电子说
在电子设计领域,光电晶体管是一类至关重要的器件,广泛应用于红外感应、光控开关等诸多场景。今天,我们就来深入探讨安森美(onsemi)的QSD123和QSD124塑料硅红外光电晶体管。
文件下载:QSD123-D.PDF
QSD123/124采用红外透明的黑色T - 1 3/4封装,是一款PNPN硅光电晶体管。这种封装不仅具有良好的光学特性,还方便进行安装和集成。其匹配的发射器包括QED12X、QED22X和QED23X,并且具备窄接收角和24°C日光滤波器,具有高灵敏度的特点,同时还是无铅器件,符合环保要求。
| 在设计过程中,了解器件的绝对最大额定值是至关重要的,它能确保器件在安全的工作范围内运行。以下是QSD123/124的绝对最大额定值(除非另有说明,TA = 25°C): | Symbol | Parameter | Value | Unit |
|---|---|---|---|---|
| T OPR | Operating Temperature | −40 to +100 | ° C | |
| T STG | Storage Temperature | −40 to +100 | ° C | |
| T SOL−I | Soldering Temperature (Iron) | 240 for 5 s | ° C | |
| T SOL−F | Soldering Temperature (Flow) | 260 for 10 s | ° C | |
| V CE | Collector−Emitter Voltage | 30 | V | |
| V EC | Emitter−Collector Voltage | 5 | V | |
| P D | Power Dissipation | 100 | mW |
需要注意的是,超过这些最大额定值可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。例如,功率耗散在25°C以上需要以1.33 mW/°C的速率线性降额。在焊接时,建议使用RMA助焊剂,甲醇或异丙醇作为清洁剂,并且烙铁头距离外壳至少1/16”(1.6 mm)。大家在实际操作中是否遇到过因超出额定值而导致器件损坏的情况呢?
QSD123采用T - 1 3/4、5MM探测器封装,每袋250个散装发货;QSD124为无铅版本,具体发货信息文档未详细说明。在订购时,我们需要根据实际需求选择合适的器件和封装形式。
QSD123/124的峰值灵敏度波长为880 nm,这决定了它对特定波长的红外光具有最佳的响应。在设计红外感应系统时,我们需要确保光源的波长与器件的峰值灵敏度波长相匹配,以获得最佳的性能。
接收角为12°,相对较窄,这使得器件对特定方向的红外光具有较高的选择性,适用于需要精确检测的应用场景。
在VCE = 10 V、光照强度Ee = 0的条件下,集电极 - 发射极暗电流ICEO最大为100 nA。集电极 - 发射极击穿电压BVCEO在IC = 1 mA时为30 V,发射极 - 集电极击穿电压BVECO在IE = 100 μA时为5 V。这些参数对于评估器件在不同偏置条件下的性能和稳定性非常重要。
在光照强度Ee = 0.5 mW/cm²、VCE = 5 V的条件下,QSD123的导通状态集电极电流IC(ON)典型值为16 mA,QSD124为29 mA。在相同光照强度下,当IC = 0.5 mA时,饱和电压VCE(SAT)典型值为0.4 V。这些参数反映了器件在光照下的电流输出能力和电压降,对于设计光控电路非常关键。
上升时间tr和下降时间tf在VCC = 5 V、RL = 100 Ω、IC = 0.2 mA的条件下典型值均为7 μs。这两个参数决定了器件对光信号的响应速度,在高速光控应用中尤为重要。
文档中还给出了一些典型性能特性曲线,包括光电流与辐射强度、暗电流与集电极 - 发射极电压、暗电流与环境温度、光电流与集电极 - 发射极电压以及角度响应曲线等。这些曲线可以帮助我们更直观地了解器件在不同条件下的性能表现,从而优化设计。例如,通过光电流与辐射强度曲线,我们可以确定器件在不同光照强度下的输出电流,进而调整电路参数。
QSD123/124采用T - 1 3/4、5MM探测器封装,文档提供了详细的机械尺寸信息。在进行PCB设计时,我们需要根据这些尺寸合理安排器件的布局,确保其与其他元件之间的间距和连接符合要求。
总之,QSD123/124红外光电晶体管具有多种优良特性和明确的参数指标,在电子设计中具有广泛的应用前景。但在实际应用中,我们需要充分考虑其绝对最大额定值、电气特性和机械尺寸等因素,以确保设计的可靠性和性能。大家在使用这类光电晶体管时,还有哪些经验或问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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