型特性曲线,如LED正向电压与正向电流的关系、输出电流与输入电流的关系等。同时,提供了开关时间测试电路和波形图,以及回流焊曲线,这些信息对于工程师进行电路设计和调试非常有帮助。
不同型号的光耦合器有不同的封装和包装形式可供选择,如50个/管或2500个/带盘。部分型号还提供DIN EN/IEC60747 - 5 - 5选项,工程师可以根据实际需求进行订购。
综上所述,MOCD系列光耦合器具有多种特性和参数,适用于多种应用场景。在设计电路时,工程师需要根据具体的需求选择合适的型号,并注意其安全和额定值等参数,以确保电路的可靠性和稳定性。你在使用光耦合器的过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享。
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