onsemi 2N6487/2N6488/2N6490/2N6491 功率晶体管：通用应用的理想选择

在电子设计领域，选择合适的晶体管对于实现高效、可靠的电路至关重要。onsemi 的 2N6487、2N6488（NPN）以及 2N6490、2N6491（PNP）互补硅塑料功率晶体管，因其出色的性能和广泛的适用性，成为通用放大器和开关应用的理想之选。下面，我们就来详细了解一下这些晶体管的特点和性能。

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产品特性

高直流电流增益

这些晶体管具备高直流电流增益，这意味着它们能够有效地放大电流信号，在放大器应用中表现出色。高电流增益有助于提高电路的效率和性能，使得信号能够得到更好的处理和放大。

高电流增益 - 带宽积

高电流增益 - 带宽积使得晶体管在高频应用中也能保持良好的性能。这一特性使得它们能够处理更宽范围的信号频率，适用于各种需要高频响应的电路设计。

TO - 220 紧凑封装

采用 TO - 220 紧凑封装，不仅方便安装和散热，还能节省电路板空间。这种封装形式在电子设计中非常常见，具有良好的机械稳定性和电气性能。

环保合规

这些器件是无铅的，并且符合 RoHS 标准，符合现代电子设计对环保的要求。这使得它们在全球范围内都能得到广泛应用，同时也有助于减少对环境的影响。

最大额定值

额定值	符号	值	单位
集电极 - 发射极电压 2N6487, 2N6490 2N6488, 2N6491	VCEO	60 80	Vdc
集电极 - 基极电压 2N6487, 2N6490	VCB	70	Vdc

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制，不能保证器件的功能正常，可能会发生损坏并影响可靠性。

热特性

热阻（结到壳）为 70°C/W。良好的热特性对于功率晶体管来说至关重要，它能够确保器件在工作过程中有效地散热，从而保证其稳定性和可靠性。在设计电路时，我们需要根据实际情况考虑散热措施，以确保晶体管的工作温度在合理范围内。

电气特性

在 (T_{C}=25^{circ} C)（除非另有说明）的条件下，这些晶体管具有以下电气特性：

• 集电极截止电流：在不同的测试条件下有相应的数值要求，例如在 ((V{CE}=30 Vdc, I{B}=0)) 时，最小值为 1.0；在 ((V{CE}=80 Vdc, V{E B( off )}=1.5 Vdc, T_{C}=150^{circ} C)) 时，也有特定的要求。
• 其他参数：如在不同的集电极电流和电压条件下，有相应的电压和电流增益等参数。

产品的参数性能在列出的测试条件下通过电气特性来表示，但如果在不同条件下运行，产品性能可能无法通过电气特性体现。

安全工作区

晶体管的功率处理能力受到平均结温和二次击穿两个因素的限制。安全工作区曲线表示了晶体管的 (I{C}-V{CE}) 限制，为了可靠运行，必须遵守这些限制。也就是说，晶体管的功耗不能超过曲线所示的值。图 5 的数据基于 (T{J(pk)}=150^{circ} C)，(T{C}) 会根据条件而变化。二次击穿脉冲限制在占空比为 10% 且 (T{J(pk)} ≤150^{circ} C) 时有效，(T{J(pk)}) 可以从图 4 的数据中计算得出。在高壳温下，热限制会使可处理的功率低于二次击穿所施加的限制。

订购信息

器件	器件标记	封装	运输
2N6487G	2N6487	TO - 220（无铅）	50 单位/导轨
2N6488G	2N6488	TO - 220（无铅）	50 单位/导轨
2N6490G	2N6490	TO - 220（无铅）	50 单位/导轨
2N6491G	2N6491	TO - 220（无铅）	50 单位/导轨

在实际的电子设计中，我们需要根据具体的应用需求来选择合适的晶体管。这些 onsemi 的功率晶体管以其丰富的特性和良好的性能，为我们提供了更多的选择。你在使用这些晶体管的过程中遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。