韩国拟投3.5万亿元推进半导体集群建设，三星、SK海力士各落两厂

6月29日，韩国青瓦台正式发布国家级"三大超级项目"——将半导体、物理AI和AI数据中心列为产业升级核心支柱，其中最受关注的，是韩国政府联合三星电子与SK海力士抛出的史上最大规模半导体投资计划。

根据规划，韩国将在西南部地区投入约800万亿韩元（约合3.52万亿元人民币），新建四座存储芯片晶圆厂，三星电子与SK海力士各承建两座，目标是在五年内将DRAM产能翻倍。与此同时，政府将在未来15年投入30万亿韩元研发下一代存储技术，并在忠清地区投入81万亿韩元打造HBM先进封装基地，东南部地区则布局材料、设备及功率半导体产业集群。

三星电子公布本土总投资达2655万亿韩元，重点扩充平泽、龙仁半导体集群并新建HBM产线；SK集团宣布投入2100万亿韩元，其中SK海力士拟投1100万亿韩元扩大AI存储产能。

这一轮扩产背后，是全球存储行业正式进入AI驱动的结构性超级周期。

随着ChatGPT、大模型训练及AI服务器爆发，高带宽内存（HBM）和服务器DRAM需求激增。三星、SK海力士与美光均明确新增产能将向HBM及高端AI存储倾斜，而非传统通用DRAM和NAND。业界预计，供需缺口或将持续至2027年，存储合约价涨势同样将延续。

当前HBM市场呈"三足鼎立"格局——SK海力士市占约58%领跑，三星与美光各占约21%紧追。三家均已向英伟达送样HBM4/HBM4E，竞速下一代产品商用节点。新晶圆厂从开建到量产通常需要2～3年，业内预估韩国新厂量产节点多落在2027年下半年至2028年，在此之前DRAM供不应求格局难现拐点。

对全球存储格局而言，韩厂凭借DRAM合计超60%、NAND合计近50%的市占率加速押注HBM高地，客观上给追赶中的中国存储厂商带来更大竞争压力。但AI存储赛道迭代快、认证门槛高，也为后来者预留了技术突围的时间窗口。

这场围绕AI存储的长跑，最终谁能真正站稳脚跟，不仅取决于扩产速度，更考验技术迭代能力、客户资源积累和全产业链的协同实力，新一轮行业洗牌已经悄然拉开序幕。

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