电子说
在电子设计领域,双极晶体管是不可或缺的基础元件。今天我们就来深入探讨 onsemi 推出的 2SA2013 和 2SC5566 双极晶体管,看看它们有哪些独特的性能和应用场景。
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2SA2013 和 2SC5566 采用了 FBET 和 MBIT 工艺。这种先进的工艺为晶体管带来了诸多优势,是其高性能的基础保障。
具备低集电极 - 发射极饱和电压(Low VCE(sat))的特性。这一特性意味着在导通状态下,晶体管的功率损耗更低,能够有效提高电路的效率,减少发热,对于对功耗敏感的应用场景非常友好。
采用 SOT - 89 / PCP - 1 (CASE 419AU)封装,这种超小型封装有利于终端产品的小型化设计。在如今追求轻薄便携的电子设备市场中,超小型封装的晶体管能够为产品节省更多的空间,满足产品小型化的需求。
具有高允许功率耗散(High Allowable Power Dissipation)和大电流容量(Large Current Capacity)。这使得它们能够承受较大的功率和电流,适用于需要驱动高功率负载的应用,如继电器、电机等。
拥有高速开关(High - speed Switching)能力。在需要快速切换状态的电路中,如脉冲电路、开关电源等,能够迅速响应,减少信号延迟,提高电路的工作速度和性能。
该晶体管适用于多种驱动场景,具体如下:
| 在 (T_{A}=25^{circ} C) 的条件下,2SA2013 的绝对最大额定值如下: | 参数 | 符号 | 条件 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 集电极 - 基极电压 | (V_{CBO}) | (-50) 100 | V | ||
| 集电极 - 发射极电压 | (V_{CES}) | (-50) 100 | V | ||
| 集电极 - 发射极电压 | (V_{CEO}) | (-)50 | V | ||
| 发射极 - 基极电压 | (V_{EBO}) | (-)6 | V | ||
| 集电极电流 | (I_{C}) | (-)4 | A | ||
| 集电极电流(脉冲) | (I_{CP}) | (-)7 | A | ||
| 基极电流 | (I_{B}) | (-)600 | mA | ||
| 集电极耗散功率 | (P_{C}) | 安装在陶瓷基板((250 mm^2 x 0.8 mm))上 | 1.3 | W | |
| (T_{c} = 25 ° C) | 3.5 | W | |||
| 结温 | (T_{j}) | 150 | ° C | ||
| 储存温度 | (T_{stg}) | -55 至 +150 | ° C |
需要注意的是,超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制,不能保证器件的功能,可能会发生损坏并影响可靠性。
| 同样在 (T_{A}=25^{circ} C) 的条件下,部分电气特性参数如下: | 特性 | 符号 | 条件 | 额定值(Typ) | 额定值(Max) | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 集电极截止电流 | (I_{CBO}) | (V{CB}=(-)40V, I{E}=0A) | (-)1 | μA | ||
| 直流电流增益 | 200 | 560 | ||||
| 输出电容 | (V_{CB} = (-)10 V, f = 1 MHz) | pF | ||||
| 集电极 - 发射极饱和电压 | (V_{CE(sat)}) | (I{C}=(-) 2 ~A, I{B}=(-) 100 ~mA) | (-105) 85 | (-180) 130 | mV | |
| (V_{CE(sat)2}) | (I{C}=(-) 2 ~A, I{B}=(-) 100 ~mA) | (-200) 150 | (-340) 225 | |||
| 基极 - 发射极饱和电压 | (V_{BE(sat)}) | (I{C}=(-) 2 ~A, I{B}=(-) 100 ~mA) | (-) 0.89 | V | ||
| (V_{(BR)CES}) | (I{C}=(-) 100 mu A, R{BE}=0 Omega) | (-50) 100 | - | V | ||
| 发射极 - 基极击穿电压 | (V_{(BR)EBO}) | (I{E}=(-) 10 mu A, I{C}=0 ~A) | V | |||
| 导通时间 | (30) 35 | ns | ||||
| 存储时间 | (t_{stg}) | (15)20 |
产品的参数性能在列出的测试条件下通过电气特性来表示,除非另有说明。如果在不同条件下运行,产品性能可能无法通过电气特性体现。
| 器件 | 封装类型(JEITA, JEDEC) | 包装方式 |
|---|---|---|
| 2SA2013 - TD - E | PCP(无铅) | 1000 / 卷带包装 |
| 2SC5566 - TD - E | PCP(无铅) | 1000 / 卷带包装 |
关于卷带规格的信息,包括零件方向和卷带尺寸,请参考《Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D》。
onsemi 的 2SA2013 和 2SC5566 双极晶体管凭借其先进的工艺、低饱和电压、超小型封装、高功率和大电流容量以及高速开关等特性,在多种驱动应用中表现出色。电子工程师在进行电路设计时,可以根据具体的应用需求,合理选择和使用这两款晶体管,以实现电路的高性能和可靠性。同时,在使用过程中要严格遵守其规格参数,避免超过最大额定值,确保器件的正常工作。大家在实际应用中有没有遇到过使用这两款晶体管的特殊情况呢?欢迎在评论区分享交流。
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