高速开关应用利器：DAP222与DAP202U双开关二极管

在电子设计领域，高速开关应用对二极管的性能要求极高。今天就来深入了解安森美（onsemi）推出的两款适用于超高速开关应用的共阳极硅双开关二极管——DAP222和DAP202U。

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产品概述

DAP222和DAP202U是共阳极硅外延平面双二极管。其中，DAP222采用SC - 75/SOT - 416封装，专为低功率表面贴装应用设计，在电路板空间有限的情况下表现出色；DAP202U则采用SC - 70/SOT - 323封装。

产品特性

高速开关性能

这两款二极管具有快速的反向恢复时间 (t_{rr})，能够满足超高速开关应用的需求，在高频切换的电路环境中可以实现高效的信号切换。那么大家在实际应用中，有没有遇到因为反向恢复时间过长而影响电路性能的情况呢？

汽车级标准与环保特性

具有NSV前缀的产品适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用，并且通过了AEC - Q101认证，具备PPA能力。同时，它们是无铅、无卤素/无溴化阻燃剂的，符合RoHS标准，这对于环保要求较高的应用场景非常友好。

产品参数

最大额定值

在 (T{A}=25^{circ}C) 的条件下，两款二极管的反向电压 (V{R}) 和峰值反向电压 (V{RM}) 均为80Vdc，正向电流 (I{F}) 为100mAdc，峰值正向电流 (I{FM}) 为300mAdc，峰值正向浪涌电流 (I{FSM(1)}) 为2.0Adc。需要注意的是，超过这些最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

热特性

功率耗散 (P{D}) 最大为150mW，结温 (T{J}) 最高可达150°C，存储温度范围为 - 55°C 至 + 150°C。在设计电路时，我们需要充分考虑这些热特性，以确保器件在合适的温度环境下工作，避免因过热导致性能下降。

电气特性

特性	符号	条件	最小值	最大值	单位
反向电压泄漏电流	(I_{R})	(V_{R}=70V)		0.1	(mu)Adc
正向电压	(V_{F})	(I_{F}=100mA)		1.2	Vdc
反向击穿电压	(V_{R})	(I_{R}=100mu A)	80		Vdc
二极管电容	(C_{D})	(V_{R}=6.0V)，(f = 1.0MHz)		3.5	pF
反向恢复时间（DAP222）	(t_{rr(2)})	(I{F}=5.0mA)，(V{R}=6.0V)，(R{L}=100Omega)，(I{r}=0.1I_{R})		4.0	ns

产品的参数性能是基于上述测试条件给出的，如果实际工作条件不同，性能可能会有所差异。

封装与订购信息

封装尺寸

• SC - 70（SOT - 323）：适用于DAP202U，其尺寸标注遵循ASME Y14.5M, 1982标准，控制尺寸为英寸。
• SC75 - 3：适用于DAP222，尺寸标注符合ASME Y14.5 - 2018标准，所有尺寸单位为毫米。

订购信息

两款产品均提供无铅封装，以3000个/卷带和卷轴的形式包装。不过需要注意的是，部分产品已停产，如DAP202U的某些型号，在进行新设计时不建议选用，可联系安森美代表获取最新信息。

总结

DAP222和DAP202U双开关二极管凭借其高速开关性能、汽车级标准和环保特性，在超高速开关应用领域具有很大的优势。电子工程师在进行相关电路设计时，可以根据具体的应用需求、电路板空间和性能要求，合理选择这两款二极管。同时，一定要严格遵循其参数范围和使用条件，以确保设计的电路稳定可靠。大家在使用这两款二极管的过程中，有没有什么独特的经验或者遇到过什么问题呢？欢迎在评论区分享交流。