电子说
在电子工程领域,功率开关的性能直接影响着电源转换效率、系统稳定性和设备的整体性能。今天,我们将深入探讨安森美(onsemi)的NCP58935ABL,一款集成了多种功能的650V增强型GaN功率开关,看看它能为我们带来哪些惊喜。
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NCP58935ABL是一款将650V增强型GaN功率晶体管与栅极驱动和保护功能集成于单一封装的产品。其内部的栅极钳位电路,在基于LDO的电路支持下,能在10V至24V的输入范围内调节栅极驱动电压,有效保护GaN晶体管免受过高栅极应力的影响,同时保持出色的开关性能。此外,通过外部电阻可以调整开关的导通和关断斜率,让设计师在EMI性能和转换效率之间找到平衡。该器件还集成了米勒钳位功能,可防止在高dV/dt操作时出现误导通,适用于紧凑、高频和高功率转换应用。
在工业和计算领域的电源供应单元(PSU)中,NCP58935ABL可用于功率转换,提供高效、稳定的电源输出。其高频开关能力和低导通电阻有助于提高电源的效率和功率密度,满足工业和计算设备对电源的高要求。
对于需要高功率密度的电源设计,NCP58935ABL是一个理想的选择。它可以应用于各种双端拓扑结构,如半桥、全桥、LLC等,以及高压同步降压转换器、高压同步升压转换器、双开关正激转换器、同步PFC级和图腾柱PFC等。
NCP58935ABL的引脚功能明确,如1 - 6引脚和底部散热垫为SOURCE,用于GaN功率开关源极的功率路径连接;7引脚为KS,是GaN功率开关的开尔文源极,作为栅极驱动器的返回路径;8引脚为G(GATE),是栅极驱动器输入,外部栅极驱动器的输出应连接到该引脚;9引脚为DRAIN,用于GaN功率开关漏极的功率路径连接。在设计电路时,需要正确连接这些引脚,确保器件正常工作。
在使用NCP58935ABL时,需要注意其推荐的工作电压范围。栅极输入电压范围为10V至24V,在这个范围内,器件能够正常工作并发挥其最佳性能。同时,要注意避免超过最大额定值,以免损坏器件。
由于GaN HEMTs的开关速度比硅和碳化硅MOSFETs快得多,在测量时需要使用适当的测量技术,以避免测试设备引入的寄生元件对测量结果的影响。例如,应尽量缩短接地环路的长度,使用“猪尾线”减少探头接地电感,使用带宽大于350MHz的示波器和探头,并考虑约1.5ns的边缘斜率时间失真。
NCP58935ABL作为一款集成了多种功能的650V增强型GaN功率开关,具有出色的电气性能、开关特性和保护功能,适用于多种高频、高功率转换应用。在设计过程中,电子工程师需要充分了解其特性和设计要点,合理选择外部元件,确保电路的稳定性和可靠性。你在使用类似的功率开关时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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