单芯片双开关二极管MMBD2835LT1G、MMBD2836LT1G和SMMBD2835LT1G解析

在电子设计领域，开关二极管是常用的基础元件之一，它在电路中起着至关重要的作用。今天我们就来详细探讨一下 onsemi 公司推出的单芯片双开关二极管 MMBD2835LT1G、MMBD2836LT1G 和 SMMBD2835LT1G。

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产品特性

应用范围与认证

这几款二极管带有“S”前缀，适用于汽车及其他对独特生产场地和控制变更有要求的应用。并且它们通过了 AEC - Q101 认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力，这意味着它们在汽车等对可靠性要求极高的领域也能稳定工作。

环保特性

这些器件不含铅，无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合 RoHS 标准。在如今环保要求日益严格的大环境下，这样的特性使得它们在各类电子产品设计中更受欢迎。

最大额定值

额定值	符号	MMBD2835LT1G、SMMBD2835LT1G	MMBD2836LT1G	单位
反向电压	VR	35	75	Vdc
正向电流	IF	100	-	mAdc

从这些数据中我们可以看出，不同型号的二极管在反向电压承受能力上有差异，工程师在设计电路时需要根据实际需求来选择合适的型号。例如，如果电路中反向电压较高，那么 MMBD2836LT1G 会是更好的选择。

热特性

FR - 5 电路板

在 TA = 25°C 时，总器件功耗 PD 为 225 mW，温度每升高 1°C，功耗需降低 1.8 mW/°C，结到环境的热阻 RJA 为 556°C/W。

氧化铝基板

TA = 25°C 时，总器件功耗 PD 为 300 mW，温度每升高 1°C，功耗需降低 2.4 mW/°C，结到环境的热阻 RJA 为 417°C/W。

热特性对于二极管的稳定工作非常重要。不同的基板材料会影响二极管的散热性能，进而影响其功耗和工作稳定性。在实际设计中，我们需要根据电路的散热条件和功耗要求来选择合适的基板材料。

电气特性

反向击穿电压

MMBD2836LT1G 在反向电流 IR = 100 μAdc 时的反向击穿电压 V(BR) 未给出具体值，但这是评估二极管在反向偏置时性能的重要参数。

二极管电容

在 VR = 0 V、f = 1.0 MHz 时，电容为 4.0 pF。电容值会影响二极管在高频电路中的响应速度和性能。

正向电压

在正向电流 IF = 10 mAdc 时的正向电压未给出具体值，但正向电压是二极管导通时的重要参数，它关系到电路中的功率损耗和信号传输。

封装与订购信息

这三款二极管均采用 SOT - 23（TO - 236AB）封装，每盘 3000 个，且为无铅封装。这种封装形式体积小，适合高密度的电路板设计。在订购时，我们可以根据自己的需求选择合适的型号和数量。

总结

MMBD2835LT1G、MMBD2836LT1G 和 SMMBD2835LT1G 这几款单芯片双开关二极管具有多种特性和参数，工程师在设计电路时需要综合考虑其最大额定值、热特性、电气特性以及封装形式等因素。通过合理选择和使用这些二极管，我们可以提高电路的性能和可靠性。大家在实际应用中有没有遇到过这些二极管的特殊情况呢？欢迎在评论区分享你的经验。